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本发明公开了一种薄膜电阻的制备方法，包括如下步骤：S01：提供表面覆盖有绝缘层的衬底；S02：在衬底上沉积并图形化薄膜电阻材料层；S03：在衬底和薄膜电阻材料层上依次淀积金属电极材料层和硬掩膜层；S04：采用干法刻蚀图形化硬掩膜层并停止于所...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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