石墨膜以及石墨带制造技术

提供一种石墨膜，其面积为1×1cm2以上，厚度为10nm～10μm，膜面方向的电导率为400S/cm以上，表面的算术平均粗糙度Ra相对于厚度的比率为1.0～600或为0.3以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】石墨膜以及石墨带
本专利技术涉及石墨膜以及石墨带等石墨产品，尤其涉及电导率为400S/cm以上的高品质的石墨产品。
技术介绍
高品质的石墨膜能够发挥极高的耐热性、电导率、耐电流密度等，适宜作为发光设备的发光体、灯丝、高载流量(Ampacity)的高耐热导线、电阻式发热体等而使用。在这些用途中，多数情况下，石墨膜会达到900℃以上等非常高的温度，支承构件与石墨膜的大部分持续接触时，支承构件会变得不耐热。在这样的情况下，通过将石墨膜仅在其端部、外周部等一部分固定在支承构件上，以悬空的状态使用，从而保护支承构件不受热的影响。而对于石墨膜自身，要求即便在仅一部分被支承，剩余部分处于悬空的状态下也显示高耐久性。对于使高品质的石墨膜处于悬空的状态下的耐久性，在将该石墨膜用于以下情况下时特别要求该耐久性：在要照射强红外线、紫外线、X射线、激光、离子束、质子束、负极性氢离子束、中子束、电子束等的装置、分析方法、加工方法中，用作防护膜、反射构件、支承基板、吸收构件、透过构件、衍射构件、传感器、热扩散构件、被检测体、被加工物等。进而，强烈要求提高石墨膜对加热、加热/冷却的循环(热循环)的耐久性。另外，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨膜，其特征在于，其面积为1×1cm2以上，厚度为10nm～10μm，膜面方向的电导率为400S/cm以上，表面的算术平均粗糙度Ra相对于厚度的比率为1.0～600或为0.3以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.29 JP 2016-0150821.一种石墨膜，其特征在于，其面积为1×1cm2以上，厚度为10nm～10μm，膜面方向的电导率为400S/cm以上，表面的算术平均粗糙度Ra相对于厚度的比率为1.0～600或为0.3以下。2.根据权利要求1所述的石墨膜，其中，测定多个位置的算术平均粗糙度Ra时的各个位置的值相对于根据在所有多个位置的测定结果求出的Ra的平均值在±25％以内。3.根据权利要求1或2所述的石墨膜，其密度为1.5g/cm3以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的石墨膜，其中，在膜的表面与背面两者都进入视野、相对于膜面为垂直方向的截面SEM图像中，在所述石墨膜的截面积的70％以上的面积观察到与膜面平行的层层叠而成的没有空隙的层结构。5.一种权利要求1～4中任一项所述的石墨膜的制造方法，其包含通过将高分子膜碳化以及石墨化从而得到石墨膜的工序，根据需要包含将得到的石墨膜再一次在石墨化温度下进行处理的再石墨化工序，在所述碳化、石墨化、以及再石墨化的至少一个处理中，在要处理的高分子膜、碳化膜、或石墨膜的两面与压板之间配置间隔物，一边从两侧用压板以0.3gf/cm2以上且2500gf/cm2以下的压力对所述高分子膜、碳化膜、或石墨膜进行压制，一边在碳化温度、石墨化温度、或再石墨化温度下...

【专利技术属性】
技术研发人员：立花正满，多多见笃，村上睦明，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：日本,JP