一种铜金属互连电迁移测试结构及其测试方法技术

本发明专利技术公开了一种铜金属互连电迁移测试结构，包括一金属线，水平设置，包括；多个上层金属层，水平设置于所述金属线的上层；多个下层金属层，水平设置于所述金属线的下层；多个上层金属层连接通孔，分别连接所述上层金属层和金属线；多个下层金属层连接通孔，分别连接所述下层金属层和金属线；多个连接线，分别一端连接所述上层金属层或下层金属层；多个金属板。还公开了一种铜金属互连电迁移测试结构的测试方法。根据本发明专利技术的铜金属互连电迁移测试结构的测试结果设计出较符合工艺制程的测试结构，很好地监控金属线上端开通孔工艺对于后段金属互连结构的影响，从而改善阻挡层或者后段铜金属互连工艺，降低产品量产的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种铜金属互连电迁移测试结构及其测试方法
本专利技术涉及一种半导体铜金属层测试结构，尤其涉及一种铜金属互连电迁移测试结构及其测试方法。
技术介绍
随着技术节点的发展，电迁移已经成为集成电路中金属互连重要的可靠性关注热点，在典型的电迁移评估中，有两种结构，包括如图1的测试电子下行情况(downstream)与如图2的测试电子上行情况(upstream)来评估电迁移的金属线或者通孔(via)的失效模式以及寿命的预测。从电迁移失效的角度来考虑，一般在测试电子上行情况(upstream)的测试结构中会出现被测金属线上孔洞(trenchvoid)以及通孔孔洞(viavoid)；在测试电子下行情况(downstream)的测试结构中一般出现通孔底部孔洞(voidbeneathvia)以及被测金属线上孔洞(trenchvoid)，所有的孔洞(void)几乎很少形成于阳极。但是随着技术节点发展，电迁移(EM，electromigration)的失效是否与之前保持一致不得而知。随着尺寸的减小，越来越薄的阻挡层(barrier)以及更好的铜(Cu)填充，来降低电路的电阻，从而提高电路的性能。但是阻挡层(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：包括一金属线，水平设置，包括；多个上层金属层，水平设置于所述金属线的上层；多个下层金属层，水平设置于所述金属线的下层；多个上层金属层连接通孔，分别连接所述上层金属层和金属线；多个下层金属层连接通孔，分别连接所述下层金属层和金属线；多个连接线，分别一端连接所述上层金属层或下层金属层；多个金属板，分别设置至少两个金属板连接于同一连接线的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：包括一金属线，水平设置，包括；多个上层金属层，水平设置于所述金属线的上层；多个下层金属层，水平设置于所述金属线的下层；多个上层金属层连接通孔，分别连接所述上层金属层和金属线；多个下层金属层连接通孔，分别连接所述下层金属层和金属线；多个连接线，分别一端连接所述上层金属层或下层金属层；多个金属板，分别设置至少两个金属板连接于同一连接线的另一端。2.根据权利要求1所述的铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：所述上层金属层同水平面设置两个，彼此间相对所述金属线的中线对称设置。3.根据权利要求2所述的铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：所述下层金属层同水平面设置两个，彼此间相对所述金属线的中线对称设置。4.根据权利要求3所述的铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：所述金属板在同一连接线上并排设置多个。5.根据权利要求4所述的铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：所述金属线设置为铜双大马士革结构。6.根据权利要求5所述的铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：所述金属线从上到下依次设置有第一low-k材质层、硅碳氮层、铜金属层、阻挡层、第二low-k材质层。7.根据权利要求6所述的铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：所述阻挡层为钽与氮化钽材质。8.根据权利要求7所述的铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：所述铜金属层设置在阻挡层和硅碳氮层围合而...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱鹏飞，郑仲馗，陈雷刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31