一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法，通过磁控溅射沉积法制备得到，所述导电薄膜包括上下两层CaSnO3层、CaSnO3层中间夹着Ag层以及透明柔性衬底。制得的CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜的性能优良，成本低廉，适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法
本专利技术属于电子功能薄膜材料及薄膜光学领域,涉及一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法。
技术介绍
钙钛矿结构氧化物具有丰富的物理特性，包括高温超导电性、铁电/压电特性、磁电阻特性、多铁性等，是目前研究最广泛的功能材料之一。随着钙钛矿微结构中新奇光电特性的发现和钙钛矿结构光伏电池的蓬勃发展。钙钛矿结构的透明导电氧化物激发了科学工作者极大的兴趣，因为它们具有与其他钙钛矿材料在晶格和能级匹配上的优异性，利于提高全钙钛矿光电器件的性能。碱土金属锡酸盐CaSnO3是一类宽禁带钙钛矿结构氧化物，具有n型立方钙钛矿结构，禁带宽度大于3.0eV。但是未掺杂的CaSnO3的电阻率在极高，难以满足应用要求。金属薄膜具有优异的电学导电性，但是其光学透过性极差。本专利技术尝试将CaSnO3和金属薄膜进行复合制备，综合利用这两类材料的各自优势，制备CaSnO3/金属/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜。此外，在常被用来作为中间金属层的材料中，金属Ag相对于Au具有低的电阻率和成本，相对于Cu具有更本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜，通过磁控溅射沉积法制备得到，所述导电薄膜包括上下两层CaSnO3层、CaSnO3层中间夹着Ag层以及透明柔性衬底；所述CaSnO3层的厚度为20nm～50nm，所述Ag层的厚度为7nm～13nm，所述透明柔性衬底可以为聚碳酸酯衬底、聚对苯二甲酸类衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯衬底中任意一种。

【技术特征摘要】
1.一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜，通过磁控溅射沉积法制备得到，所述导电薄膜包括上下两层CaSnO3层、CaSnO3层中间夹着Ag层以及透明柔性衬底；所述CaSnO3层的厚度为20nm～50nm，所述Ag层的厚度为7nm～13nm，所述透明柔性衬底可以为聚碳酸酯衬底、聚对苯二甲酸类衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯衬底中任意一种。2.一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将所述CaSnO3靶材和Ag靶材装入磁控溅射腔体内，靶材与衬底的距离优选为50mm～80mm；(2)先后用去离子水超声清洗透明柔性衬底，并用高纯氮气吹干，放入磁控溅射腔体中；(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至5.0×10-3Pa以下，使用氩气作...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴木营，何林，周晓海，许文杰，
申请(专利权)人：东莞理工学院，
类型：发明
国别省市：广东,44