QLED发光显示器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种QLED发光显示器件及其制备方法，所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述像素定义层上还设有用于分隔像素区域的隔离柱。通过本发明专利技术的QLED发光显示器件的制备方法制备的QLED发光显示器件，减少了空穴传输层的制备，使得量子点发光层在制备过程中可有效形成像素显示图形，解决了QLED发光显示器件不能图形化的问题，同时提高了QLED发光显示器件的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
QLED发光显示器件及其制备方法
本专利技术涉及一种QLED发光显示器件及其制备方法，属于显示

技术介绍
量子点(quantumdot，简称QD)是一种有Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族或Ⅳ-Ⅵ族元素组成的纳米颗粒，受激发后可以发射荧光；同时，由于量子点材料还具有光色纯度高、发光效率高、使用寿命长等一系列优点，是一种很好的电致发光材料，在近年来被广泛使用在显示器件的制备中。现有技术中，基于量子点的电致发光器件(QLED)通常采用类似三明治的层叠结构，请参阅图1所示，现有技术中的QLED通常具有阳极层10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40以及阴极50。然而现有技术中的QLED由于设有空穴传输层20，而空穴传输层20在制备及使用过程中需要避免接触水氧，因此QLED在制备过程中量子点发光层30无法进行有效的刻蚀，致使现有技术中的QLED存在图形化问题，无法实现QLED发光显示器件的显示效果。有鉴于此，确有必要提供一种新的QLED发光显示器件，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QLED发光显示器件及其制备方法，使用本专利技术的本专利技术的QLED发光显示器件的制备方法制得的QLED发光显示器件有效的解决了QLED图形化程度低的问题，并进一步提高了QLED发光显示器件的显示效果。为实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种QLED发光显示器件，所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述QLED发光显示器件还设有用于分隔所述像素定义层的隔离柱，所述量子点发光层、电子传输层、阴极层依次制备在所述隔离柱分隔形成的区域内，以形成于像素区域。作为本专利技术的进一步改进，所述阳极层及所述像素定义层之间还设有引线层，所述引线层采用钼铝钼材料制成。作为本专利技术的进一步改进，所述阳极层上刻蚀有阳极图案，所述引线层上刻蚀有与所述阳极图案对应设置的引线图案，且所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀而成。作为本专利技术的进一步改进，所述引线图案与所述阳极图案分别刻蚀而成。作为本专利技术的进一步改进，所述像素定义层为采用聚酰亚胺材料制成的带状像素定义层。作为本专利技术的进一步改进，所述阳极层为ITO层；所述量子点发光层采用硒化镉材料制成；所述电子传输层采用氧化锌材料制成。作为本专利技术的进一步改进，所述QLED发光显示器件为顶发光QLED发光显示器件，所述阳极层为ITO膜和Ag膜复合结构；所述阴极层为ITO层或Mg/Ag混合层。作为本专利技术的进一步改进，所述QLED发光显示器件为透明QLED发光显示器件，所述阳极层为透明ITO层，所述阴极层为透明ITO层或透明Mg/Ag混合层。为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供了一种QLED发光显示器件的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一衬底，在所述衬底上制备阳极层，并对所述阳极层进行刻蚀制备阳极图案；S2、在所述阳极层上分别制备像素定义层及隔离柱，并分别曝光显影定义像素区域；S3、依次在所述像素定义层上制备量子点发光层、电子传输层及阴极层，制备形成发光单元；S4、对所述发光单元进行封装形成封装层，并最终制备QLED发光显示器件。作为本专利技术的进一步改进，所述发光单元可采用UV封装方法、Frit封装方法及TFT封装方法中的任意一种方法进行封装。本专利技术的有益效果是：通过本专利技术的QLED发光显示器件的制备方法制备的QLED发光显示器件，减少了空穴传输层的制备，使得量子点发光层在制备过程中可有效形成像素显示图形，解决了QLED发光显示器件不能图形化的问题，同时提高了QLED发光显示器件的显示效果。附图说明图1是现有技术中QLED发光显示器件的结构示意图。图2是本专利技术QLED发光显示器件的结构示意图。图3是本专利技术QLED发光显示器件的制备方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述。请参阅图2所示，本专利技术揭示了一种QLED发光显示器件100，包括由下至上依次排布的衬底1、阳极层2、像素定义层3、量子点发光层4、电子传输层5、阴极层6、及封装层7；进一步的，所述像素定义层3上还设有用于分隔像素区域(未图示)的隔离柱(未图示)。