薄膜倒装封装及薄膜倒装封装的制造方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜倒装封装，其包括基底膜、图案化线路层、阻焊层、芯片及石墨薄片。基底膜包括第一表面及位于第一表面上的安装区域。图案化线路层设置在第一表面上。阻焊层部分地覆盖图案化线路层。芯片设置在安装区域上并且电连接到图案化线路层。石墨薄片覆盖阻焊层的至少一部分，其中石墨薄片的外缘与阻焊层的外缘对齐。

【技术实现步骤摘要】
薄膜倒装封装及薄膜倒装封装的制造方法
本专利技术涉及一种倒装封装及倒装封装的制造方法，且特别是涉及一种薄膜倒装封装及薄膜倒装封装的制造方法。
技术介绍
在半导体生产中，集成电路(integratedcircuit，IC)的制作可以分成三个不同阶段，即，芯片制造阶段、集成电路制造阶段及IC封装阶段，例如，应用薄膜倒装(chip-on-film，COF)封装。为了增大从COF封装的芯片中热量的耗散，在芯片经由凸块电连接到薄膜之后通常使用导热胶将散热片贴合到基底膜的顶部表面以覆盖整个芯片或者将散热片贴合到与芯片相对的基底膜的底部表面。在现有技术中，在将散热片贴合在薄膜上以用于覆盖芯片的制作工艺中，很难使得散热片及芯片紧密地贴合在一起，因此空气通常存在于芯片与散热片之间的间隙内。因此，在之后的热处理期间，被困在芯片与散热片之间的空气会膨胀，因而使得散热片与芯片分离并且降低芯片封装的可靠性。此外，由于空气的导热性实际上较低，所以被困在芯片与散热片之间的空间中的空气更会影响从芯片中产生的热量传导到散热片的效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜倒装封装及其制造方法，其薄膜倒装封装具有良好的散热效果。本专利技术的一种薄膜倒装封装包括基底膜、图案化线路层、阻焊层、芯片以及石墨薄片。基底膜包括第一表面以及位于第一表面上的安装区域。图案化线路层设置在第一表面上。阻焊层部分地覆盖图案化线路层。芯片设置在安装区域上并且电连接到图案化线路层。石墨薄片覆盖阻焊层的至少一部分，其中石墨薄片的外缘与阻焊层的外缘对齐。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片还包括暴露芯片的至少一部分的开口。在本专利技术的一实施例中，上述的开口完全地暴露芯片的上表面以及多个侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片覆盖芯片的上表面的至少一部分并且开口完全地暴露芯片的两个侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述的开口暴露芯片的多个侧表面的至少一部分。在本专利技术的一实施例中，上述的开口暴露芯片的两个短侧表面的至少一部分。在本专利技术的一实施例中，上述的开口完全地暴露芯片的两个短侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述的开口暴露芯片的两个长侧表面的至少一部分。在本专利技术的一实施例中，上述的开口完全地暴露芯片的两个长侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述的开口暴露芯片的上表面的一部分。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片完全地覆盖芯片的上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的开口完全地暴露芯片的上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片的外缘与阻焊层的外缘之间的距离等于或小于1mm。在本专利技术的一实施例中，上述的图案化线路层延伸到安装区域并且阻焊层暴露出延伸到安装区域的图案化线路层的一部分。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片安装在延伸到安装区域的图案化线路层的部分上。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片的开口暴露出延伸到安装区域的图案化线路层的部分。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜倒装封装还包括填充在芯片与基底膜之间的底部填充胶，并且开口暴露底部填充胶。在本专利技术的一实施例中，上述的开口暴露芯片的整个上表面并且于开口与芯片的侧表面之间存在间隙。在本专利技术的一实施例中，上述的间隙的宽度等于或大于2毫米(mm)。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片的厚度介于17微米(μm)到20微米(μm)的范围。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜倒装封装还包括设置在石墨薄片的接合表面上的粘合层，并且接合表面是通过黏合层贴合到阻焊层的表面。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜倒装封装还包括背面石墨薄片，其设置在与基底膜的第一表面相对的基底膜的第二表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的背面石墨薄片沿着基底膜的法线方向与至少安装区域重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的背面石墨薄片的外缘与阻焊层的外缘对齐。本专利技术的一种薄膜倒装封装的制造方法，其包括下列步骤。提供石墨卷，其中石墨卷包括多个石墨薄片以及离型膜(releasefilm)，石墨薄片贴附在离型膜上并且各石墨薄片包括开口；展开石墨卷并且自离型膜拾取石墨卷的展开部分上的石墨薄片的其中之一；以及将石墨薄片的其中之一放置并且压合在基底膜上，其中基底膜包括安装在其上的芯片并且石墨薄片的其中之一的开口暴露芯片。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片的其中之一通过压合头压合在基底膜上。在本专利技术的一实施例中，上述的压合头是弹性压合头。