绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器制造技术

本实用新型专利技术公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器，该绝缘栅双极晶体管包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面及第二表面；形成在半导体衬底第一表面的漂移区及有源区；以及，自漂移区背离第一表面向第二表面方向依次外延生长第一外延层和第二外延层，第一外延层为缓冲层，第二外延层为集电极区；漂移区与有源区连接，漂移区还经缓冲区与集电极区连接。本实用新型专利技术降低了绝缘栅双极晶体管的关断时间，从而降低了IGBT的关断损耗，同时由于在制作集电极区时已经制备了缓冲层，因此无需进行退火工艺，本实用新型专利技术还减小了IGBT的集电极区的制作难度。

Insulated gate bipolar transistor, IPM module and air conditioner.

The utility model discloses an insulated gate bipolar transistor, an IPM module and an air conditioner. The insulated gate bipolar transistor comprises a semiconductor substrate with a relatively set first and second surfaces; a drift region and an active region formed on the first surface of the semiconductor substrate; and a drift region deviating from the first table. The first epitaxial layer and the second epitaxial layer are successively grown in the direction of the second surface. The first epitaxial layer is a buffer layer and the second epitaxial layer is a collector region. The utility model reduces the turn-off time of the insulated gate bipolar transistor, thereby reducing the turn-off loss of IGBT. At the same time, the buffer layer has been prepared during the fabrication of the collector area, so there is no need for annealing process. The utility model also reduces the fabrication difficulty of the collector area of the IGBT.

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器
本技术涉及电力电子
，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器。
技术介绍
IGBT作为一种大功率半导体功率开关器件，广泛应用于电机变频调速、高性能电源及工业电气自动化等领域，具有着广阔的市场。尤其是电场终止-沟槽型IGBT(即FS-TrenchIGBT)，由于FS-TrenchIGBT在N-漂移区与P+集电极之间存在一个N+缓冲层使得，IGBT可以采用更薄的漂移区厚度而达到同样的耐压能力，具有广泛的应用领域。然而目前，在FS-TrenchIGBT的制作过程中，通常是采用离子注入的方法来制作缓冲层，这种方式制作的IGBT关断损耗降低不明显，且制造工艺难度大，不利于工业化生产。
技术实现思路
本技术的主要目的是提出一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块及空调器，旨在降低绝缘栅双极晶体管的关断时间，降低IGBT的关断损耗，同时减小IGBT的集电极区的制作难度。为实现上述目的，本技术提出一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面及第二表面；形成在所述半导体衬底第一表面的漂移区及有源区；以及，自所述漂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面及第二表面；形成在所述半导体衬底第一表面的漂移区及有源区；以及，自所述漂移区背离所述第一表面向所述第二表面方向依次外延生长第一外延层和第二外延层，所述第一外延层为缓冲层，所述第二外延层为集电极区；所述漂移区与所述有源区连接，所述漂移区还经所述缓冲层与所述集电极区连接。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面及第二表面；形成在所述半导体衬底第一表面的漂移区及有源区；以及，自所述漂移区背离所述第一表面向所述第二表面方向依次外延生长第一外延层和第二外延层，所述第一外延层为缓冲层，所述第二外延层为集电极区；所述漂移区与所述有源区连接，所述漂移区还经所述缓冲层与所述集电极区连接。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述缓冲层的厚度为2-3um。3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述缓冲层为N型硅薄膜。4.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述集电极区的厚度小于或等于0.5um。5.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述集电极为P型硅薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，甘弟，
申请(专利权)人：芜湖美智空调设备有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34