一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及制备方法技术

技术编号:19092264 阅读:61 留言:0更新日期:2018-10-03 00:13
公开了一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法。在该方法中,通过在超高真空环境下将高纯度硒原子蒸发沉积到铜单晶基底上,或者将高纯度的硒原子和铜原子共同沉积到其他基底上获得样品,然后将样品升温到生长温度后对样品进行退火处理,从而生成自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料。这种类石墨烯结构的新型二维材料扩充了双组分二维蜂窝状晶体材料的研究领域,具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。

Natural patterned single crystal copper selenide two dimensional atomic crystal material and preparation method thereof

A natural patterned single layered copper selenide two-dimensional atomic crystal material and a preparation method thereof are disclosed. In this method, high purity selenium atoms are evaporated and deposited on copper single crystal substrates in ultra-high vacuum environment, or high purity selenium atoms and copper atoms are deposited on other substrates to obtain samples, and then the samples are annealed at the growth temperature to produce naturally patterned monolayer selenium. Two dimensional atomic crystal materials. This new two-dimensional material with graphene-like structure expands the research field of two-component two-dimensional honeycomb crystal materials, and has high scientific research value and wide application potential.

【技术实现步骤摘要】
一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及制备方法
本公开总体上涉及纳米材料
,并且更具体地涉及一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法。
技术介绍
二维原子晶体材料因其单原子层厚度的平面晶体结构、丰富和独特的物理和化学特性以及其潜在的实际应用价值而成为近年来科技界的研究热点,其中,石墨烯自2004年被成功剥离后成为了新型二维原子晶体材料的焦点和代表。单原子层厚度的石墨烯具有很多优良特性,例如超高的载流子迁移率、超高的透光率、室温下的量子霍尔效应等,使其在电子学、光学、磁学、生物医学、催化、储能和传感器等领域有巨大的应用潜力,被公认为本世纪的“未来材料”和“革命性材料”。石墨烯的成功激励人们探索其他类石墨烯二维原子晶体材料。近年来,相继从理论和实验上获得了多种其他新型二维原子晶体材料,例如六方氮化硼、过渡金属二硫属化合物、硅烯、锗烯、铪烯、硼烯、黑磷、锡烯、锑烯等。这些二维材料有着各种各样的电学性质(金属、半金属、半导体和绝缘体),也呈现了很多优异的物理特性(超导,热电效应,电荷密度波等),使其在很多方面有巨大的应用前景(自旋电子学,光电子学,化学和生物传感器,超级本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料的制备方法,包括:在超高真空环境下,制备包括高纯度铜及高纯度硒两种元素的样品;以及在将所述样品升温到生长温度后对所述样品进行退火处理,以生成自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料。

【技术特征摘要】
1.一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料的制备方法,包括:在超高真空环境下,制备包括高纯度铜及高纯度硒两种元素的样品;以及在将所述样品升温到生长温度后对所述样品进行退火处理,以生成自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料。2.如权利要求1所述的制备方法,其中,制备包括高纯度铜及高纯度硒两种元素的样品包括:将高纯度硒原子及高纯度铜原子共同沉积在基底上。3.如权利要求1所述的制备方法,其中,制备包括高纯度铜及高纯度硒两种元素的样品包括:将硒原子蒸发至铜金属单晶基底。4.如权利要求3所述的制备方法,其中,将硒原子蒸发至铜金属单晶基底包括:通过热阻式加热使硒原子蒸发并沉积到所述铜金属单晶基底上。5.如权利要求4所述的制备方法,其中,所述硒原子的蒸发温度为120℃~125℃。6.如权利要求4所述的制备方法,其中,所述硒原子的沉积时间为3...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢建臣林晓钱凯张帅杜世萱高鸿钧
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所中国科学院大学
类型:发明
国别省市:北京,11

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