抗电势诱导衰减的光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了抗电势诱导衰减的光伏组件，通过在光伏组件的第二EVA层和玻璃之间设置氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层，有效地阻挡了所述玻璃中钠离子和钙离子等游离的金属离子迁移至光伏组件的太阳能电池片层上，以此削弱了电势诱导衰减现象对光伏组件造成的影响，而且所述氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层还可以作为减反射膜，减少所述光伏组件对太阳光的反射，提高入射光的吸收率，可起到提高光伏组件的光电转换效率的作用。

【技术实现步骤摘要】
抗电势诱导衰减的光伏组件
本技术涉及太阳能光伏
，尤其是抗电势诱导衰减的光伏组件。
技术介绍
目前的光伏组件中，常会出现严重影响光伏组件运行的可靠性和稳定性的电势诱导衰减现象，在发生电势诱导衰减现象的光伏组件中，光伏组件的金属边框会产生巨大的电压，影响与其四周相邻的太阳能电池片，金属边框上形成的强大电场会使光伏组件的玻璃中游离的钠钙等金属离子迁移至太阳能电池片的表面，这些汇集在太阳能电池片表面的金属离子会进一步扩散至太阳能电池片的内部材料中，从而影响太阳能电池片的光电转换效率等各种电性能参数。电势诱导衰减现象可使光伏组件损失50％以上的功率，会对大规模使用光伏组件的电站造成巨大的损失。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供抗电势诱导衰减的光伏组件，来解决上述问题。为了实现上述的目的，本技术采用了如下的技术方案：一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板、第一EVA层、太阳能电池片层、第二EVA层和玻璃，所述太阳能电池片层包括呈阵列排布的多个太阳能电池片，所述第二EVA层和所述玻璃之间设置有氮化硅薄膜层，所述氮化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃中的金属离子朝所述太阳能电池片迁移。优选地，所述多个太阳能电池片组成的阵列包括排布在所述阵列的边缘上的外侧太阳能电池片，所述氮化硅薄膜层为环状结构，所述氮化硅薄膜层在所述太阳能电池片层上的投影至少完全覆盖所述外侧太阳能电池片。优选地，所述氮化硅薄膜层为完整平面结构，所述氮化硅薄膜层在太阳能电池片层上的投影至少完全覆盖所述多个太阳能电池片。优选地，所述氮化硅薄膜层的厚度为60nm～80nm。优选地，所述氮化硅薄膜层的折射率为1.9～2.3。优选地，所述氮化硅薄膜层和所述玻璃之间还设置有二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃中的金属离子朝所述太阳能电池片迁移。优选地，所述二氧化硅薄膜层的折射率为1.4～1.5，所述二氧化硅薄膜层的厚度为15nm～25nm。本技术还提供了另一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板、第一EVA层、太阳能电池片层、第二EVA层和玻璃，所述太阳能电池片层包括呈阵列排布的多个太阳能电池片，所述第二EVA层和所述玻璃之间设置有二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃中的金属离子朝所述太阳能电池片迁移。优选地，所述二氧化硅薄膜层的折射率为1.4～1.5，所述二氧化硅薄膜层的厚度为15nm～25nm。本技术提供的抗电势诱导衰减的光伏组件，通过在光伏组件的第二EVA层和玻璃之间设置氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层，有效地阻挡了所述玻璃中钠离子和钙离子等游离的金属离子迁移至光伏组件的太阳能电池片层上，以此削弱了电势诱导衰减现象对光伏组件造成的影响，而且所述氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层还可以作为减反射膜，减少所述光伏组件对太阳光的反射，提高入射光的吸收率，可起到提高光伏组件的光电转换效率的作用。附图说明图1是本技术实施例1提供的一种抗电势诱导衰减的光伏组件的结构示意图；图2是本技术实施1提供的光伏组件中的氮化硅薄膜层在太阳能电池片层上的投影示意图；图3是本技术实施例2提供的一种抗电势诱导衰减的光伏组件的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本技术的实施方式仅仅是示例性的，并且本技术并不限于这些实施方式。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本技术，在附图中仅仅示出了与根据本技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了关系不大的其他细节。实施例1参阅图1和图2所示，本实施例提供了一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板1、第一EVA层2、太阳能电池片层3、第二EVA层4和玻璃5，所述太阳能电池片层3包括呈阵列排布的多个太阳能电池片31，其中，所述第二EVA层4和所述玻璃5之间设置有氮化硅薄膜层6，所述氮化硅薄膜层6用于阻挡所述玻璃5中的金属离子朝所述太阳能电池片31迁移。