半导体元件封装基板及半导体元件封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及光电技术领域，尤其是一种半导体元件封装基板，包括：金属基板，包括间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽位于所述金属基板的第一侧，所述第一凹槽定义出固晶区域，所述第二凹槽设置于所述第一凹槽周围；绝缘层，设置于所述第二凹槽中；导电线路，设置于所述第二凹槽中、并通过所述绝缘层与所述金属基板绝缘。本实用新型专利技术能够有效减少半导体元件封装基板的厚度以及提高半导体元件封装基板的反射效率、提高出光效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件封装基板及半导体元件封装结构
本技术涉及光电
，尤其是一种半导体元件封装基板以及一种半导体元件封装结构。
技术介绍
随着半导体元件例如发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)技术日趋成熟，半导体元件的生产工艺被广泛应用，市场对高性价比的半导体元件产品有更迫切的要求。例如，目前镜面铝COB(ChipOnBoard，板上芯片)封装基板，其采用的镜面铝基板的厚度约为0.7mm，使得整个COB封装基板的厚度在1.0mm左右，导致镜面铝COB封装基板的成本高居不下。另外，目前的镜面铝COB封装基板是在一平整的镜面铝基板上依次层叠绝缘层、导电层等多个功能层来形成镜面铝COB封装基板，之后在镜面铝COB封装基板的固晶区域内安装LED芯片并设置透光封装体以获得LED封装结构。如此逐渐“增厚”的镜面铝COB封装基板将导致散热不佳，且由于层叠的多个功能层占据了镜面铝基板较多的上表面而导致镜面铝基板的光反射面积较小，从而导致采用这种镜面铝COB封装基板的LED封装结构的出光效率不佳。因此，如何调整封装基板的结构和厚度，以降低成本并提升性能成为人们亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术一实施例中提供一种半导体元件封装基板，其包括：金属基板，包括间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽位于所述金属基板的第一侧，所述第一凹槽定义出固晶区域，所述第二凹槽设置于所述第一凹槽周围；绝缘层，设置于所述第二凹槽中；导电线路，设置于所述第二凹槽中、并通过所述绝缘层与所述金属基板绝缘。进一步地，所述第一凹槽呈封闭的圆形或椭圆形或矩形。进一步地，所述导电线路包括层叠设置的导电层和焊接层；所述导电层包括焊线连接部以及自焊线连接部侧部向外延伸的多个焊垫，所述焊接层位于所述焊线连接部和所述多个焊垫上；所述第二凹槽包括：焊线连接部容置槽，所述焊线连接部位于所述焊线连接部容置槽中并通过所述绝缘层与所述金属基板绝缘；多个焊垫容置槽，设置于所述焊线连接部容置槽外围，所述多个焊垫分别位于所述多个焊垫容置槽中并通过所述绝缘层与所述金属基板绝缘；多个连接槽，分别连接于所述焊线连接部容置槽和相应的所述焊垫容置槽之间，且所述焊线连接部与相应的所述焊垫通过各自的所述连接槽连通。进一步地，所述连接槽的槽口宽度小于相应的所述焊垫容置槽的最大槽口宽度。进一步地，所述金属基板还包括第一对流通道，所述第一对流通道凹设于所述金属基板的第二侧或所述第一侧和所述第二侧、且位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之间，所述第二侧为所述第一侧的相对侧。进一步地，所述第一对流通道截面图形为矩形、三角形、梯形、H型或拱桥形中的任一种。进一步地，所述金属基板还包括第二对流通道，所述第二对流通道凹设于所述金属基板的第二侧或所述第一侧和所述第二侧、且位于所述第二凹槽的所述焊线连接部容置槽和所述焊垫容置槽之间，所述第二侧为所述第一侧的相对侧。进一步地，所述第二对流通道截面图形为矩形、梯形或拱桥形中的任一种。进一步地，所述金属基板为镜面铝基板。本技术一实施例还提供一种半导体元件封装结构，包括上述的半导体元件封装基板，以及半导体元件芯片和透光封装体；所述半导体元件芯片设置于所述固晶区域内并打线连接于所述导电线路，所述透光封装体设置于所述半导体元件封装基板的所述金属基板上且覆盖所述半导体元件芯片。本技术实施例中，通过在金属基板例如冲压获得第一凹槽、第二凹槽，使得半导体元件芯片、绝缘层或导电线路等元件/结构能够容置在下沉的第一凹槽、第二凹槽中，该结构能够降低金属基板的厚度，同时大大降低半导体元件封装基板以及半导体元件封装结构的产品厚度，在节约原料成本的同时获得更轻薄的产品结构，提升半导体元件封装基板以及半导体元件封装结构的性价比。另外，在第一凹槽、第二凹槽之间和/或所述第二凹槽的所述焊线连接部容置槽和所述焊垫容置槽之间形成对流通道，使得设置于所述第一凹槽、第二凹槽以及焊线连接部容置槽和所述焊垫容置槽中的元器件的热量及时得到散失而减少热累积，保证半导体元件封装结构的品质。附图说明图1a为本技术第一实施例的半导体元件封装基板的剖视图。图1b为本技术第一实施例带导电层的半导体元件封装基板的俯视图。