一种高电源抑制比的电源管理电路制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种高电源抑制比的电源管理电路包括：误差放大器电路、稳定性增强电路、电压缓冲级电路和输出级电路；误差放大器电路分别与所述稳定性增强电路、电压缓冲级电路和输出级电路连接，电压缓冲级电路与输出级电路连接；误差放大器至少包括两连接支路，稳定性增强电路中至少包括两对接支路；通过两连接支路和两对接支路交汇处形成第一节点和第二节点；第一节点到第二节点形成前馈电路；通过改变前馈电路的特性和第二节点与交流地之间的等效电容的容量降低电源管理电路的共轭极点的品质因子，拓宽输出级电路的输出电流范围和负载电容范围。

A power management circuit with high power supply rejection ratio

The embodiment of the invention discloses a power management circuit with high power rejection ratio, which comprises an error amplifier circuit, a stability enhancement circuit, a voltage buffer stage circuit and an output stage circuit; an error amplifier circuit is connected with the stability enhancement circuit, a voltage buffer stage circuit and an output stage circuit respectively, and a voltage buffer stage circuit. The circuit is connected with the output stage circuit; the error amplifier includes at least two connecting branches, and the stability enhancement circuit includes at least two butt-joint branches; the first node and the second node are formed at the intersection of the two connecting branches and the two butt-joint branches; the feedforward circuit is formed from the first node to the second node; and the feedforward circuit is formed by changing the characteristics of the feedforward circuit and changing the feedforward circuit. The capacity of the equivalent capacitance between the second node and the AC ground reduces the quality factor of the conjugate poles of the power management circuit, and widens the output current range and the load capacitance range of the output stage circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种高电源抑制比的电源管理电路
本专利技术涉及一种集成电路技术、微电子技术，尤其涉及一种高电源抑制比的电源管理电路。
技术介绍
电源管理电路广泛应用于各类便携式电子设备中，随着芯片集成度的提高，目前多采用多个片内电压调节器，电压调节器可以为直流转直流电源DC/DC或LDO(LowDropoutRegulator，低压差线性稳压器)。独立为各子模块供电，这种供电方案不但能通过定制电源模块来独立地优化各子模块的电路性能，还可减小电源线间的串扰。但是，各模块对供电电源PSRR(PowerSupplyRejectionRatio，电源抑制比)要求并没有降低，这是由于一方面芯片的系统复杂度越来越高；另一方面为降低成本及减少片外器件，LDO往往采用内部补偿，增加了PSRR的设计难度。在现有技术中，采用传统的电流缓冲型密勒补偿可以极大地改善PSRR，但同时也存在明显的应用局限性。该方案在设计LDO电路时，以场效应管为例，局部场效应管的设计尺寸一般要和输出管的尺寸相当，甚至比输出管的尺寸还要大，这显然难以应用于负载电流范围和负载电容范围较大的LDO电路中。