晶元处理系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种晶元处理系统，并提供一种晶元处理系统，所述晶元处理系统包括：晶元供给部，其用于供给将要进行处理工艺的晶元；研磨部，其从所述晶元供给部获得所述晶元的供给，并对所述晶元进行研磨，所述晶元处理系统构成为在配置于第一清洗通道的第一清洗模块和配置于第二清洗通道的第二清洗模块中任意一个以上对在所述研磨部被研磨的所述晶元进行清洗，从而在占据规定空间的一个配置结构中根据晶元的种类可以进行多种方式的多种研磨工艺。

Wafer processing system

The utility model relates to a crystal processing system and provides a crystal processing system. The crystal processing system comprises a crystal supply unit for supplying the crystal to be processed, a grinding unit for obtaining the crystal supply from the crystal supply unit and grinding the crystal to be processed. The meta-processing system is composed of more than one of the first cleaning module configured in the first cleaning channel and the second cleaning module configured in the second cleaning channel for cleaning the crystal grinded in the grinding part, so that a variety of crystals can be carried out according to the type of crystal in a configuration structure occupying a prescribed space. A variety of grinding processes.

【技术实现步骤摘要】
晶元处理系统
本技术涉及一种晶元处理系统，更加详细地，涉及一种晶元处理系统，其具有一个配置结构的同时可以根据需要进行多种研磨工艺，并且通过使得在生产线中所占据的空间最小化而使得空间效率极大化。
技术介绍
半导体元件是由细微的电路线高密度集成而制造的，需要在晶元表面进行与此相应的精密研磨。为了更加精密地进行晶元的研磨，进行机械研磨和化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。最近，正在通过针对一个晶元进行多种研磨工艺来进行精密的研磨层厚度控制。为了进行多种研磨工艺，提出一种晶元在经过多个研磨平板的同时移动的形态的晶元处理系统。根据韩国公开专利公报第2011-13384号公开如下一种构成：晶元载体以搭载有晶元的状态沿着形成为圆形的导轨移动的同时，在沿着导轨配置的多个研磨平板进行多种研磨工艺。但是，由于晶元载体沿着一条导轨按次序移动的同时进行多种研磨工艺，所以问题在于，可以在一个配置结构中进行的多种研磨工艺局限为1种，或者局限为漏掉一部分研磨平板的形式的多种研磨工艺。另外，根据韩国公开专利公报第2011-65464号，以如下形式构成：晶元搭载于能够旋转的圆盘传送带的头，圆盘传送带旋转的同时按顺序在规定的研磨平板上进行多种研磨工艺。但是，所述构成也是只通过圆盘传送带的旋转来决定晶元的移动通道，所以具有如下局限：可以在一个配置结构中进行的多种研磨工艺只局限为1种，或者只局限为漏掉一部分研磨平板的形式的多种研磨工艺。另外，如上所述的化学机械研磨工艺用于使得晶元的研磨层表面平坦化，研磨工艺中所使用的研磨垫使用聚氨酯等比较坚硬的材料。