A system-integrated decoupling capacitor of a maneuverable integrated fan-out type comprises a plurality of redistribution layers, dielectric layers, and conductive structures. A plurality of redistribution layers are formed on the device wafer to provide electrical connection between the device wafer and the external connector in the package. The dielectric layer is arranged between the redistribution layers to form a capacitance structure. The conductive structure is formed and coupled between the device wafer and the redistribution layer.
【技术实现步骤摘要】
机动整合扇出型的系统整合的去耦合电容
本揭露是有关于一种半导体装置及其封装方法，且特别是有关于一种利用多个重分布层、电容结构、导电结构和导电层，以旁通或过滤电压尖峰(voltagespikes)的半导体装置及其封装方法。
技术介绍
随着制造程序的快速发展，集成电路的操作速度已显著改善。在集成电路元件的高速操作下会引发电压尖峰，为减少来自电压尖峰的冲击，使用去耦合电容来旁通(bypass)或过滤这些电压尖峰。
技术实现思路
本揭露的一个态样提供一种半导体装置，其包括多个重分布层、介电层和导电结构。多个重分布层形成于装置晶片上，以在封装中提供装置晶片与外部连接件之间的电性连接。介电层设置于所述重分布层之间，以形成电容结构。导电结构形成并耦合于装置晶片和重分布层之间。附图说明通过以下详细说明并配合附图阅读，可更容易理解本揭露。在此强调的是，按照产业界的标准做法，各种特征并未按比例绘制，仅为说明的用。事实上，为了清楚的讨论，各种特征的尺寸可任意放大或缩小。图1为根据本揭露的一些实施例绘示的半导体装置的示意图；图2为根据本揭露的一些实施例绘示的制造半导体装置的流程图；以及图3至...
【技术保护点】
1.一种机动整合扇出型的系统整合的去耦合电容，其特征在于，包含：多个重分布层，形成于一装置晶片上，以在一封装中提供该装置晶片与一外部连接件之间的电性连接；一介电层，设置于所述多个重分布层之间，以形成一电容结构；以及一导电结构，形成并耦合于该装置晶片和所述多个重分布层之间。
【技术特征摘要】
2017.03.30 US 15/474,7001.一种机动整合扇出型的系统整合的去耦合电容，其特征在于，包含：多个重分布层，形成于一装...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖文翔，周淳朴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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