【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太赫兹超材料生化传感,具体涉及一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件及制备方法。
技术介绍
1、不同于自然材料,超材料是一种负折射率的人为设计材料,具有奇异的光电子学特性。目前,超材料的主要表现形式为亚波长尺度周期性排布的结构单元。当亚波长级别的周期性结构单元与特定频率的tm太赫兹波发生匹配时,就会发生等离子体共振效应,产生强烈的局域电场增强,极大地提升太赫兹传感探测能力。探测灵敏度和品质因数(q值)是衡量太赫兹超材料传感器件性能的两大判据。高探测灵敏度通常表示超材料结构具有显著的局域电场增强能力,而高q值则意味着超材料具有较少的光子能量损失,对微弱的超表面信号变化更为敏感。因此,同时具有高探测灵敏度和高q值的超材料结构无疑具有广泛的应用场景。目前,太赫兹超材料传感器件主要存在以下不足之处:1)难以同时获得高灵敏度和高q值;2)结构复杂,难以加工制备。
技术实现思路
1、本专利技术旨在解决现有太赫兹超材料传感器件的不足,提出一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件及制备方法,采用垂直谐振器
...【技术保护点】
1.一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,包括:等离子金膜衬底和周期性的超材料图形结构;
2.根据权利要求1所述的一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,所述单元胞由垂直分列谐振器和水平中间连接器构成;
3.根据权利要求1所述的一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,所述超材料图形结构的周期宽度范围为3μm~5μm;
4.根据权利要求2所述的一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,两个所述方形柱体谐振器的材质为金,高度和宽度相同,高度变化范围为0.7μm~1μm;宽度变化范围为0.3μm~0.5μm;
>5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,包括:等离子金膜衬底和周期性的超材料图形结构;
2.根据权利要求1所述的一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,所述单元胞由垂直分列谐振器和水平中间连接器构成;
3.根据权利要求1所述的一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,所述超材料图形结构的周期宽度范围为3μm~5μm;
4.根据权利要求2所述的一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件,其特征在于,两个...
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