用于评估互连结构的特性的方法技术

本发明专利技术提供了一种评估互连结构的特性的方法。所述方法包括以下步骤：测量所述互连结构中的包括阻挡层和低介电常数材料层的叠层体的椭偏光学参数；采用双层模型对所测得的叠层体的椭偏光学参数结果进行拟合，以计算所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值；将低介电常数材料的原始特征值和计算得到的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值进行比较；根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的量。本发明专利技术的方法简单、快速且无损。而且，相比于现有技术，本发明专利技术的方法不仅可以提供有关金属渗透的信息，还可以提供关于低k损伤和水分吸附的信息。

【技术实现步骤摘要】
用于评估互连结构的特性的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种简单、快速且无损的评估互连结构的特性的方法。
技术介绍
在先进的互连结构中用铜(Cu)取代铝(Al)是为了减少互连电阻并提高电迁移性能。铝是一种能自我钝化的材料，具有非常稳定的自然氧化层，可以防止铝表面被污染或防止铝扩散到周围的电介质中。相反，铜自然氧化层却容易被剥离成片状碎屑，造成铜的进一步腐蚀，同时使铜扩散到周围介质中。因此，Cu在硅中具有很高的扩散系数，它可以在沉积时产生深陷阱状态和/或短路。因此，为了防止Cu扩散到周围的低k(介电常数)和活性硅中，必须在它们之间设有阻挡层。同时，减小阻挡层的厚度以减小它们对互连结构的总RC(R是金属导体的电阻率，C是电容)延迟(阻容效应)的影响是非常重要的。然而，减小阻挡层的厚度与低k电介质的孔径的增加相矛盾，因为大孔径明显要求较厚的阻挡层以覆盖孔隙。此外，大孔径还允许阻挡层前体在低k孔内的更显着的穿透和沉积以及由用于阻挡层沉积的等离子体中产生的活性物质和真空紫外(VUV)光子造成的损伤。例如，金属阻挡层的物理气相沉积(PVD)使用氩或氮离子溅射金属靶。因此，现有工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于评估互连结构的特性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：测量所述互连结构中的包括阻挡层和低介电常数材料层的叠层体的椭偏光学参数；采用双层模型对所测得的椭偏光学参数结果进行拟合，以计算所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值；将低介电常数材料的原始特征值和计算得到的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值进行比较；根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的量。

【技术特征摘要】
1.一种用于评估互连结构的特性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：测量所述互连结构中的包括阻挡层和低介电常数材料层的叠层体的椭偏光学参数；采用双层模型对所测得的椭偏光学参数结果进行拟合，以计算所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值；将低介电常数材料的原始特征值和计算得到的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值进行比较；根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的量之后，所述方法还包括以下步骤：对所述叠层体进行退火处理；测量退火之后的所述叠层体的椭偏光学参数；采用双层模型对所测得的退火之后的叠层体的椭偏光学参数结果进行拟合，以计算退火之后的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值；将退火之前和之后的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值进行比较；根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的成分。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据比较...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫江，王晓磊，
申请(专利权)人：北方工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11