OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统技术方案

本发明专利技术提供了一种OLED薄膜封装系统，用于封装OLED器件，包括原子层沉积技术装置、待封装OLED器件、掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源。所述待封装OLED器件包括基板及OLED层。所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。使用该OLED薄膜封装系统的OLED薄膜封装工艺使用照射源通过所述通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统
本专利技术涉及有机光电器件
，尤其涉及一种OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)器件具有响应速度快、视角宽、亮度高、低功耗等优异性能，并且为自发光器件，被认为是具有很大发展前景的下一代显示技术。硅基微显示器是一种高PPI(PixelsPerInch)显示器件，其封装方式依旧沿用盖板式、Frit和薄膜封装(ThinFilmEncapsulation)三种方式。综合三种方式的优缺点，薄膜封装比较适合硅基微显示器。原子层沉积技术，是利用反应前驱体与衬底之间的气-固相反应，来完成薄膜工艺上的需求，由于在工艺上技术可以满足非常高精度要求，因此被人们视为一种先进的半导体工艺技术。原子层沉积技术反应过程由两个半反应构成，第一个半反应是有机物与基板化学键结合，后一个半反应是等离子气体与有机物反应生成副产物与膜材分子。采用ALD得到的膜层具有超薄、致密、覆盖率高等特点，广泛应用于OLED薄膜封装。请参图1所示，目前，在ALD沉积工艺中，掩膜板(Mask)10放置于基板20上方，由于膜材分子30的钻孔能力很强，往往会穿过掩膜板10与基板20之间的间隙，在不需要沉积薄膜的Bonding区40沉积一层薄膜层，导致无法实现贴合(Bonding)，影响后端模组工段。通常需要通过干刻曝光等工艺剥离该薄膜层，增加了设备投资成本及工艺环节，提高了生产成本。有鉴于此，有必要设计一种改进的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够阻止Bonding区沉积薄膜层的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统。为实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S5包括如下步骤：S51，所述前驱体与所述基板化学键结合；S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子，所述膜材分子沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区，所述照射源将所述前驱体分解，所述Bonding区无薄膜封装层生成。作为本专利技术的进一步改进，所述照射源为UV光或者电子束。作为本专利技术的进一步改进，所述OLED薄膜封装工艺还包括以下步骤：S6，向原子层沉积技术装置中通入惰性气体，以清洗所述原子层沉积技术装置内部。作为本专利技术的进一步改进，在所述步骤S6中，所述步骤S52中被分解的前驱体的分解产物随惰性气体排出。作为本专利技术的进一步改进，所述前驱体为有机物。为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供了一种OLED薄膜封装系统，用于封装OLED器件，所述OLED薄膜封装系统包括原子层沉积技术装置、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源；所述待封装OLED器件包括基板及设于所述基板上的OLED层；所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域；所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。作为本专利技术的进一步改进，所述照射源为UV光或者电子束。本专利技术的有益效果是：本专利技术通过在掩膜板上设置与基板的Bonding区相对应的通孔，使用照射源通过该通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。附图说明图1为现有技术中掩膜板与基板对位时的结构示意图。图2为本专利技术OLED薄膜封装工艺的流程图。图3为本专利技术OLED薄膜封装系统中掩膜板与基板对位时的结构示意图。图4为图3中掩膜板的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。另外，还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。请参阅图2至图4所示，一种OLED薄膜封装系统200，用于封装OLED器件。所述OLED薄膜封装系统100包括原子层沉积技术装置(未图示)、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板100以及放置于所述掩膜板100上方的照射源(未标号)。所述待封装OLED器件包括基板20及设于所述基板20上的OLED层(未图示)。所述掩膜板100包括镂空部101和遮盖部102，所述镂空部101包括用以在所述基板20上形成薄膜封装层的开孔1011，所述基板20上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部102用以遮盖所述基板20的非薄膜封装区域，所述遮盖部102设有通孔1021，且在所述掩膜板100与所述基板20对位时，所述通孔1021与所述基板20的Bonding区40相对应。如此设置，所述照射源可以通过所述通孔1021照射所述Bonding区40。以下对使用所述OLED薄膜封装系统200封装OLED器件的OLED薄膜封装工艺进行描述：一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板20及OLED层(未图示)，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；S2，提供掩膜板100，所述掩膜板100包括镂空部101和遮盖部102，所述镂空部101包括用以控制在所述基板20上形成薄膜封装层的开孔1011，所述基板20上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部102用以遮盖所述基板20的非薄膜封装区域，所述遮盖部102设有通孔1021，将所述掩膜板100与所述基板20相对放置，当所述掩膜板100与所述基板20对位时，所述通孔1021的位置与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。

【技术特征摘要】
1.一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。2.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于，所述步骤S5包括如下步骤：S51，所述前驱体与所述基板化学键结合；S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子，所述膜材分子沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区，所述照射源将所述前驱体分解，所述Bonding区无薄膜封装层生成。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴疆，
申请(专利权)人：上海瀚莅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31