一种应用于物联网中的基准电路制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于物联网中的基准电路，包括：一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。本发明专利技术一种高电源抑制比的基准电路，不使用运算放大器，也不使用滤波电容，运用自调节技术，产生高电源抑制比的基准电压。

A reference circuit applied to the Internet of things

The invention discloses a reference circuit used in the Internet of Things, which comprises a starting circuit, a voltage self-adjusting circuit for starting the reference circuit, a voltage self-adjusting circuit, which adopts self-adjusting technology and significantly improves the power supply rejection ratio of the circuit in a wide frequency range, a starting circuit, and a starting circuit, used for starting the reference circuit. The reference generating circuit of the reference circuit is started to avoid the power coupling noise caused by the traditional starting circuit, and a reference generating circuit adopts a self-biased current mirror structure to generate a high-precision reference voltage after temperature compensation. The invention relates to a reference circuit with high power supply rejection ratio (PSRR), which does not use an operational amplifier or filter capacitor, and generates a reference voltage with high PSRR by using self-adjusting technology.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于物联网中的基准电路
本专利技术涉及基准电压电路领域，尤其涉及一种应用于物联网中的基准电路。
技术介绍
在物联网应用中，现代片上系统（SOC）设计的最新趋势是将模拟电路与嘈杂的数字电路，开关电容器和RF电路一起放置在同一管芯上，因此来自电源的噪声就不可忽视。这种噪声会显着降低整个系统的性能，特别是在高精度系统中。为了在高精度应用中产生稳定的参考电压，参考电路必须在低频和高频时都具有高电源抑制比（PSRR）。常见的方法是使用低压降稳压器（LDO）为基准电路供电。但这种方法需要一个高开环增益和宽带宽的运算放大器，这显然增加硅面积和功耗。另一种方法是使用一个高增益反馈环路，这也避免不了功率要求。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的问题，本专利技术的主要目的在于提供一种具有高电源抑制比的基准电路，不使用运算放大器，也不使用滤波电容，运用自调节技术，产生高电源抑制比的基准电压。为达上述及其它目的，本专利技术提供一种应用于物联网中的基准电路，其至少包括：一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。本专利技术提出了一种应用于物联网中的基准电路，包括：所述启动电路一由第一电容C1、第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；PM1管的源极连接电源电压VDD；PM1管的栅极与PM1管的漏极，NM1管的栅极，NM2管的漏极和电容C1的一端相连接；电容C1的另一端，NM1管的源极和NM2管的源极接地。所述电压自调节电路由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；PM2管的源极和PM3管的源极都与电源电压VD相连接；PM2管的栅极与PM3管的栅极，PM2管的漏极，NM1管的漏极，NM3管的漏极相连接；PM3管的漏极与PM4管的源极，PM6管的源极和NM9管的漏极相连接，其节点标注为A，作为所述基准产生电路参考电压VREG的输出端；PM4管的漏极与PM5管的源极相连接；PM5管的漏极与NM5管的漏极，NM5管的栅极，NM7管的栅极和NM3管的栅极相连接；PM6管的漏极与NM9管的栅极，NM7管的漏极和NM2管的栅极相连接；NM3管的源极与NM4管的漏极相连接；NM4管的栅极与NM6管的栅极，NM6管的漏极，NM5管的源极和NM8管的栅极相连接；NM7管的源极与NM8管的漏极相连接；NM4管的源极，NM6管的源极，NM8管的源极和NM9管的源极都接地。所述启动电路二由第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11、第十二NMOS管NM12和第十三NMOS管NM13构成；PM7管的源极连接电源电压VDD；PM8管的源极与PM3管的漏极相连接；PM8管的漏极与PM9管的源极相连接；PM8管的栅极与PM4管的栅极相连接；PM9管的栅极与PM5管的栅极和NM10管的漏极相连接；PM9管的漏极与NM12管的漏极和NM12管的栅极相连接；PM7管的栅极与PM7管的漏极，NM10管的栅极和NM11管的漏极相连接；NM12管的源极与NM13管的漏极，NM13管的栅极和NM11管的栅极相连接；NM10管的源极，NM11管的源极和NM13管的源极都接地。所述基准产生电路由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第十四PMOS管PM14、第十五PMOS管PM15、第十四NMOS管NM14、第十五NMOS管NM15、第十六NMOS管NM16和第十七NMOS管NM17构成；PM10管的源极与PM3管的漏极，PM12管的源极和PM14管的源极相连接；PM10管的栅极与PM4管的栅极，PM12管的栅极，PM14管的栅极，PM11管的漏极和电阻R1的一端相连接；PM10管的漏极与PM11管的源极相连接；PM12管的漏极与PM13管的源极相连接；PM14管的漏极与PM15管的源极相连接；PM11管的栅极与PM5管的栅极，PM13管的栅极，PM15管的栅极，电阻R1的另一端和NM14管的漏极相连接；PM13管的漏极与电阻R2的一端，NM15管的栅极和NM17管的栅极相连接；电阻R2的另一端与NM16管的漏极，NM14管的栅极和NM16管的栅极相连接；NM14管的源极与NM15管的漏极相连接；NM16管的源极与NM17管的漏极相连接；NM15管的源极与三极管Q1的发射极相连接；NM17管的源极与电阻R3的一端相连接；电阻R3的另一端与三极管Q2的发射极相连接；PM15管的漏极与PM6管的栅极和电阻R4的一端相连接，其节点标注为B，作为基准电压VBG的输出端；电阻R4的另一端与三极管Q3的发射极相连接；三极管Q1的基极，Q1的集电极，Q2的基极，Q2的集电极，Q3的基极，Q3的集电极都接地。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术一种应用于物联网中的基准电路图。具体实施方式结合图1所示，在下面的实施例中，所述应用于物联网中的基准电路，其至少包括：一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。所述启动电路一由第一电容C1、第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；当上电的瞬间，电源电压VDD是个高电压，PM1导通，所以NM1管的栅端也是个高电压，NM1管处于导通状态，从而启动电压自调节电路，其中，电容C1用于消除启动过程中可能产生的自震荡。所述电压自调节电路由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；其中，NM7管、NM8管、NM9管和PM6管组成低阻抗分支电路，用于感知节点A处VREG电压的变化并将电流馈送到PM3管，以减小VREG的波动；NM7管和NM8管级联，进一步减小支路阻抗，以更好的隔绝电源噪声；因为上述晶体管均工作在饱和区，晶体管跨导远大于漏源电导，PM2管和PM3管都选用了长沟道晶体管，以获得更高的电源抑制比，在设计中其沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于物联网中的基准电路，其特征在于，包括：一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。

