三内串式金属化薄膜制造技术

本发明专利技术一种三内串式金属化薄膜，其特征在于包括基膜(1)、通过蒸镀技术在基膜(1)蒸镀面形成3条宽金属镀层带(5)，所述3条宽金属镀层带(5)间由4条空白隔离带(4)隔离；经分切机沿中间宽金属镀层带(5)中轴分切后形成第一金属化薄膜(2)、第二金属化薄膜(3)；所述第一金属化薄膜(2)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第一窄金属镀层带(22)，所述第二金属化薄膜(3)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第二窄金属镀层带(32)。采用本发明专利技术制造的缓冲电容器，内部自感及等效串联电阻低、质量稳定，且造价低。

Three internal metallized film

The invention relates to a three-in-series metallized film, which is characterized in that a base film (1) is formed on the base film (1) by evaporation technology to form three broad metal plating strips (5), which are separated by four blank isolation strips (4) between the three wide metal plating strips (5), and the first metallization is formed after cutting along the middle wide metal plating strip (5) by a slitter. The first metallized film (2), the second metallized film (3), comprises two blank isolation bands (4), a wide metal coating band (5) and a first narrow metal coating band (22), and the second metallized film (3) comprises two blank isolation bands (4), a wide metal coating band (5) and a second narrow metal coating band (32). The buffer capacitor manufactured by the invention has low internal self-inductance and equivalent series resistance, stable quality and low cost.

【技术实现步骤摘要】
三内串式金属化薄膜
本专利技术涉及薄膜电容器生产制造用金属化薄膜材料，特别是涉及一种三内串式金属化薄膜。
技术介绍
薄膜电容器因其具有良好的耐压性和自愈性得到广泛应用，金属化薄膜是薄膜电容器生产制造的重要材料，将高纯度金属（如AL，ZN）在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到介质基膜上，在介质基膜表面形成一层极薄的金属镀层后的薄膜就是金属化薄膜；在电力电子功率器件的应用电路中，无一例外地都要设置缓冲电路，即吸收电路，缓冲电容可以有效的吸收来自晶体管(IGBT)内部的寄生电感在高速关断时刻释放出极高的尖峰电压脉冲，缓冲电容损坏会导致应用电路中损坏；常规的两层单面金属化薄膜电容器性能较差，无法承受尖峰电压脉冲造成的损伤，现有的技术方案是：采用两层单面金属化薄膜卷绕的三个独立芯子，通过连接线在外部进行串联；虽然能够适应该场合，但是存在不足：1.无法降低电容器内部自感及等效串联电阻；2.焊点多且易出线隐患，从而带来质量不稳定；3.体积相对较大、浪费材料、使成本升高。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种三内串式金属化薄膜，且采用其制造的缓冲电容器，内部自感及等效串联电阻低、质量稳定，且造价低。技术方案：为实现上述目的，本专利技术采用了以下技术方案：一种三内串式金属化薄膜，包括基膜、通过蒸镀技术在基膜蒸镀面形成3条宽金属镀层带，所述3条宽金属镀层带间由4条空白隔离带隔离；经分切机沿中间宽金属镀层带中轴分切后形成第一金属化薄膜、第二金属化薄膜；所述第一金属化薄膜包含2条空白隔离带、1条宽金属镀层带以及第一窄金属镀层带，所述第二金属化薄膜包含2条空白隔离带、1条宽金属镀层带以及第二窄金属镀层带。进一步的，所述第一金属化薄膜以及第二金属化薄膜须配对使用。进一步的，所述第一窄金属镀层带与第二窄金属镀层带宽度相等。进一步的，所述空白隔离带可取代传统的空白留边带。优选的，所述空白隔离带宽度为2mm左右，可确保三等效电容器间不发生短路。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：1.等效电容器间无喷金层，且交错排列，降低了电容器内部自感及等效串联电阻。2.由金属化薄膜金属镀层电连接等效电容，焊点减少从而质量稳定。3.整体电容由三只等效电容内部串联而成，结构紧凑体积相对减小、使成本降低。附图说明图1为本专利技术平面图。图2为本专利技术剖面图。图3为本专利技术卷绕电容器剖面示意图。图4为本专利技术等效三电容器（C1、C2、C3）串联示意图。图5为本专利技术卷绕的电容器芯子局部平面展开示意图。图中，1基膜，2第一金属化薄膜，3第二金属化薄膜，4空白隔离带，5宽金属镀层带，6电容器芯子，22第一窄金属镀层带，32第二窄金属镀层带。具体实施方式如图1-5所示，本专利技术一种三内串式金属化薄膜，包括基膜(1)、通过蒸镀技术在基膜(1)蒸镀面形成3条宽金属镀层带(5)，所述3条宽金属镀层带(5)间由4条空白隔离带(4)隔离；经分切机沿中间宽金属镀层带(5)中轴分切后形成第一金属化薄膜(2)、第二金属化薄膜(3)；所述第一金属化薄膜(2)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第一窄金属镀层带(22)，所述第二金属化薄膜(3)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第二窄金属镀层带(32)。所述第一金属化薄膜(2)以及第二金属化薄膜(3)须配对使用。所述第一窄金属镀层带(22)与第二窄金属镀层带(32)宽度相等。所述空白隔离带(4)可取代传统的空白留边带。所述空白隔离带(4)宽度为2mm左右，可确保三等效电容器（C1、C2、C3）间不发生短路。本专利技术一种三内串式金属化薄膜，采用本专利技术卷绕的薄膜电容器芯子(6)，可等效成三电容器（C1、C2、C3）串联，1.等效电容器间无喷金层，且交错排列，降低了电容器内部自感及等效串联电阻；2.由金属化薄膜金属镀层电连接等效电容，焊点减少从而质量稳定；3.整体电容由三只等效电容内部串联而成，结构紧凑体积相对减小、使成本降低。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三内串式金属化薄膜，其特征在于包括基膜(1)、通过蒸镀技术在基膜(1)蒸镀面形成3条宽金属镀层带(5)，所述3条宽金属镀层带(5)间由4条空白隔离带(4)隔离；经分切机沿中间宽金属镀层带(5)中轴分切后形成第一金属化薄膜(2)、第二金属化薄膜(3)；所述第一金属化薄膜(2)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第一窄金属镀层带(22)，所述第二金属化薄膜(3)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第二窄金属镀层带(32)。

【技术特征摘要】
1.一种三内串式金属化薄膜，其特征在于包括基膜(1)、通过蒸镀技术在基膜(1)蒸镀面形成3条宽金属镀层带(5)，所述3条宽金属镀层带(5)间由4条空白隔离带(4)隔离；经分切机沿中间宽金属镀层带(5)中轴分切后形成第一金属化薄膜(2)、第二金属化薄膜(3)；所述第一金属化薄膜(2)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第一窄金属镀层带(22)，所述第二金属化薄膜(3)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第二窄金属镀层带(...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱锦绣，
申请(专利权)人：钱立文，
类型：发明
国别省市：安徽,34