一种故障注入系统技术方案

技术编号:19051155 阅读:420 留言:0更新日期:2018-09-29 11:13
本实用新型专利技术公开一种故障注入系统,包括:故障注入执行模块、以及分别连接故障注入执行模块的故障注入电阻仿真模块和故障路由模块;故障路由模块分别连接待测控制器和负载;故障注入执行模块分别接地和电源,故障注入执行模块包括MOS管,以实现虚接的故障条件类型;故障注入电阻仿真模块包括电阻,以实现配电组的故障条件类型。不仅实现了传统的开路和短路故障注入,同时还能够实现虚接和配电阻的故障注入,提供了更多的故障条件类型。

【技术实现步骤摘要】
一种故障注入系统
本技术涉及控制器测试领域,更具体地说,涉及一种故障注入系统。
技术介绍
随着人们生活水平的提高,汽车已成为普通家庭的必备交通工具。因此,汽车的安全性也越来越为人们所关注。控制器作为汽车上的核心电子器件,需要对其进行严格测试。通过故障注入设备为控制器制造故障条件,测试其读取故障码的功能,在控制器的测试过程中是一个非常重要的环节。但是,目前的故障注入设备只能通过继电器实现对地短路、对电源短路、对电源开路和对地开路故障,即仅能实现较简单的故障条件类型,
技术实现思路
有鉴于此,本技术提出一种故障注入系统,欲实现提供更多故障条件类型的目的。为了实现上述目的,现提出的方案如下:一种故障注入系统,包括:故障注入执行模块、以及分别连接所述故障注入执行模块的故障注入电阻仿真模块和故障路由模块;所述故障路由模块分别连接待测控制器和负载;所述故障注入执行模块分别接地和电源,所述故障注入执行模块包括MOS管,以实现虚接的故障条件类型;所述故障注入电阻仿真模块包括电阻,以实现配电组的故障条件类型。可选的,所述故障路由模块,包括:第一电子开关、第一驱动电路以及第一MCU(MicrocontrollerUnit,微控制单元);所述第一电子开关分别连接所述待测控制器和所述负载;所述第一MCU通过所述第一驱动电路控制所述第一电子开关的通断。可选的,所述故障路由模块的数量为多个,每个所述故障路由模块分别与所述故障注入执行模块连接。可选的,所述第一电子开关的数量为多个;每个所述第一电子开关分别连接一个所述待测控制器和一个所述负载。可选的,所述电阻为可调电阻,所述故障注入电阻仿真模块,还包括:第二电子开关、第二驱动电路和第二MCU;所述可调电阻和所述第二电子开关串联;所述第二MCU通过所述第二驱动电路控制所述第二电子开关的通断,以及控制所述可调电阻的阻值。可选的,所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管,所述故障注入执行模块,还包括:第三电子开关、第四电子开关、第三驱动电路和第三MCU;所述第三MCU通过所述第三驱动电路分别控制所述第三电子开关、所述第四电子开关、所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管、所述第五MOS管、所述第六MOS管的通断;所述第一电子开关、所述第三电子开关、所述可调电阻、所述第二电子开关、所述第六MOS管、所述第四电子开关依次相连形成闭环;所述第一电子开关和所述第三电子开关的连接点与待测控制器相连;所述第一电子开关和所述第四电子开关的连接点与负载相连;所述第五MOS管的一端,与所述第三电子开关和所述可调电阻的连接点相连,所述第五MOS管的另一端,与所述第四电子开关和所述第六MOS管的连接点相连;所述第一MOS管的一端接电源,所述第一MOS管的另一端,与所述第三电子开关和所述可调电阻的连接点相连;所述第二MOS管的一端接地,所述第二MOS管的另一端,与所述第三电子开关和所述可调电阻的连接点相连;所述第三MOS管的一端接电源,所述第三MOS管的另一端,与所述第四电子开关和所述第六MOS管的连接点相连;所述第四MOS管的一端接地,所述第四MOS管的另一端,与所述第四电子开关和所述第六MOS管的连接点相连。可选的,所述系统还包括:与所述故障注入执行模块连接的上位机。可选的,所述上位机和所述故障注入执行模块之间通过RS485总线、RS232总线或CAN总线连接。可选的,所述故障注入系统还包括:背板;所述故障注入执行模块、所述故障注入电阻仿真模块和所述故障路由模块均设置所述背板上。可选的,所述背板、所述故障注入执行模块、所述故障注入电阻仿真模块、以及所述故障路由模块之间通过接插件连接。与现有技术相比,本技术的技术方案具有以下优点:上述技术方案提供的故障注入系统,包括:故障注入执行模块、以及分别连接故障注入执行模块的故障注入电阻仿真模块和故障路由模块;故障路由模块分别连接待测控制器和负载;故障注入执行模块分别接地和电源,故障注入执行模块包括MOS管,以实现虚接的故障条件类型;故障注入电阻仿真模块包括电阻,以实现配电组的故障条件类型。不仅实现了传统的开路和短路故障注入,同时还能够实现虚接和配电阻的故障注入,提供了更多的故障条件类型。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种故障注入系统的结构示意图;图2为本技术实施例提供的一种故障路由模块的电路连接示意图;图3为本技术实施例提供的一种故障注入电阻仿真模块的电路连接示意图;图4为本技术实施例提供的一种故障注入执行模块的电路连接示意图;图5为本技术实施例提供的故障注入系统中各模块之间的连接结构示意图;图6为本技术实施例提供的故障注入背板的电路连接示意图;图7为本技术实施例提供的一种故障注入系统的电路连接示意图;图8为本技术实施例提供的一种多故障注入系统的结构示意图;图9为本技术实施例提供的一个虚接的时间序列示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。本实施例提供一种故障注入系统,参见图1所示,该系统包括:故障注入执行模块11、以及分别连接故障注入执行模块11的故障注入电阻仿真模块12和故障路由模块13。故障路由模块13分别连接待测控制器14和负载15;故障注入执行模块11分别接地和电源16,故障注入执行模块11包括MOS管,以实现虚接的故障条件类型;故障注入电阻仿真模块12包括电阻,以实现配电组的故障条件类型。图2示出了故障路由模块13的电路连接示意图。故障路由模块13包括图中示出的多个第一电子开关Relay1、……、Relay10等,以及图中未示出的第一驱动电路和第一MCU。第一MCU的型号具体可以但不限于为S9S12G48F1VLC。第一MCU通过第一驱动电路分别控制各个第一电子开关的通断。具体的第一电子开关可以但不限于为继电器。第一电子开关通过接插件1与ECU(ElectronicControlUnit,电子控制单元)1、……、ECU10等连接,通过接插件2与load1……、load10等连接,以及通过接插件8与故障注入执行模块13中的接插件3连接。接插件3可以参见图4所示。ECU1、……、ECU10等即为待测控制器14;load1、……load10等即为负载15。在本文中,Fail_H表示高电平线路、Fail_L表示低电平线路。本实施例示出的故障路由模块13的电路结构中第一电子开关、待测控制器和负载的数量均为10个,实现了10个通道故障注入;需要说明的是,对于故障路由模块13实现多少个通道的故障注入主要跟模块大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种故障注入系统,其特征在于,包括:故障注入执行模块、以及分别连接所述故障注入执行模块的故障注入电阻仿真模块和故障路由模块;所述故障路由模块分别连接待测控制器和负载;所述故障注入执行模块分别接地和电源,所述故障注入执行模块包括MOS管,以实现虚接的故障条件类型;所述故障注入电阻仿真模块包括电阻,以实现配电组的故障条件类型。