所述抗电势诱导衰减的光伏组件通过在所述第二EVA层4和所述玻璃5之间设置氮化硅薄膜层6，阻挡了所述玻璃5中游离的金属离子朝所述太阳能电池片31迁移，有效地减弱了所述光伏组件发生的电势诱导衰减现象，避免所述光伏组件的光电转换效率受到影响。而且所述氮化硅薄膜层6还可以作为减反射膜，减少所述光伏组件对太阳光的反射作用，提高入射光的吸收率，起到了提高光伏组件的光电转换效率和发电量的作用。作为本实施例的一种实施方式，所述多个太阳能电池片31组成的阵列包括排布在所述阵列的边缘上的外侧太阳能电池片31a，所述氮化硅薄膜层6为环状结构，所述氮化硅薄膜层6在所述太阳能电池片层3上的投影至少完全覆盖所述外侧太阳能电池片31a。上述抗电势诱导衰减的光伏组件封装于金属边框内，而由于在所述金属边框产生的电场作用下，所述光伏组件将受到从所述光伏组件的中心至所述光伏组件上邻近所述金属边框的边缘呈梯度状逐渐递增的影响，所述玻璃5中的钠离子和钙离子等游离的金属离子主要朝向所述外侧太阳能电池片31a处迁移。因此，具体地，如上实施方式所述，沿平行于所述玻璃5朝向所述太阳能电池片层3的方向上，通过将所述氮化硅薄膜层6的结构设置为其在所述太阳能电池片层3上的投影至少完全覆盖所述外侧太阳能电池片31a，即可达到阻挡所述玻璃5上绝大部分的金属离子朝向所述太阳能电池片31迁移的目的，可起到大幅削减电势诱导衰减现象对所述光伏组件产生的影响的作用。作为本实施例的另一种实施方式，所述氮化硅薄膜层6为完整平面结构，所述氮化硅薄膜层6在太阳能电池片层3上的投影至少完全覆盖所述多个太阳能电池片31。具体地，如上实施方式所述，沿平行于所述玻璃5朝向所述太阳能电池片层3的方向上，所述氮化硅薄膜层6在太阳能电池片层3上的投影完全覆盖所述多个太阳能电池片31，也即是将所述氮化硅薄膜层6设置为完全覆盖所述多个太阳能电池片31的完整平面结构。在本实施例中，优选地，平行于所述玻璃5朝向所述太阳能电池片层3的方向上，所述氮化硅薄膜层6在所述太阳能电池片层3上的正投影与所述外侧太阳能电池片31a重合，也即是所述氮化硅薄膜层6的边界与所述外侧太阳能电池片31a的边界相互重合，使所述氮化硅薄膜层6可恰好覆盖所述外侧太阳能电池片31a。具体地，所述氮化硅薄膜层6的厚度为60nm～80nm。具体地，所述氮化硅薄膜层6的折射率为1.9～2.3。示例性地，所述玻璃5为低铁压花钢化玻璃，所述玻璃5的厚度为2.9mm～3.5mm，所述玻璃5对太阳光直射投射比大于90％。进一步地，所述氮化硅薄膜层6和所述玻璃5之间还设置有二氧化硅薄膜层7，所述二氧化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃5中的金属离子朝所述太阳能电池片31迁移。所述二氧化硅薄膜层7贴覆于所述玻璃5的底面上，不仅可以进一步阻挡所述玻璃5中钠离子和钙离子等游离的金属离子迁移至所述外侧太阳能电池片31a上，还可以阻挡所述玻璃5中的金属离子迁移至所述太阳能电池片层3的其他太阳能电池片上，避免了因为除所述玻璃5中朝所述外侧太阳能电池片31a迁移的大部分金属离子外，存在少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板(1)、第一EVA层(2)、太阳能电池片层(3)、第二EVA层(4)和玻璃(5)，所述太阳能电池片层(3)包括呈阵列排布的多个太阳能电池片(31)，其特征在于，所述第二EVA层(4)和所述玻璃(5)之间设置有氮化硅薄膜层(6)，所述氮化硅薄膜层(6)用于阻挡所述玻璃(5)中的金属离子朝所述太阳能电池片(31)迁移，所述多个太阳能电池片(31)组成的阵列包括排布在所述阵列的边缘上的外侧太阳能电池片(31a)，所述氮化硅薄膜层(6)为环状结构，所述氮化硅薄膜层(6)在所述太阳能电池片层(3)上的正投影至少完全覆盖所述外侧太阳能电池片(31a)，所述氮化硅薄膜层(6)和所述玻璃(5)之间还设置有二氧化硅薄膜层(7)，所述二氧化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃(5)中的金属离子朝所述太阳能电池片(31)迁移。

【技术特征摘要】
1.一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板(1)、第一EVA层(2)、太阳能电池片层(3)、第二EVA层(4)和玻璃(5)，所述太阳能电池片层(3)包括呈阵列排布的多个太阳能电池片(31)，其特征在于，所述第二EVA层(4)和所述玻璃(5)之间设置有氮化硅薄膜层(6)，所述氮化硅薄膜层(6)用于阻挡所述玻璃(5)中的金属离子朝所述太阳能电池片(31)迁移，所述多个太阳能电池片(31)组成的阵列包括排布在所述阵列的边缘上的外侧太阳能电池片(31a)，所述氮化硅薄膜层(6)为环状结构，所述氮化硅薄膜层(6)在所述太阳能电池片层(3)上的正投影至少完全覆盖所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：常纪鹏，张治，卢刚，何凤琴，钱俊，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，
类型：新型
国别省市：青海,63