【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括集成电路(IC)封装之间的柔性连接器的集成器件相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月10日向美国专利商标局提交的非临时申请No.15/040,881的优先权和权益,其全部内容通过援引纳入于此。背景公开领域各种特征可涉及集成器件,并且尤其涉及包括集成电路(IC)封装之间的柔性连接器的集成器件。
技术介绍
移动设备(诸如智能电话、平板设备、物联网(IoT)等)需要大量组件、芯片组等。通常,这些组件被提供在具有一个或多个集成电路的印刷电路板上。将这些组件一起封装成产品变得越来越具有挑战性,尤其是在具有奇异形状或弯曲形状的器件中。为了适应这些奇异形状或弯曲形状,使用柔性连接器将包括芯片(例如,管芯)的若干印刷电路板耦合在一起。图1解说了包括第一集成电路(IC)封装102、第二集成电路(IC)封装104和柔性连接器106的集成器件100。该第一集成电路(IC)封装102包括印刷电路板(PCB)120和第一芯片122(例如,管芯、管芯封装)。该第二集成电路(IC)封装104包括印刷电路板(PCB)140和第二芯片122(例如,管芯、管芯封装)。第一集成电路(IC)封装10 ...
【技术保护点】
1.一种集成器件,包括:第一集成电路(IC)封装包括:第一管芯;多个第一互连;以及包封所述第一管芯的第一介电层;被耦合到所述第一集成电路(IC)封装的柔性连接器,其中所述柔性连接器包括:所述第一介电层;以及互连;以及被耦合到柔性连接器的第二集成电路(IC)封装,其中所述第二集成电路(IC)封装包括:所述第一介电层;以及多个第二互连,其中所述第一集成电路(IC)封装、所述第二集成电路(IC)封装和所述柔性连接器通过所述第一介电层的至少一部分被耦合在一起。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.10 US 15/040,8811.一种集成器件,包括:第一集成电路(IC)封装包括:第一管芯;多个第一互连;以及包封所述第一管芯的第一介电层;被耦合到所述第一集成电路(IC)封装的柔性连接器,其中所述柔性连接器包括:所述第一介电层;以及互连;以及被耦合到柔性连接器的第二集成电路(IC)封装,其中所述第二集成电路(IC)封装包括:所述第一介电层;以及多个第二互连,其中所述第一集成电路(IC)封装、所述第二集成电路(IC)封装和所述柔性连接器通过所述第一介电层的至少一部分被耦合在一起。2.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一电介质层中由所述第一集成电路(IC)封装、所述第二集成电路(IC)封装和所述柔性连接器共享的所述部分共享所述第一电介质层的毗连部分。3.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述柔性连接器包括虚设金属层。4.如权利要求3所述的集成器件,其特征在于,所述虚设金属层被配置为阻止激光穿透到所述第一介电层的一部分中。5.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第二集成电路(IC)封装包括位于所述第一介电层内的第二管芯。6.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第二集成电路(IC)封装包括位于所述第一介电层上的第二管芯。7.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一集成电路(IC)封装包括位于所述第一介电层上的第二管芯。8.如权利要求7所述的集成器件,其特征在于,所述第一管芯为第一管芯封装而所述第二管芯为第二管芯封装,并且其中所述第一集成电路(IC)封装包括层叠封装(PoP)器件。9.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一介电层包括聚酰亚胺(PI)层。10.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一介电层包括多个介电层。11.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述柔性连接器是层叠封装连接器。12.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述柔性连接器被配置为允许电信号在所述第一集成电路(IC)封装与所述第二集成电路(IC)封装之间穿过,同时绕过印刷电路板(PCB)。13.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述集成器件被集成到从包括以下各项的组中选择的设备中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、膝上型计算机、服务器、以及机动车中的设备。14.一种装置,包括:第一集成电路(IC)封装包括:第一管芯;多个第一互连;以及包封所述第一管芯的第一介电层;被耦合到所述第一集成电路(IC)封装的用于电连接的装置;被耦合用于电连接的装置的第二集成电路(IC)封装,其中所述第二集成电路(IC)封装包括:所述第一介电层;以及多个第二互连,其中所述第一集成电路(IC)封装、所述第二集成电路(IC)封装和所述用于电连接的装置通过所述第一介电层的至少一部分被耦合在一起。15.如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述第一电介质层中由所述第一集成电路...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·B·蔚,J·S·李,D·W·金,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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