【技术特征摘要】
1.一种故障注入系统,其特征在于,包括:故障注入执行模块、以及分别连接所述故障注入执行模块的故障注入电阻仿真模块和故障路由模块;所述故障路由模块分别连接待测控制器和负载;所述故障注入执行模块分别接地和电源,所述故障注入执行模块包括MOS管,以实现虚接的故障条件类型;所述故障注入电阻仿真模块包括电阻,以实现配电组的故障条件类型。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述故障路由模块,包括:第一电子开关、第一驱动电路以及第一MCU;所述第一电子开关分别连接所述待测控制器和所述负载;所述第一MCU通过所述第一驱动电路控制所述第一电子开关的通断。3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述故障路由模块的数量为多个,每个所述故障路由模块分别与所述故障注入执行模块连接。4.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述第一电子开关的数量为多个;每个所述第一电子开关分别连接一个所述待测控制器和一个所述负载。5.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述电阻为可调电阻,所述故障注入电阻仿真模块,还包括:第二电子开关、第二驱动电路和第二MCU;所述可调电阻和所述第二电子开关串联;所述第二MCU通过所述第二驱动电路控制所述第二电子开关的通断,以及控制所述可调电阻的阻值。6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管,所述故障注入执行模块,还包括:第三电子开关、第四电子开关、第三驱动电路和第三MCU;所述第三MCU通过所述第三驱动电路分别控制所述第三电子开关、所述第四电子开关、所述第一MOS管、所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:张少锑任晓辉
申请(专利权)人:北京经纬恒润科技有限公司
类型:新型
国别省市:北京,11

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