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种高电源抑制比的电源管理电路。本专利技术实施例的技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种高电源抑制比的电源管理电路。所述电源管理电路包括：误差放大器电路、稳定性增强电路、电压缓冲级电路和输出级电路；所述误差放大器电路分别与所述稳定性增强电路、所述电压缓冲级电路和所述输出级电路连接，所述电压缓冲级电路与所述输出级电路连接；所述误差放大器至少包括两连接支路，所述稳定性增强电路中至少包括两对接支路；所述两连接支路中的一支路与所述两对接支路中的一支路连接，连接处形成第一节点，所述两连接支路中的另一支路与所述两对接支路中的另一支路连接，连接处形成第二节点；所述第一节点到所述第二节点形成前馈电路；通过稳定性增强电路与所述前馈电路并联形成前馈电路的特性，并且通过稳定性增强电路形成第二节点与交流地之间的等效电容；通过所述特性和所述等效电容降低所述电源管理电路的共轭极点的品质因子，拓宽所述输出级电路的输出电流范围。作为一种实现方式，所述误差放大器电路包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管和第九场效应管；所述第一场效应管的栅极与第一直流电压源连接，所述第一场效应管的漏极、所述第二场效应管的源极和所述第三场效应管的源极共接，所述第二场效应管的栅极与所述输出级电路连接，所述第二场效应管的漏极、所述第六场效应管的源极和第四场效应管的漏极共接，所述第三场效应管的漏极、所述第七场效应管的源极和所述第五场效应管的漏极共接，所述第三场效应管的栅极与参考电压源连接，所述第四场效应管的栅极和所述第五场效应管的栅极分别与第三直流电压源连接，所述第六场效应管的栅极和所述第七场效应管的栅极分别与第二直流电压源连接，所述第六场效应管的漏极、所述第八场效应管的漏极、所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极和所述稳定性增强电路的第一端共接，所述第七场效应管的漏极、所述第九场效应管的漏极、所述稳定性增强电路的第二端和所述电压缓冲级电路共接，所述第七场效应管的源极通过所述第三电容与所述输出级电路连接；其中，所述第六场效应管的漏极与所述稳定性增强电路的第一端连接，连接处形成所述第一节点，所述第九场效应管的漏极与所述稳定性增强电路的第二端连接，连接处形成所述第二节点。作为一种实现方式，所述前馈电路由所述第八场效应管和所述第九场效应管形成。作为一种实现方式，所述稳定性增强电路包括：第一电容；所述第一电容的第一端、所述第八场效应管的漏极、所述第八场效应管的栅极和所述第六场效应管的漏极共接；所述第一电容的第二端、所述第九场效应管的漏极和所述第七场效应管的漏极共接；其中，所述第六场效应管的漏极与所述第一电容的第一端连接，连接处形成所述第一节点，所述第九场效应管的漏极与所述第一电容的第二端连接，连接处形成所述第二节点。作为一种实现方式，所述稳定性增强电路包括：电阻和第二电容；所述电阻的第一端、所述第八场效应管的漏极、所述第八场效应管的栅极和所述第六场效应管的漏极共接，所述电阻的第二端与所述第二电容的第一端连接，所述第二电容的第二端、所述第九场效应管的漏极和所述第七场效应管的漏极共接；或，所述第二电容的第一端、所述第八场效应管的漏极、所述第八场效应管的栅极和所述第六场效应管的漏极共接，所述第二电容的第二端与所述电阻的第一端连接，所述电阻的第二端、所述第九场效应管的漏极和所述第七场效应管的漏极共接；其中，所述第六场效应管的漏极与所述电阻的第一端连接，连接处形成所述第一节点，所述第九场效应管的漏极与所述第二电容的第二端连接，连接处形成所述第二节点；或，所述第六场效应管的漏极与所述第二电容的第一端连接，连接处形成所述第一节点，所述第九场效应管的漏极与所述电阻的第二端连接，连接处形成所述第二节点。作为一种实现方式，所述电压缓冲级电路包括：第十场效应管和第十一场效应管；所述第十场效应管的栅极与第四直流电压源连接，所述第十场效应管的漏极、所述第十一场效应管的源极和所述输出级电路共接，所述第十一场效应管的栅极与所述误差放大器电路连接。作为一种实现方式，所述输出级电路包括：第十二场效管、第一电阻和第二电阻；所述第十二场效应管的栅极与所述电压缓冲级电路连接，所述第十二场效应管的漏极、所述第一电阻的第一端和所述误差放大器电路共接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接；其中，所述第十二场效应管的漏极作为电压输出节点。