【技术实现步骤摘要】
一种利用高射频功率溅射制备ITO纳米线及其气体传感器的方法
本专利技术属于气敏传感器领域，特别涉及一种利用高射频功率溅射制备ITO纳米线及其气体传感器的方法。
技术介绍
氧化铟锡(ITO)作为一种新型的传感器材料，具有优异的电学性能以及稳定的物理化学性能，其上的氧元素与气体作用非常敏感，可以显著的提高传感器的灵敏度。目前，一维纳米结构具有大的比表面积，更利于气体的吸附和扩散，使得一维纳米材料在气体传感器有着潜在的优势，其具有的特点是响应速度快、灵敏度高、选择性好、器件性能稳定。现阶段关于ITO的纳米材料的报道主要集中在ITO纳米线，生长机理遵从气液固(VLS，vapor-liquid-solid)机理，目前已经可以通过不同的方法制备ITO纳米线，包括激光脉冲沉积、电子束蒸镀以及热蒸镀，但是这些方法对生长环境要求过高，并且都需要通过催化剂来引导纳米线的生长，这种方法的缺点在于纳米线的形貌受到催化剂性质的影响。而自催化方法生长纳米线可以克服这一缺点，但目前利用磁控溅射制备ITO纳米线采用的是直流溅射和低射频(30W)溅射，生长速率慢，ITO纳米线质量也不高，严重制约着...
【技术保护点】
1.一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：对衬底或陶瓷管进行预处理，然后置于磁控溅射腔中，调整溅射室气压和温度，并通入氩气和氧气的混合气体，利用磁控溅射的方式，在高频条件下轰击ITO靶材磁控溅射，进行一次生长，利用自催化原理在衬底或陶瓷管表面制备一层ITO纳米线。
【技术特征摘要】
1.一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：对衬底或陶瓷管进行预处理，然后置于磁控溅射腔中，调整溅射室气压和温度，并通入氩气和氧气的混合气体，利用磁控溅射的方式，在高频条件下轰击ITO靶材磁控溅射，进行一次生长，利用自催化原理在衬底或陶瓷管表面制备一层ITO纳米线。2.根据权利要求1所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，将预处理过的衬底或陶瓷管放在溅射室托盘上，调整磁控溅射工艺参数：射频功率为250-300W，氩气和氧气的混合气体的比例为Ar2：O2＝25sccm:0.2sccm；溅射室气压为1Pa，温度为500℃。3.根据权利要求1所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，所述加热、保温是指将溅射室加热至500℃后，保温30-50分钟。4.根据权利要求1所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，磁控...
【专利技术属性】
技术研发人员：李强，张袁涛，云峰，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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