一种液面探测限位装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种液面探测限位装置，包括槽型光耦、挡光片与第一电阻；所述槽型光耦包括信号发射端与信号接收端；所述信号发射端的第一端与高电平连接，第二端与低电平连接；所述信号接收端的第一端通过所述第一电阻与所述高电平连接，第二端与所述低电平连接；所述挡光片随所述探测结构移动，当所述探测结构到达液面极限位置时，所述挡光片到达所述槽型光耦的所述信号发射端与所述信号接收端之间，所述信号接收端的第一端由低电平变为高电平。通过此技术方案，将探测结构是否到达极限位置的检测转化为电学量的变化，准确且灵敏度高，当探测结构下降到极限位置时，可以迅速响应使探测结构停止下降，也不会损坏探测结构。也不会损坏探测结构。也不会损坏探测结构。

【技术实现步骤摘要】
一种液面探测限位装置


[0001]本专利技术涉及液面探测限位领域，尤其涉及一种液面探测限位装置。

技术介绍

[0002]现有CDA等仪器上使用的液面探测防撞装置为一个微动开关，需要探针在撞到实物后才能起到停止作用，且需要达到一定撞击力度微动开关才能闭合，将可能损坏探针，而且经过撞击后探针针体本身也有可能会因受力发生弯曲，导致位置偏移需重新调试归位，影响后续的检测，降低仪器的工作效率。因此，本专利技术提供一种液面探测限位模块，通过槽型光耦电路对探针是否下降到极限位置进行探测，转化为电学量后，检测灵敏度更高且准确，当探针下降到极限位置时，可以迅速响应使电机停止转动，准确探测的同时也不会损坏探针。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种液面探测限位装置，通过槽型光耦电路对探测结构是否下降到极限位置进行探测，当探测结构下降到极限位置时，可以迅速响应使电机停止转动，探测结构停止下降，准确度高且更灵敏。
[0004]具体地，本专利技术一方面提供一种液面探测限位装置，其特征在于，包括槽型光耦、挡光片与第一电阻；所述槽型光耦包括信号发射端与信号接收端；所述信号发射端的第一端与高电平连接，第二端与低电平连接；所述信号接收端的第一端通过所述第一电阻与所述高电平连接，第二端与所述低电平连接；所述挡光片随所述探测结构移动，当所述探测结构到达液面极限位置时，所述挡光片到达所述槽型光耦的所述信号发射端与所述信号接收端之间，所述信号接收端的第一端的电压由低电平变为高电平。
[0005]优选地，上述液面探测限位装置中所述探测结构为探针。
[0006]优选地，还包括第二电阻；所述第二电阻设置于所述信号发射端的第一端与所述高电平之间，限制流经所述信号发射端的电流大小。
[0007]优选地，上述液面探测限位装置中还包括高低电平检测模块；所述高低电平检测模块与所述信号接收端的第一端连接，当所述高低电平检测模块检测到所述信号接收端的第一端由低电平变为高电平时，发出信号停止探测结构移动。
[0008]优选地，上述液面探测限位装置中所述高低电平检测模块由主控板的单片机实现。
[0009]优选地，上述液面探测限位装置中还包括发光二极管；所述发光二极管设置于所述第一电阻与所述信号接收端的第一端之间，指示所述探测结构是否到达液面极限位置。
[0010]优选地，上述液面探测限位装置中所述挡光片固定于所述探测结构所在的传动轴上。
[0011]优选地，上述液面探测限位装置中所述第一电阻与所述第二电阻阻值为1K欧姆。
[0012]优选地，上述液面探测限位装置中所述信号发射端的第二端与所述信号接收端的
第二端均接地。
[0013]采用了上述技术方案后，与现有技术相比，具有以下有益效果：
[0014]1.通过槽型光耦电路进行检测，不会损坏探测结构的同时达到准确检测的效果；
[0015]2.将探测结构是否到达极限位置转化为电学量的检测，灵敏度更高。
附图说明
[0016]图1为符合本专利技术一优选实施例的液面探测限位装置的电路结构示意图；
[0017]图2为符合本专利技术另一优选实施例的液面探测限位装置的电路结构示意图。
[0018]附图标记：
[0019]1-槽型光耦
[0020]101-信号发射端102-信号接收端
[0021]2-挡光片
具体实施方式
[0022]以下结合附图与具体实施例进一步阐述本专利技术的优点。
[0023]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0024]在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0025]应当理解，尽管在本公开可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本公开范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
[0026]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本专利技术的说明，其本身并没有特定的意义。因此，“模块”与“部件”可以混合地使用。
[0027]参阅附图1，为符合本专利技术一优选实施例的液面探测限位装置的电路结构示意图，包括槽型光耦1、挡光片2与第一电阻R1；槽型光耦1包括信号发射端101与信号接收端102；信号发射端101的第一端A与高电平连接，第二端K与低电平连接；信号接收端102的第一端C通过第一电阻R1与高电平连接，第二端E与低电平连接；挡光片2随探测结构移动，当探测结构到达液面极限位置时，挡光片2到达槽型光耦1的信号发射端101与信号接收端102之间，信号接收端102的第一端C的电压由低电平变为高电平。在本方案中，不限制槽型光耦1与挡光片2具体固定的位置，只需满足挡光片2随探测结构移动，且挡光片2与槽型光耦1固定的位置满足当探测结构下降到需要工作的极限位置时，挡光片2到达槽型光耦1的信号发射端
101与信号接收端102之间即可，可以根据具体情况调节，如槽型光耦1固定在探测结构的极限位置处，挡光片2固定在与探测结构齐平的位置且挡光片2随探测结构移动，或者槽型光耦1固定在探测结构的极限位置偏上，挡光片2固定在与探测结构齐平的位置偏上也可，只需满足挡光片2随探测结构移动，当探测结构下降到需要工作的极限位置时，挡光片2到达槽型光耦1的信号发射端101与信号接收端102之间即可。
[0028]槽型光耦1包括信号发射端101与信号接收端102，信号发射端101一般来说为一发光器件，如二极管，信号接收端102为接收光照导通的光电器件，如三极管，当信号接收端102接收到信号发射端101的光电信号时，信号接收端102为导通状态，当信号接收端102不能正常接收到信号发射端101的光电信号时信号接收端102为截止状态，电路不导通。
[0029]优选地，本专利技术上述液面探测结构为探针，后续均以探针为例对本专利技术的技术方案进行说明，但任何其他探测结构均可适用本专利技术，在本专利技术保护范围内。
[0030]本实施例中信号发射端101的第一端A与第一电阻R1连接的高电平为任意电源均可，只需提供高电平信号即可，如+5V、+10V、+12V等，不影本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液面探测限位装置，其特征在于，包括槽型光耦、挡光片与第一电阻；所述槽型光耦包括信号发射端与信号接收端；所述信号发射端的第一端与高电平连接，第二端与低电平连接；所述信号接收端的第一端通过所述第一电阻与所述高电平连接，第二端与所述低电平连接；所述挡光片随探测结构移动，当所述探测结构到达液面极限位置时，所述挡光片到达所述槽型光耦的所述信号发射端与所述信号接收端之间，所述信号接收端的第一端的电压由低电平变为高电平。2.如权利要求1所述的液面探测限位装置，其特征在于，所述探测结构为探针。3.如权利要求1所述的液面探测限位装置，其特征在于，还包括第二电阻；所述第二电阻设置于所述信号发射端的第一端与所述高电平之间，限制流经所述信号发射端的电流大小。4.如权利要求1所述的液面探测限位装置，其特征在于，还包括高低电平检测模块；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷伟勇，
申请(专利权)人：昌微系统科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：