有源电压箝位电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种有源电压箝位电路，包括：电源端和接地端；自启动电路，与所述自启动电路电连接的电流源产生电路和与所述电流源产生电路电连接的电压箝位核心电路；所述自启动电路包括：第一电容，所述第一电容的第一端与电源端电连接，所述第一电容的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与电流源产生电路的第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极电连接。本实用新型专利技术所提供的有源电压箝位电路可实现精确的电压箝位，电路的工作电压以及环境温度对箝位电压值影响很小。

【技术实现步骤摘要】
有源电压箝位电路
本技术涉及集成电路
，特别涉及一种有源电压箝位电路。
技术介绍
箝位电路广泛用于各种模拟集成电路和数模混合信号集成电路中。传统的箝位电路多采用齐纳二极管实现，传统的齐纳二极管箝位电路，有以下几个方面的缺陷：一旦工艺选定之后，齐纳管的反向击穿电压随即确定，亦即箝位电压固定，无法调节；存在齐纳噪声，不适用于低噪声应用；片上集成时，齐纳管的面积较大，需要额外的光刻板和工艺流程，增加了成本；齐纳管易受温度的影响，直接影响了箝位电压点的精度。
技术实现思路
本技术提供了一种有源电压箝位电路，其目的是为了解决传统的齐纳二极管箝位电路存在缺陷的问题。为了达到上述目的，本技术的实施例提供了一种有源电压箝位电路，包括：电源端和接地端；自启动电路，与所述自启动电路电连接的电流源产生电路和与所述电流源产生电路电连接的电压箝位核心电路；其中，所述自启动电路包括：第一电容，所述第一电容的第一端与电源端电连接，所述第一电容的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与电流源产生电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源电压箝位电路，其特征在于，包括：电源端和接地端；自启动电路，与所述自启动电路电连接的电流源产生电路和与所述电流源产生电路电连接的电压箝位核心电路；其中，所述自启动电路包括：第一电容，所述第一电容的第一端与电源端电连接，所述第一电容的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与电流源产生电路的第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极电连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第二NMOS管的漏极分别与电流...

【技术特征摘要】
1.一种有源电压箝位电路，其特征在于，包括：电源端和接地端；自启动电路，与所述自启动电路电连接的电流源产生电路和与所述电流源产生电路电连接的电压箝位核心电路；其中，所述自启动电路包括：第一电容，所述第一电容的第一端与电源端电连接，所述第一电容的第二端分别与第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与电流源产生电路的第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极电连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第二NMOS管的漏极分别与电流源产生电路的第一PMOS管的栅极，第二PMOS管的栅极和漏极，第四NMOS管的漏极和电压箝位核心电路的第五PMOS管的栅极电连接。2.根据权利要求1所述的有源电压箝位电路，其特征在于，所述电流源产生电路包括第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第四PMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管和第一电阻；其中，所述第三NMOS管的衬极和源极均与所述接地端电连接，所述第三NMOS管栅极分别与第四NMOS管的栅极，第三NMOS管的漏极，第一PMOS管的漏极电连接；所述第四NMOS管的衬极所述接地端电连接，所述第四NMOS管的源极与第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；所述第三PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第三PMOS管的衬极分别与所述电源端和第一PMOS管衬极电连接，所述第三PMOS管的漏极与第一PMOS管的源极电连接，所述第三PMOS管的栅极分别与第四PMOS管的栅极和漏极，第二PMOS管的源极，第六PMOS管的栅极和第七PMOS管的栅极电连接；所述第四PMOS管的源极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：张均安，邓玉斌，刘祥远，刘浩，秦鹏举，
申请(专利权)人：湖南融创微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43