将所述平坦化处理工艺称作主要研磨工艺。但是，在坚硬的材料的研磨垫上进行的主要研磨工艺可能会在晶元的研磨表面产生缺陷，因此，最近正在进行如下尝试：在主要研磨工艺以后，在利用更加低硬度的研磨垫上进行抛光(buffing)研磨工艺，从而使得晶元的研磨面的缺陷最小化，抛光研磨工艺与在主要研磨工艺中进行的研磨相比，在较短的时间内使得晶元研磨到较薄的厚度。但是，以没有损伤的状态对晶元的研磨面进行最后研磨的抛光研磨工艺也可以根据晶元的状态通过多种工艺进行。换句话说，抛光工艺可以根据晶元的种类或进行的化学机械研磨工艺变量的不同而不同，虽然一般通过一个步骤完成抛光工艺，但是也会发生通过两个步骤的抛光工艺完成晶元的研磨面的情况。但是，韩国公开专利公报第2011-13384号和韩国公开专利公报第2011-65464号中公开的利用现有的化学机械研磨系统进行抛光工艺的情况，不仅装备过于复杂，而且之后的向清洗单元移送的过程也变得复杂，因为也不是相互独立地进行研磨工艺，所以在对研磨工艺的变量进行控制方面存在局限。
技术实现思路
本技术是在前述的技术背景下提出的，其目的在于提供一种晶元处理系统，其能够在占据规定空间的一个配置结构中根据晶元的种类进行多种方式的多种研磨工艺。尤其，本技术的目的在于，利用以有效率的空间配置设置的晶元处理系统以多种多样的方式对晶元进行四个步骤的研磨工艺。另外，本技术的目的在于，即使没有在以搭载有晶元的状态移动的晶元载体上安装驱动马达，也可以在相互不同的位置对接对接单元，从而准确无误地进行晶元的研磨工艺。并且，本技术的目的在于，晶元的移动通道并非圆形，而是沿着顶点形态的通道移动，据此使得在配置晶元的处理工艺所需要的装备时所占据的面积最小化。与此同时，本技术的目的在于，为了使得晶元(包括晶元载体)在晶元的移动通道上从顶点处移过，需要以搭载有晶元载体的状态进行移动的载体支持架，以安装于载体支持架的状态进行晶元的研磨工艺，从而使得四个步骤的晶元研磨工艺以占据更小的面积的形式进行。据此，其目的在于，使得在半导体制造线上所占据的空间最小化的同时根据晶元的状态或种类进行多种研磨工艺。为了实现所述目的，本技术提供一种晶元处理系统，其包括：晶元供给部，其用于供给将要进行处理工艺的晶元；研磨部，其从所述晶元供给部获得所述晶元的供给，并对所述晶元进行研磨；清洗部，其配置于所述晶元供给部和所述研磨部之间，在配置于第一清洗通道的第一清洗模块和配置于第二清洗通道的第二清洗模块中任意一个以上对在所述研磨部被研磨的所述晶元进行清洗，并且所述第一清洗通道和所述第二清洗通道相互隔开配置；传递装置，其设置于所述清洗部，并且用于将所述晶元从所述晶元供给部传递至所述研磨部。本说明书及权利要求书中所记载的术语“持有”、“搭载”、“安装”定义为，指代晶元与晶元载体一起移动的形态。因此，“持有”或“搭载”或“安装”于晶元载体的晶元并不局限于应该位于晶元载体的内部等特定形态或位置。本说明书及权利要求书中所记载的术语“研磨”以及与此相似的“研磨工艺”定义为如下意思：指代对晶元的研磨面进行研磨的工艺，并且包括化学研磨和机械研磨相结合的化学机械研磨工艺，其中，通过研磨液进行化学研磨，通过摩擦进行机械研磨。如以上说明，本技术提供一种晶元处理系统，其可以在占据规定空间的一个配置结构中按照晶元的种类根据需要进行两个步骤或四个步骤的多步骤研磨工艺。并且，本技术以如下形式构成：即使没有在以搭载有晶元的状态移动的晶元载体上安装驱动马达，也可以在相互不同的位置对接对接单元，从而不仅可以减少晶元的处理系统所占的面积，而且可以准确无误地进行晶元的处理工艺。另外，本技术可以获得以下有利效果：晶元的移动通道并非圆形，而是沿着顶点形态的通道移动，据此不仅可以使得在配置晶元的处理工艺所需要的装备时所占据的面积最小化，而且使得晶元载体以将晶元载体搭载于载体支持架的状态在晶元的尖锐的(顶点附近的)移动通道上移动，尤其，构成为以安装于载体支持架的状态进行晶元的研磨工艺，从而在更小的面积内进行四个步骤的晶元研磨工艺。