在本专利技术中所述衬底1既可为硬质衬底也可为柔性衬底，进一步的，当所述衬底1为硬质衬底时，所述衬底1可为ITO玻璃衬底。所述阳极层2为ITO层，且当所述衬底1为ITO玻璃衬底时，所述阳极层2与所述衬底1层可为一体成型设置。进一步的，所述阳极层2上还刻蚀有阳极图案，在本专利技术中，所述阳极图案通过干刻的方式刻蚀而成，当然，在其它实施例中所述阳极图案还可通过其它刻蚀方式刻蚀形成。所述像素定义层3设置在所述阳极层2远离所述衬底1的一侧，且所述像素定义层3上还设有均匀分布的隔离柱，所述隔离柱将所述像素定义层3均匀分隔，以形成像素区域。进一步的，所述像素定义层3和所述隔离柱还需要分别曝光显影，以在所述像素定义层3和所述隔离柱上形成所需图形，以最终实现所述QLED发光显示器件100的显示效果。特别地，在本专利技术的一个实施例中，所述像素定义层3为采用聚酰亚胺(PI)材料制成的带状像素定义层，如此设置可降低所述像素定义层3和所述隔离柱组合制备时的难度，提高所述QLED发光显示器件100的制备效率。在本专利技术中，所述阳极层2和所述像素定义层3之间还设有引线层8，所述引线层8的设置可作为阳极层2向外导电的引线，以达到降低阳极层2电阻的目的，进一步降低QLED发光显示器件100的能耗，提高QLED发光显示器件100的光电转换效率。所述引线层8上还刻蚀有与所述阳极层2上的阳极图案对应设置的引线图案，且所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀而成，具体来讲，所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀时，可在所述阳极层2制备结束后，直接在所述阳极层2上制备引线层8，然后对所述阳极层2和所述引线层8同时进行刻蚀，使得所述阳极层2和所述引线层8上同时制备形成相同的阳极图案和引线图案。当然在其他实施例中，所述引线图案与所述阳极图案分别刻蚀而成；即首先制备阳极层2并在阳极层2上制备阳极图案，然后制备所述引线层8并在所述引线层8上制备与所述阳极图案对应的印象图案，完成阳极层2和引线层8的制备。需要说明的是，在本专利技术中，所述引线层8采用钼铝钼材料制成，当然在其他实施例中，所述引线层8还可采用其它导电材料制成。所述量子点发光层4设置在所述像素定义层3和所述隔离柱构成的像素区域中，具体来讲，所述量子点发光层4为量子点溶液以印刷或其它方式均匀的涂覆在所述像素区域内，使得量子点发光层5在制备过程中可有效形成像素显示图形。进一步的，在本专利技术的一个实施例中，所述量子点发光层4为采用硒化镉(CdSe)材料制成的量子点发光层4。当然，在本专利技术的其他实施例中，所述量子点发光层4的制备材料还可为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如硫化镉(CdS)、硫化镉/硫化锌混合物(CdS/ZnS)、硒化镉/硫化锌混合物(CdSe/ZnS)或硒化镉/硫化镉/硫化锌混合物(CdSe/CdS/ZnS)等；或者Ⅲ-Ⅴ族或Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如砷化镓(GaAs)、InP(磷化铟)、硫化铅/硫化锌混合物(PbS/ZnS)或硒化铅/硫化锌混合物(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED发光显示器件，其特征在于：所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述QLED发光显示器件还设有用于分隔所述像素定义层的隔离柱，所述量子点发光层、电子传输层、阴极层依次制备在所述隔离柱分隔形成的区域内，以形成于像素区域。

【技术特征摘要】
1.一种QLED发光显示器件，其特征在于：所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述QLED发光显示器件还设有用于分隔所述像素定义层的隔离柱，所述量子点发光层、电子传输层、阴极层依次制备在所述隔离柱分隔形成的区域内，以形成于像素区域。2.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述阳极层及所述像素定义层之间还设有引线层，所述引线层采用钼铝钼材料制成。3.根据权利要求2所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述阳极层上刻蚀有阳极图案，所述引线层上刻蚀有与所述阳极图案对应设置的引线图案，且所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀而成。4.根据权利要求3所述的QLED发光显示器件的制备方法，其特征在于：所述引线图案与所述阳极图案分别刻蚀而成。5.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述像素定义层为采用聚酰亚胺材料制成的带状像素定义层。6.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述阳极层为ITO层；所述量子点发光层采用硒化镉材...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴疆，
申请(专利权)人：上海瀚莅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31