本专利技术实施例的高电源抑制比的电源管理电路包括：误差放大器电路、稳定性增强电路、电压缓冲级电路和输出级电路；所述误差放大器电路分别与所述稳定性增强电路、所述电压缓冲级电路和所述输出级电路连接，所述电压缓冲级电路与所述输出级电路连接；所述误差放大器至少包括两连接支路，所述稳定性增强电路中至少包括两对接支路；所述两连接支路中的一支路与所述两对接支路中的一支路连接，连接处形成第一节点，所述两连接支路中的另一支路与所述两对接支路中的另一支路连接，连接处形成第二节点；所述第一节点到所述第二节点形成前馈电路；通过稳定性增强电路与所述前馈电路并联形成前馈电路的特性，并且通过稳定性增强电路形成第二节点与交流地之间的等效电容；通过所述特性和所述等效电容降低所述电源管理电路的共轭极点的品质因子，拓宽所述输出级电路的输出电流范围。通过为电源管理电路设置误差放大器电路、稳定性增强电路、电压缓冲级电路和输出级电路，通过降低了电源管理电路的共轭极点的品质因子，明显地提高了稳定性，并且使高电源抑制比的电源管理电路能在更宽的负载电流范围、更宽的负载电容范围内保持稳定，更能适用于含有高电源抑制比的电源管理电路的系统中，从而提高了电源管理电路的电源抑制比。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种高电源抑制比的电源管理电路的逻辑结构图；图2为本专利技术实施例二提供的一种高电源抑制比的电源管理电路的示意图；图3a为本专利技术实施例二提供的一种稳定性增强电路示意图；图3b为本专利技术实施例二提供的一种稳定性增强电路示意图；图4为一种现有技术采用电流缓冲型密本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电源抑制比的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路包括：误差放大器电路、稳定性增强电路、电压缓冲级电路和输出级电路；所述误差放大器电路分别与所述稳定性增强电路、所述电压缓冲级电路和所述输出级电路连接，所述电压缓冲级电路与所述输出级电路连接；所述误差放大器至少包括两连接支路，所述稳定性增强电路中至少包括两对接支路；所述两连接支路中的一支路与所述两对接支路中的一支路连接，连接处形成第一节点，所述两连接支路中的另一支路与所述两对接支路中的另一支路连接，连接处形成第二节点；所述第一节点到所述第二节点形成前馈电路；通过稳定性增强电路与所述前馈电路并联形成前馈电路的特性，并且通过稳定性增强电路形成第二节点与交流地之间的等效电容；通过所述特性和所述等效电容降低所述电源管理电路的共轭极点的品质因子，拓宽所述输出级电路的输出电流范围和负载电容范围。

【技术特征摘要】
1.一种高电源抑制比的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路包括：误差放大器电路、稳定性增强电路、电压缓冲级电路和输出级电路；所述误差放大器电路分别与所述稳定性增强电路、所述电压缓冲级电路和所述输出级电路连接，所述电压缓冲级电路与所述输出级电路连接；所述误差放大器至少包括两连接支路，所述稳定性增强电路中至少包括两对接支路；所述两连接支路中的一支路与所述两对接支路中的一支路连接，连接处形成第一节点，所述两连接支路中的另一支路与所述两对接支路中的另一支路连接，连接处形成第二节点；所述第一节点到所述第二节点形成前馈电路；通过稳定性增强电路与所述前馈电路并联形成前馈电路的特性，并且通过稳定性增强电路形成第二节点与交流地之间的等效电容；通过所述特性和所述等效电容降低所述电源管理电路的共轭极点的品质因子，拓宽所述输出级电路的输出电流范围和负载电容范围。2.根据权利要求1所述的电源管理电路，其特征在于，所述误差放大器电路包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管和第九场效应管；所述第一场效应管的栅极与第一直流电压源连接，所述第一场效应管的漏极、所述第二场效应管的源极和所述第三场效应管的源极共接，所述第二场效应管的栅极与所述输出级电路连接，所述第二场效应管的漏极、所述第六场效应管的源极和所述第四场效应管的漏极共接，所述第三场效应管的漏极、所述第七场效应管的源极和所述第五场效应管的漏极共接，所述第三场效应管的栅极与参考电压源连接，所述第四场效应管的栅极和所述第五场效应管的栅极分别与第三直流电压源连接，所述第六场效应管的栅极和所述第七场效应管的栅极分别与第二直流电压源连接，所述第六场效应管的漏极、所述第八场效应管的漏极、所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极和所述稳定性增强电路的第一端共接，所述第七场效应管的漏极、所述第九场效应管的漏极、所述稳定性增强电路的第二端和所述电压缓冲级电路共接，所述第七场效应管的源极通过所述第三电容与所述输出级电路连接；其中，所述第六场效应管的漏极与所述稳定性增强电路的第一端连接，连接处形成所述第一节点，所述第九场效应管的漏极与所述稳定性增强电路的第二端连接，连接处形成所述第二节点。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏强，刘炽锋，奕江涛，
申请(专利权)人：广州慧智微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44