据此，使得在半导体生产线上所占据的空间最小化的同时也可以根据晶元的状态或种类进行多种研磨工艺。附图说明图1是示出根据本技术的一个实施例的晶元处理系统的平面图，图2是图1的研磨部的平面图，图3是对沿着导轨移动的晶元载体向连接轨道移动的操作原理进行说明的图，图4是图3的晶元载体的立体图，图5是图4的纵截面图，图6是示出对接单元与图3的晶元载体对接的状态的立体图，图7是示出根据图1所示的晶元处理系统的第一实施形态的晶元处理工艺的图，图8是示出根据本技术的晶元处理系统的第二实施形态的晶元处理工艺的图，图9是示出根据本技术的晶元处理系统的第三实施形态的晶元处理工艺的图，图10是示出根据本技术的晶元处理系统的第四实施形态的晶元处理工艺的图，图11是示出根据本技术的晶元处理系统的第五实施形态的晶元处理工艺的图，图12是示出根据本技术的晶元处理系统的第六实施形态的晶元处理工艺的图，图13是示出根据本技术的晶元处理系统的第七实施形态的晶元处理工艺的图，图14是示出根据本技术的晶元处理系统的第八实施形态的晶元处理工艺的图。具体实施方式以下，参照附图对根据本技术的一个实施例的晶元处理系统1进行详细说明。但是，在对本技术进行说明时，针对公知的功能或构成赋予相同或相似的附图标号，并且为了使得本技术的要旨明确而省略对此的说明。如图1及图2所示，根据本技术的一个实施例的晶元处理系统1包括：晶元供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶元处理系统，其包括：晶元供给部，其用于供给将要进行处理工艺的晶元；研磨部，其从所述晶元供给部获得所述晶元的供给，并对所述晶元进行研磨；清洗部，其配置于所述晶元供给部和所述研磨部之间，在配置于第一清洗通道的第一清洗模块和配置于第二清洗通道的第二清洗模块中任意一个以上对在所述研磨部被研磨的所述晶元进行清洗，并且所述第一清洗通道和所述第二清洗通道相互隔开配置；传递装置，其设置于所述清洗部，以便将所述晶元从所述晶元供给部传递至所述研磨部。

【技术特征摘要】
2017.01.17 KR 10-2017-00083481.一种晶元处理系统，其包括：晶元供给部，其用于供给将要进行处理工艺的晶元；研磨部，其从所述晶元供给部获得所述晶元的供给，并对所述晶元进行研磨；清洗部，其配置于所述晶元供给部和所述研磨部之间，在配置于第一清洗通道的第一清洗模块和配置于第二清洗通道的第二清洗模块中任意一个以上对在所述研磨部被研磨的所述晶元进行清洗，并且所述第一清洗通道和所述第二清洗通道相互隔开配置；传递装置，其设置于所述清洗部，以便将所述晶元从所述晶元供给部传递至所述研磨部。2.根据权利要求1所述的晶元处理系统，其特征在于，所述研磨部包括：装载部，其从所述晶元供给部获得所述晶元的供给并将所述晶元搭载至晶元载体；晶元载体，其以持有在所述装载部被搭载的所述晶元的状态进行移动；第1-1研磨平板及第1-2研磨平板，其配置于第一假想线，所述晶元载体可以移动的第一移动通道属于第一假想线；第2-1研磨平板及第2-2研磨平板，其配置于第二假想线，所述晶元载体可以移动的第二移动通道属于第二假想线，所述第二假想线与所述第一假想线隔开配置；在所述第一移动通道和所述第二移动通道之间，所述晶元载体可以移动的第三移动通道沿着第三假想线配置；第1-1载体支持架，其以搭载有所述晶元载体的状态在与所述第一移动通道的一端相面对的第1-1位置和与第二移动通道的一端相面对的第2-1位置之间的第一连接通道中的所述第1-1位置和与所述第三移动通道的一端相面对的第3-1位置之间往复移动，从而使得所述晶元载体在所述第一移动通道和所述第三移动通道之间往来；第1-2载体支持架，其以搭载有所述晶元载体的状态在所述第一连接通道中的所述第3-1位置和所述第2-1位置之间往复移动，从而使得所述晶元载体在所述第三移动通道和所述第二移动通道之间往来；第2-1载体支持架，其以搭载有所述晶元载体的状态在与所述第一移动通道的另一端相面对的第1-2位置和与所述第二移动通道的另一端相面对的第2-2位置之间的第二连接通道中的所述第1-2位置和与所述第三移动通道的一端相面对的第3-2位置之间往复移动，从而使得所述晶元载体在所述第一移动通道和所述第三移动通道之间往来；第2-2载体支持架，其以搭载有所述晶元载体的状态在所述第二连接通道中的所述第3-2位置和所述第2-2位置之间往复移动，从而使得所述晶元载体在所述第三移动通道和所述第二移动通道之间往来；卸载部，其用于从所述晶元载体卸载所述晶元。