【技术特征摘要】
1.一种应用于物联网中的基准电路，其特征在于，包括：一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。2.如权利要求1所述的应用于物联网中的基准电路，其特征在于：所述启动电路一由第一电容C1、第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；PM1管的源极连接电源电压VDD；PM1管的栅极与PM1管的漏极，NM1管的栅极，NM2管的漏极和电容C1的一端相连接；电容C1的另一端，NM1管的源极和NM2管的源极接地。3.如权利要求1所述的应用于物联网中的基准电路，其特征在于：所述电压自调节电路由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；PM2管的源极和PM3管的源极都与电源电压VDD相连接；PM2管的栅极与PM3管的栅极，PM2管的漏极，NM1管的漏极，NM3管的漏极相连接；PM3管的漏极与PM4管的源极，PM6管的源极和NM9管的漏极相连接，其节点标注为A，作为所述基准产生电路参考电压VREG的输出端；PM4管的漏极与PM5管的源极相连接；PM5管的漏极与NM5管的漏极，NM5管的栅极，NM7管的栅极和NM3管的栅极相连接；PM6管的漏极与NM9管的栅极，NM7管的漏极和NM2管的栅极相连接；NM3管的源极与NM4管的漏极相连接；NM4管的栅极与NM6管的栅极，NM6管的漏极，NM5管的源极和NM8管的栅极相连接；NM7管的源极与NM8管的漏极相连接；NM4管的源极，NM6管的源极，NM8管的源极和NM9管的源极都接地。4.如权利要求1所述的应用于物联网中的基准电路，其特征在于：所述启动电路二由第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11、第十二NMOS管NM12和第十三NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，
申请(专利权)人：丹阳恒芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32