The utility model relates to the field of diode technology, in particular to a Schottky diode. The novel Schottky diode comprises an anode metal layer (1), a light doping layer (2), a heavy doping layer (3) and a positive metal layer (5) which are successively stacked from the bottom to the top to form a trapezoidal part (6) protruding downward from the central part of the lower end face of the positive metal layer (5), and the trapezoidal part (6) resisting the central part of the upper end face of the heavy doping layer (3). The layer (3) is provided with an impact arc (7), and the impact arc (7) is applied to the lower end face of the positive metal layer (5). Compared with the prior art, the novel Schottky diode has the advantages of low leakage current and good antistatic performance.
【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管
本技术涉及二极管
，具体涉及一种肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管由于其低的正向导通压降和快速反向恢复时间，在功率整流器件中得到了广泛的应用。尽管应用广发，但仍然存在一些缺点，例如漏电流大、抗静电性能差等。市面上难有兼具漏电流低和抗静电性能好的肖特基二极管，因此，亟待进行相应改进和设计。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术中的不足，而提供一种漏电流低且抗静电性能优良的肖特基二极管。为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种肖特基二极管，包括由下向上依次层叠的负极金属层、轻掺杂层、重掺杂层以及正极金属层，所述正极金属层的下端面中央部向下突出形成梯形部，所述梯形部抵住重掺杂层上端面中央部，所述重掺杂层设有抗冲弧，所述抗冲弧抵住正极金属层下端面。优选的，所述正极金属层的下端面两侧与重掺杂层上端面两侧还夹有钛钨合金层。钛钨合金层的设置能进一步加强抗静电性能。优选的，所述轻掺杂层的掺杂浓度为1.5×1019/cm3，厚度为3-5um。优选的，所述正极金属层和负极金属层均为Ni或Ti，厚度为1-1.5um。优选的，所述抗冲弧呈半圆状。本技术的有益效果：本技术的一种肖特基二极管，具有以下优点：(1)通过将正极金属层设计成T型，即具有向下突出的梯形部，而梯形部的直角效应可增强局部电场强度，降低了漏电流；(2)通过设计梯形部和抗冲弧，使得本实新的二极管在受到静电冲击时，梯形部和抗冲弧能同时承受冲击，增加了受冲击的区域面积，能降低冲击时的电流密度，进而具有更好的防静电性能；(3)通过设计轻掺杂层和重掺杂层，由于重掺杂层的掺杂浓度大于轻掺杂层的掺杂...
【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括由下向上依次层叠的负极金属层(1)、轻掺杂层(2)、重掺杂层(3)以及正极金属层(5)，所述正极金属层(5)的下端面中央部向下突出形成梯形部(6)，所述梯形部(6)抵住重掺杂层(3)上端面中央部，所述重掺杂层(3)设有抗冲弧(7)，所述抗冲弧(7)抵住正极金属层(5)下端面。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括由下向上依次层叠的负极金属层(1)、轻掺杂层(2)、重掺杂层(3)以及正极金属层(5)，所述正极金属层(5)的下端面中央部向下突出形成梯形部(6)，所述梯形部(6)抵住重掺杂层(3)上端面中央部，所述重掺杂层(3)设有抗冲弧(7)，所述抗冲弧(7)抵住正极金属层(5)下端面。2.如权利要求1所述肖特基二极管，其特征在于，所述正极金属层(5...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵姚平，杨泉，
申请(专利权)人：东莞市徽品电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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