3.根据权利要求2所述的晶元处理系统，其特征在于，所述卸载部配置于所述第二连接通道上。4.根据权利要求2所述的晶元处理系统，其特征在于，以所述晶元载体搭载于所述第2-1载体支持架或第2-2载体支持架的状态，使得所述晶元从所述晶元载体卸载下来。5.根据权利要求2所述的晶元处理系统，其特征在于，所述第1-2研磨平板和所述第2-2研磨平板中任意一个以上配置于所述第一连接通道上。6.根据权利要求2所述的晶元处理系统，其特征在于，所述晶元载体以搭载于所述第1-1载体支持架的状态进行在所述第1-2研磨平板上的研磨工艺。7.根据权利要求2所述的晶元处理系统，其特征在于，所述第一移动通道由沿着所述第一假想线设置的第一导轨决定通道，所述第二移动通道由沿着所述第二假想线设置的第二导轨决定通道，所述第三移动通道由沿着所述第三假想线设置的第三导轨决定通道。8.根据权利要求2所述的晶元处理系统，其特征在于，所述第一连接通道由第一连接轨道决定通道，所述第二连接通道由第二连接轨道决定通道。9.根据权利要求2至8中任意一项所述的晶元处理系统，其特征在于，所述装载部包括第一装载部和第二装载部，第一装载部与所述第一假想线相邻，第二装载部与所述第二假想线相邻；所述卸载部包括第一卸载部和第二卸载部，第一卸载部与所述第一假想线相邻，第二卸载部与所述第二假想线相邻；第一晶元从所述晶元供给部经过所述传递装置后在所述第一装载部被搭载至所述晶元载体，并且沿着所述第一假想线移动的同时在所述第1-1研磨平板和所述第1-2研磨平板分别进行第一研磨工艺和第二研磨工艺，依次经过所述第1-1载体支持架和所述第三移动通道后在所述第一卸载部被卸载，在配置于所述清洗部的所述第一清洗通道的清洗模块得到清洗后被排出；第二晶元从所述晶元供给部经过所述传递装置后在所述第二装载部被搭载至所述晶元载体，并且沿着所述第二假想线移动的同时在所述第2-1研磨平板和所述第2-2研磨平板分别进行第一研磨工艺和第二研磨工艺，依次经过所述第1-2载体支持架和所述第三移动通道后在所述第一卸载部被卸载，在配置于所述清洗部的所述第二清洗通道的清洗模块得到清洗后被排出。10.根据权利要求2至8中任意一项所述的晶元处理系统，其特征在于，所述装载部包括第一装载部和第二装载部，第一装载部与所述第一假想线相邻，第二装载部与所述第二假想线相邻；所述卸载部包括第一卸载部和第二卸载部，第一卸载部与所述第一假想线相邻，第二卸载部与所述第二假想线相邻；第一晶元从所述晶元供给部经过所述传递装置后在所述第一装载部被搭载至所述晶元载体，并且沿着所述第一假想线移动的同时在所述第1-1研磨平板和所述第1-2研磨平板分别进行第一研磨工艺和第二研磨工艺，依次经过所述第1-1载体支持架和所述第三移动通道后，再次沿着第一假想线移动的同时在所述第1-1研磨平板和所述第1-2研磨平板中任意一个进行第三研磨工艺，依次经过所述第1-1载体支持架和所述第三移动通道后，在所述第一卸载部被卸载，在配置于所述清洗部的所述第一清洗通道的所述第一清洗模块得到清洗后被排出；第二晶元从所述晶元供给部经过所述传递装置后在所述第二装载部被搭载至所述晶元载体，并且沿着所述第二假想线移动的同时在所述第2-1研磨平板和所述第2-2研磨平板分别进行第一研磨工艺和第二研磨工艺，依次经过所述第1-2载体支持架和所述第三移动通道后，再次沿着第二假想线移动的同时在所述第2-1研磨平板和所述第2-2研磨平板中任意一个进行第三研...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙昞澈，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR