【技术实现步骤摘要】
半导体器件及用于半导体器件的引线框
本技术涉及集成电路以及封装的集成电路，并且更具体地，涉及一种半导体器件以及用于封装集成电路的引线框。
技术介绍
集成电路(IC)管芯(die)是一种形成在半导体晶片(诸如，硅晶片)上的小型器件。典型地，将这种管芯从晶片切下，并利用引线框将其封装。引线框是一种金属框架，通常由铜或镍合金形成，其支撑集成电路管芯并提供用于封装的芯片的外部电连接。引线框通常包括标志(flag)或管芯焊盘(diepad)以及引线指(leadfingers)。管芯上的接合焊盘(bondpad)经由导线接合电连接到引线框的引线。利用保护性材料包封管芯和接合线以形成封装。引线或者从所述包封向外凸出，或者至少与所述包封齐平，因而它们可以作端子，允许集成电路电连接到其他器件或印刷电路板(PCB)。参考图1，示出了常规的方形扁平封装(QFP)的半导体器件100的放大横截面图。器件100包括半导体管芯102，其附接到管芯焊盘104并电连接到引线指106。管芯102、管芯焊盘104和部分引线指106被模化合物(moldcompound)108覆盖，所述模化合物108保护...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：管芯焊盘，其中所述管芯焊盘在第一水平方向上呈波浪形延伸，包括多个位于第一平面的第一带，多个位于不同于第一平面的第二平面的，且与多个第一带在所述第一水平方向上交错安排的第二带，以及多个连结所述多个第一带与相邻的所述第二带的过渡带，其中每个所述第一带、第二带、以及过渡带分别在不同于第一水平方向的第二水平方向上延伸；多个第一引线指，其与所述管芯焊盘在所述第一水平方向上延伸的第一侧间隔开并向外延伸，其中所述第一引线指具有接近于所述管芯焊盘的近端和远离所述管芯焊盘的远端，并且其中所述第一引线指的所述近端处于所述第一平面中，且分别位于所述第一带在所述第二水平方...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：管芯焊盘，其中所述管芯焊盘在第一水平方向上呈波浪形延伸，包括多个位于第一平面的第一带，多个位于不同于第一平面的第二平面的，且与多个第一带在所述第一水平方向上交错安排的第二带，以及多个连结所述多个第一带与相邻的所述第二带的过渡带，其中每个所述第一带、第二带、以及过渡带分别在不同于第一水平方向的第二水平方向上延伸；多个第一引线指，其与所述管芯焊盘在所述第一水平方向上延伸的第一侧间隔开并向外延伸，其中所述第一引线指具有接近于所述管芯焊盘的近端和远离所述管芯焊盘的远端，并且其中所述第一引线指的所述近端处于所述第一平面中，且分别位于所述第一带在所述第二水平方向上的延伸线上；多个第二引线指，其与所述管芯焊盘的所述第一侧间隔开并向外延伸并与所述多个第一引线指在所述第一水平方向上交错安排，其中所述第二引线指具有接近于所述管芯焊盘的近端和远离所述管芯焊盘的远端，并且其中所述第二引线指的所述近端处于所述第二平面中，且分别位于所述第二带在所述第二水平方向上的延伸线上；附接到所述管芯焊盘的所述第一带上的半导体管芯，其中所述半导体管芯通过接合线电连接到所述第一和第二引线指的近端；以及包封材料，其至少围绕所述管芯焊盘的部分、所述半导体管芯、以及所述多个第一和第二引线指的近端，其中所述第一引线指的远端从所述包封材料向外凸出，所述第二引线指的所述近端的底面以及所述管芯焊盘的所述第二带的底面从所述包封材料露出。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述管芯焊盘在所述第一水平方向上呈方波或楔形波延伸。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述管芯焊盘与所述第一侧相邻的第二侧是所述第一带。4.如权利要求3所述的半导体器件，还包括多个第三引线指，其与所述管芯焊盘的所述第二侧间隔开并向外延伸，其中所述第三引线指具有接近于所述管芯焊盘的近端和远离所述管芯焊盘的远端，其中所述第三引线指的所述近端处于所述第二平面中，且所述近端的底面和所述远端从所述包封材料露出。5.一种用于半导体器件的引线框，包括：管芯焊盘，其中所述管芯焊盘在第一水平方向上呈波浪形延伸，包括多个位于第一平面的第一带，多个位于不同于第一平面的第二平面的，且与所述多个第一带在所述第一水平方向上交错安排的第二带，以及多个连结所述多个第一带与相邻的所述第二带的过渡带，其中每个所述第一带、第二带、以及过渡带分别在不同于第一水平方向的第二水平方向上延伸；多个第一引线指，其与所述管芯焊盘在所述第一水平方向上延伸的第一侧间隔开并向外延伸，其中所述第一引线指具有接近于所述管芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈萌奇，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：陈萌奇，
类型：新型
国别省市：上海,31
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