一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构制造技术

本发明专利技术公开了一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构，用于过滤780nm以上波长的红外光，包括：光敏IC、以及用于过滤红外光透过可见光的涂层，所述涂层镀膜于光敏IC的受光窗口表面，所述涂层为用于过滤红外光的纳米红外吸收剂，所述涂层的厚度为5um‑50um。本发明专利技术通过在光敏IC的受光窗口表面镀膜过滤红外光线的涂层，涂层可过滤红外光而透过可见光，使光敏IC实现光电转换，光电转换的电流一致性好，提升产品的生产效率，保证产品在使用过程的可靠性，将产品的良品率提高，结构简单，容易生产。

A photosensitive IC chip surface covered with infrared filter layer structure

The invention discloses a structure of an infrared filter layer covering the surface of a photosensitive IC chip, which is used to filter infrared light of wavelengths above 780 nm, including a photosensitive IC and a coating for filtering infrared light through visible light. The coating is coated on the surface of a photosensitive IC's light-receiving window, and the coating is a nano-infrared absorption used to filter infrared light. The thickness of the coating is 5um 50um. The coating can filter infrared light and pass through visible light by coating on the surface of the receiving window of the photosensitive IC, so that the photosensitive IC can realize photoelectric conversion, the current consistency of the photoelectric conversion is good, the production efficiency is improved, the reliability of the product in use process is guaranteed, and the yield of the product is improved. The structure is simple and easy to produce.

【技术实现步骤摘要】
一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构
本专利技术涉及光敏IC领域，尤其涉及的是一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构。
技术介绍
现有技术中，光敏IC需要将红外线光过滤掉，而使可见光穿过，让光敏IC得以实现光电转换。传统的做法是使用含有砷化镉物质的光敏电阻另加滤光片进行结合使用，此种方式的缺陷是容易受潮，从而改变电阻值令到产品不稳定，加工以及安装都不便利，使用过程中会出现滤光片掉落的情况。另一种传统的做法是使用光敏三极管外封环氧树脂中添加纳米碳红外过滤剂，此做法对产品输出的光流值一致性产生影响，导致电流参数上下限过大。另外光敏三极管有严重的温漂特性，当使用的环境温度上升之后光敏三极管会出现漏电导致失效。因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种结构简单，容易安装，红外光过滤效果好的光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构。本专利技术的技术方案如下：一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构，用于过滤780nm以上波长的红外光，包括：光敏IC、以及用于过滤红外光透过可见光的涂层，所述涂层镀膜于光敏IC的受光窗口表面，所述涂层为用于过滤红外光的纳米红外吸收剂，所述涂层的厚度为5um-50um。采用上述技术方案，所述的光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构中，所述涂层的厚度为18um-25um。采用上述各个技术方案，本专利技术通过在光敏IC的受光窗口表面镀膜过滤红外光线的涂层，涂层可过滤红外光而透过可见光，使光敏IC实现光电转换，光电转换的电流一致性好，提升产品的生产效率，保证产品在使用过程的可靠性，将产品的良品率提高，结构简单，容易生产。同时避免了产品因严重的温漂特性而失效的严重问题。附图说明图1为本专利技术的平面示意图；图2为本专利技术的截面示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例，对本专利技术进行详细说明。本实施例提供了一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构，用于过滤780nm以上波长的红外光，包括：光敏IC1、以及用于过滤红外光透过可见光的涂层3，所述涂层3镀膜于光敏IC1的受光窗口表面，所述涂层3为用于过滤红外光的纳米红外吸收剂，所述涂层3的厚度为5um-50um。如图1和图2所示，本实施例中，光敏IC1生产出来后，采用镀膜工艺在光敏IC1的受光区镀一层涂层3，其中，光敏IC1的焊线点2不需要镀膜。涂层3可以过滤掉780nm以上波长的红外光，而可见光穿过涂层3，与光敏IC1的受光元件发生光电反应，以使光电电流保持一致性。本实施例中的镀膜涂层3可以有效过滤98％以上的红外光，使可见光的透过率在85％以上。由于是在光敏IC1的表面采用镀膜工艺，涂层3镀于光敏IC1表面后不会脱落，相较于传统工艺，可有效提成产品的可靠性以及良品率。本实施例中的涂层3为纳米红外吸收剂，厚度为5um-50um。在涂层3越厚的情况下可以使红外光的过滤效果越好，但随着厚度的增加，可见光的透光率也随之降低，无法使光敏IC1产生正常的光电转换。故，需要控制涂层3的厚度，使涂层3的红外光过滤与可见光的透过综合性能最优。本实施例中的涂层3厚度在5um-50um时，可使涂层3的红外光过滤和可见光透过综合效果较好。进一步的，为了使涂层3的红外光过滤和可见光透过效果最理想，所述涂层3的厚度为18um-25um。如此，在有效截止红外光的穿过情况下，而不干扰光敏IC1的受光工作，将涂层3的厚度设为18um-25um。涂层3的厚度可以是18um-25um中的任意数值，比如18um、19um、20um、21um、22um、23um、24um以及25um，本实施例不做过多的限制，仅根据实际的需要而设定。采用上述各个技术方案，本专利技术通过在光敏IC的受光窗口表面镀膜过滤红外光线的涂层，涂层可过滤红外光而透过可见光，使光敏IC实现光电转换，光电转换的电流一致性好，提升产品的生产效率，保证产品在使用过程的可靠性，将产品的良品率提高，结构简单，容易生产。同时避免了产品因严重的温漂特性而失效的严重问题。以上仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构，用于过滤780nm以上波长的红外光，其特征在于：包括：光敏IC、以及用于过滤红外光透过可见光的涂层，所述涂层镀膜于光敏IC的受光窗口表面，所述涂层为用于过滤红外光的纳米红外吸收剂，所述涂层的厚度为5um‑50um。

【技术特征摘要】
1.一种光敏IC芯片表面覆盖红外过滤层结构，用于过滤780nm以上波长的红外光，其特征在于：包括：光敏IC、以及用于过滤红外光透过可见光的涂层，所述涂层镀膜于光敏IC的受光窗口表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利循，丘志明，王小循，
申请(专利权)人：深圳市循州电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44