图1c为本技术第一实施例的半导体元件封装基板的金属基板剖视图。图2a为本技术第二实施例的半导体元件封装基板的剖视图。图2b为本技术第二实施例带导电层的半导体元件封装基板的俯视图。图2c为本技术第二实施例的半导体元件封装基板的金属基板剖视图。图3a为本技术第三实施例的半导体元件封装基板的剖视图。图3b为本技术第三实施例带导电层的半导体元件封装基板的俯视图。图3c为本技术第三实施例的半导体元件封装基板的金属基板剖视图。图3d为本技术第三实施例的半导体元件封装基板的另一金属基板剖视图。图3e为本技术第三实施例的半导体元件封装基板的又一金属基板剖视图。图3f为本技术第三实施例的半导体元件封装基板的再一金属基板剖视图。图4a为本技术第四实施例的半导体元件封装结构的剖视图。图4b为本技术第四实施例的半导体元件封装基板的俯视图。图4c为本技术第四实施例的半导体元件封装基板的金属基板剖视图。具体实施方式为了使本技术目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合具体实施例详细介绍本技术。第一实施例如图1a所示，图1a为本技术第一实施例的半导体元件封装基板的剖视图；图1b为本技术第一实施例带导电层的半导体元件封装基板的俯视图；图1c为本技术第一实施例的半导体元件封装基板的金属基板的剖视图。具体地，结合图1a所示，本实施例提供一种半导体元件的封装基板，具体地，可例如为LED封装基板10，其包括：金属基板11、绝缘层13和导电线路15。其中，结合图1b所示，本实施例的所述金属基板11可例如为一整体呈矩形的金属板。所述金属基板11包括间隔设置的第一凹槽111以及第二凹槽112；其中所述第一凹槽111和所述第二凹槽112位于所述金属基板11的第一侧(可例如为金属基板11水平朝上的一侧)，所述第一凹槽111定义出固晶区域111a；所述第二凹槽112设置于所述第一凹槽111的周围。第一凹槽111和第二凹槽112优选可通过冲压工艺一次成型。所述绝缘层13设置于所述第二凹槽112中。进一步地，所述导电线路15包括层叠设置的导电层151和焊接层153。所述导电层151设置于所述第二凹槽112中、并通过所述绝缘层13与所述金属基板11绝缘。其中，所述导电层151包括焊线连接部1511以及与所述焊线连接部1511电连接的焊垫1512。所述焊线连接部1511围绕所述固晶区域111a设置，以便后续安装在所述固晶区域111a中的半导体元件芯片，如LED芯片(图1b中未示出)与之打线连接。所述焊垫1512则例如设置于所述焊线连接部1511外围、且与所述焊线连接部1511电连接。作为举例但不以此为限，所述金属基板11可优选为镜面铝基板，反射率可达99％，且由于第一凹槽111、第二凹槽112均为下沉结构，对镜面铝基板的支撑强度要求不高，因此镜面铝基板的厚度可降低至0.2±0.1mm，如此镜面铝基板的原料成本会大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件封装基板，其特征在于，包括：金属基板，其包括间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽位于所述金属基板的第一侧，所述第一凹槽定义出固晶区域，以便所述固晶区域设置在所述第一凹槽中，所述第二凹槽设置于所述第一凹槽周围；绝缘层，其设置于所述第二凹槽中；导电线路，其设置于所述第二凹槽中、并通过所述绝缘层与所述金属基板绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件封装基板，其特征在于，包括：金属基板，其包括间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽位于所述金属基板的第一侧，所述第一凹槽定义出固晶区域，以便所述固晶区域设置在所述第一凹槽中，所述第二凹槽设置于所述第一凹槽周围；绝缘层，其设置于所述第二凹槽中；导电线路，其设置于所述第二凹槽中、并通过所述绝缘层与所述金属基板绝缘。2.根据权利要求1所述的半导体元件封装基板，其特征在于，所述第一凹槽呈封闭的圆形或椭圆形或矩形。3.根据权利要求1所述的半导体元件封装基板，其特征在于，所述金属基板还包括第一对流通道，所述第一对流通道凹设于所述金属基板的第二侧或所述第一侧和所述第二侧、且位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之间，所述第二侧为所述第一侧的相对侧。4.根据权利要求3所述半导体元件封装基板，其特征在于，所述第一对流通道截面图形为矩形、三角形、梯形、H型或拱桥形中的任一种。5.根据权利要求1所述的半导体元件封装基板，其特征在于，所述导电线路包括层叠设置的导电层和焊接层；所述导电层包括焊线连接部以及自焊线连接部侧部向外延伸的多个焊垫，所述焊接层位于所述焊线连接部和所述多个焊垫上；所述第二凹槽包括：焊线连接部容置槽，所述焊线连接部位于所述焊线连接部容置槽中并通过所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少锋，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35