在本专利技术的一实施例中，上述的压合头包括凹槽，当压合头将石墨薄片的其中之一压合到基底膜上时，芯片位于凹槽中。在本专利技术的一实施例中，上述的凹槽与芯片的侧表面之间维持间隙。在本专利技术的一实施例中，上述的从凹槽到芯片的侧表面的最短距离是1毫米(mm)到3毫米(mm)。在本专利技术的一实施例中，上述的石墨薄片的其中之一还包括设置在石墨薄片的接合表面上的粘合层，并且离型膜覆盖粘合层。基于上述，石墨薄片被贴合到本专利技术实施例的薄膜倒装封装上，其中石墨薄片暴露芯片的至少一部分并且石墨薄片的外缘与薄膜倒装封装的阻焊层的外缘对齐。如此配置，可以使石墨薄片与阻焊层/芯片之间的接触面积最大化，以增进薄膜倒装封装的散热效率。并且，由于石墨薄片并不完全地覆盖芯片，因而使被困在芯片与石墨薄片之间的空气及/或湿气可以轻易地排出，因此在高温及/或高湿度条件之下石墨薄片不会变形或甚至与芯片分离，以增进薄膜倒装封装的可靠性。此外，多个石墨薄片可以经由离型膜而彼此连接以形成石墨卷。因此，具有较差弹性的石墨薄片可应用于卷对卷制作工艺，使得石墨薄片可应用于薄膜倒装封装以用于批量生产。因此，可以改进本专利技术实施例中的薄膜倒装封装的散热。为让本专利技术的上述特征及优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的截面图；图2为本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的俯视图；图3为本专利技术的实施例的石墨薄片的截面图；图4为本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的俯视图；图5为本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的截面图；图6为本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的示意图；图7A到图7C为本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的制造过程的一部分的示意图；图8为本专利技术的实施例将石墨薄片贴合到薄膜倒装封装上的治具的正视图。符号说明100：薄膜倒装封装110：基底膜112：第一表面114：第二表面118：图案化线路层119：阻焊层120：芯片130：石墨薄片130a：石墨卷131：离型膜132：石墨层134：第一粘合层136：保护层138：第二粘合层140：背面石墨薄片142：石墨层144：第一粘合层146：保护层148：第二粘合层150：底部填充胶700：压合头E1/E2：外缘G1/G2：间隙OP1：开口R1：安装区域T1：厚度具体实施方式图1说明根据本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的截面图。图2说明根据本专利技术的实施例的薄膜倒装封装的俯视图。应注意图1是沿着线A-A’的图2的截面图。参考图1及图2，在本实施例中，薄膜倒装封装100包括基底膜110、图案化线路层118、阻焊层119、芯片120及石墨薄片130。基底膜110包括第一表面112。安装区域R1是芯片120安装且位于第一表面112上的区域。图案化线路层118设置在基底膜110的第一表面112上。阻焊层119部分地覆盖图案化线路层118。芯片120设置在安装区域R1中并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜倒装封装，包括：基底膜，包括第一表面以及位于所述第一表面上的安装区域；图案化线路层，设置在所述第一表面上；阻焊层，部分地覆盖所述图案化线路层；芯片，设置在所述安装区域上并且电连接到所述图案化线路层；以及石墨薄片，覆盖所述阻焊层的至少一部分，其中所述石墨薄片的外缘与所述阻焊层的外缘对齐。

【技术特征摘要】
2017.03.07 US 62/468,340;2017.06.05 US 15/613,2751.一种薄膜倒装封装，包括：基底膜，包括第一表面以及位于所述第一表面上的安装区域；图案化线路层，设置在所述第一表面上；阻焊层，部分地覆盖所述图案化线路层；芯片，设置在所述安装区域上并且电连接到所述图案化线路层；以及石墨薄片，覆盖所述阻焊层的至少一部分，其中所述石墨薄片的外缘与所述阻焊层的外缘对齐。2.如权利要求1所述的薄膜倒装封装，其中所述石墨薄片还包括暴露所述芯片的至少一部分的开口。3.如权利要求2所述的薄膜倒装封装，其中所述开口完全地暴露所述芯片的上表面以及多个侧表面。4.如权利要求2所述的薄膜倒装封装，其中所述石墨薄片覆盖所述芯片的上表面的至少一部分并且所述开口完全地暴露所述芯片的两个侧表面。5.如权利要求2所述的薄膜倒装封装，其中所述开口暴露所述芯片的多个侧表面的至少一部分。6.如权利要求5所述的薄膜倒装封装，其中所述开口暴露所述芯片的两个短侧表面的至少一部分。7.如权利要求5所述的薄膜倒装封装，其中所述开口完全地暴露所述芯片的两个短侧表面。8.如权利要求5所述的薄膜倒装封装，其中所述开口暴露所述芯片的两个长侧表面的至少一部分。9.如权利要求5所述的薄膜倒装封装，其中所述开口完全地暴露所述芯片的两个长侧表面。10.如权利要求2所述的薄膜倒装封装，其中所述开口暴露所述芯片的上表面的一部分。11.如权利要求2所述的薄膜倒装封装，其中所述石墨薄片完全地覆盖所述芯片的上表面。12.如权利要求2所述的薄膜倒装封装，其中所述开口完全地暴露所述芯片的上表面。13.如权利要求1所述的薄膜倒装封装，其中所述石墨薄片的所述外缘与所述阻焊层的所述外缘之间的距离等于或小于1毫米。14.如权利要求1所述的薄膜倒装封装，其中所述图案化线路层延伸到所述安装区域并且所述阻焊层暴露出延伸到所述安装区域的所述图案化线路层的一部分。15.如权利要求14所述的薄膜倒装封装，其中所述芯片设置在延伸到所述安装区域的所述图案化线路层的所述部分上。16.如权利要求14所述的薄膜倒装封装，其中所述石墨薄片的所述开口暴露出延伸到所述安装区域的所述图案化线路层的所述部分。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文静，柯建辰，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71