一种薄膜电阻的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜电阻的制备方法，包括如下步骤：S01：提供表面覆盖有绝缘层的衬底；S02：在衬底上沉积并图形化薄膜电阻材料层；S03：在衬底和薄膜电阻材料层上依次淀积金属电极材料层和硬掩膜层；S04：采用干法刻蚀图形化硬掩膜层并停止于所述金属电极材料层，完全去除所述金属电极材料层台阶处以及台阶之间的硬掩膜层；S05：采用还原性气体处理暴露出来的金属电极材料层表面；S06：采用各向同性刻蚀图形化金属电极材料，去除上述暴露出来的金属电极材料层，形成薄膜电阻。本发明专利技术提供的一种薄膜电阻的制备方法，可以避免薄膜电阻的过刻蚀和金属电极的刻蚀残留问题，提高薄膜电阻的精度和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜电阻的制备方法
本专利技术涉及半导体加工制造领域，具体涉及一种薄膜电阻的制备方法。
技术介绍
随着现代电子设备性能要求越来越高，对芯片上元器件的性能要求也越来越苛刻。在现代大规模集成电路芯片、传感器芯片中，薄膜电阻是一种不可或缺的器件，包括芯片片上的分压电阻、热敏电阻、光敏电阻等，薄膜电阻的精度也直接影响先进芯片的精度和性能。如图1所示为现有技术中一种薄膜电阻的主要结构示意图，其制造方法主要包括：首先，提供一覆盖有绝缘层的硅片作为衬底101，在衬底上淀积薄膜电阻材料102并图形化，接着在衬底和薄膜电阻材料上继续淀积金属电极材料103，最后采用干法刻蚀图形化电极材料形成薄膜电阻。在该现有技术中，由于采用干法刻蚀工艺刻蚀电极材料，为了避免台阶处的金属电极残留需要增加额外的过刻蚀量，使得薄膜电阻材料102也会被同时过刻蚀，从而影响薄膜电阻的精度，降低薄膜电阻的可靠性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题为提供一种薄膜电阻的制备方法，可以避免薄膜电阻的过刻蚀和金属电极的刻蚀残留问题，提高薄膜电阻的精度和可靠性。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种薄膜电阻的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：提供表面覆盖有绝缘层的衬底；S02：在衬底上沉积并图形化薄膜电阻材料层；S03：在衬底和薄膜电阻材料层上依次淀积金属电极材料层和硬掩膜层；S04：采用干法刻蚀图形化硬掩膜层并停止于所述金属电极材料层，完全去除所述金属电极材料层台阶处以及台阶之间的硬掩膜层；其中，所述金属电极材料层台阶处指的是所述薄膜电阻材料层被图形化后所形成的台阶；S05：采用还原性气体处理暴露出来的金属电极材料层表面；S06：采用各向同性刻蚀图形化金属电极材料，去除上述暴露出来的金属电极材料层，形成薄膜电阻。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：提供表面覆盖有绝缘层的衬底；S02：在衬底上沉积并图形化薄膜电阻材料层；S03：在衬底和薄膜电阻材料层上依次淀积金属电极材料层和硬掩膜层；S04：采用干法刻蚀图形化硬掩膜层并停止于所述金属电极材料层，完全去除所述金属电极材料层台阶处以及台阶之间的硬掩膜层；其中，所述金属电极材料层台阶处指的是所述薄膜电阻材料层被图形化后所形成的台阶；S05：采用还原性气体处理暴露出来的金属电极材料层表面；S06：采用各向同性刻蚀图形化金属电极材料，去除上述暴露出来的金属电极材料层，形成薄膜电阻。2.根据权利要求1所述的一种薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述步骤S02中薄膜电阻材料层为掺杂的多晶硅或掺杂的非晶硅。3.根据权利要求1所述的一种薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述金属电极材料层为Ti、TiN...

【专利技术属性】
技术研发人员：左青云，康晓旭，李铭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31