一种气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术属于气相沉积技术领域，具体涉及一种气相沉积设备；其包括驱动装置、腔体和设置在所述腔体内部的基座、喷淋头和至少三个顶杆；所述腔体的底部设置有穿孔，所述驱动装置穿过所述穿孔与所述基座传动连接；所述喷淋头设置在所述基座的上方，所述基座上设置有与所述顶杆的数量相匹配的通孔，所述顶杆的底端穿过所述通孔并竖直的设置在所述腔体的底面，所述顶杆的顶端设置有石墨涂层。该气相沉积设备中的顶杆的顶部表面设置有石墨涂层，因为石墨涂层的导热性良好，使顶杆与沉积体之间的温差最小化，从而减小沉积体与顶杆接触的位置的印痕。

A vapor deposition equipment

The utility model belongs to the technical field of vapor deposition, in particular to a vapor deposition device, which comprises a driving device, a cavity and a base, a sprinkler head and at least three ejector rods arranged in the inner part of the cavity, and a perforation is arranged at the bottom of the cavity, and the driving device is connected with the base through the perforation. The sprinkler head is arranged above the base, and a through hole matching the number of the ejector rod is arranged on the base. The bottom end of the ejector rod passes through the through hole and is vertically arranged at the bottom of the cavity. A graphite coating is arranged at the top of the ejector rod. A graphite coating is arranged on the top surface of the ejector rod in the vapor deposition equipment, because the graphite coating has good thermal conductivity, the temperature difference between the ejector rod and the depositor is minimized, thereby reducing the imprint of the position where the depositor contacts the ejector rod.

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积设备
本技术属于气相沉积
，具体涉及一种气相沉积设备。
技术介绍
为了开发新的产品将半导体以及显示面板等表面生成镀膜而使用的气相沉积方法在普遍的使用。现有的气相沉积设备中，在沉积设备工作时，沉积体均是放置在基座上，再由电机控制基座上、下运动；当电机控制基座向下运动时，沉积体则被顶杆支撑固定，并保持在原来的位置上；顶杆的顶部一般采用的是铝+阳极化膜制成，具有良好的耐磨性，但是，使用铝+阳极化膜支撑的顶部导热性不是很好，所以，顶杆的顶部与沉积体接触的位置的温度不同，从而导致在沉积体上与顶杆接触的位置处出现印痕。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的上述问题，本技术提供一种气相沉积设备，在顶杆的顶部即与沉积体接触的位置设置有石墨涂层，因为石墨涂层与一般的铝+阳极化膜有更好的导热性，使顶杆与沉积体之间的温差降低，从而使沉积体的印痕减小。本技术通过以下技术方案具体实现：一种气相沉积设备，包括驱动装置、腔体和设置在所述腔体内部的基座、喷淋头和至少三个顶杆；所述腔体的底部设置有穿孔，所述驱动装置穿过所述穿孔与所述基座传动连接；所述喷淋头设置在所述基座的上方，所述基座上设置有与所述顶杆的数量相匹配的通孔，所述顶杆的底端穿过所述通孔并竖直的设置在所述腔体的底面，所述顶杆的顶端设置有石墨涂层。作为本技术的进一步优化，所述顶杆上套设有套管，且所述套管的顶端与所述基座的底面连接；所述套管的上部的圆周侧壁上均匀的设置有至少两个第一贯通口，所述套管的下部的圆周侧壁上均匀的设置有至少两个第二贯通口，且所有的所述第一贯通口与所述第二贯通口内均转动设置有滑辊，所述滑辊与所述顶杆的圆周侧壁相切，且所述滑辊沿所述顶杆的长度方向滚动。作为本技术的进一步优化，所述第一贯通口的数量为四个。作为本技术的进一步优化，所述第二贯通口的数量为四个。作为本技术的进一步优化，所述通孔包括连通的上通孔和下通孔，所述上通孔的尺寸与所述顶杆的尺寸相匹配，所述下通孔的尺寸与所述套管的尺寸相匹配。作为本技术的进一步优化，所述套管的顶部设置有环形的凸台，且所述下通孔的顶部设置与所述凸台相匹配的凹槽。作为本技术的进一步优化，所述套管通过连接件固定在所述基座上。作为本技术的进一步优化，所述驱动装置包括电机、传动机构和驱动杆，且所述电机输出端通过所述传动机构与所述驱动杆输入端传动连接，所述驱动杆的输出端与所述基座连接。作为本技术的进一步优化，所述顶杆的顶部设置有垫块，所述垫块由碳化硅制成，且所述垫块的外表面设置有石墨涂层。作为本技术的进一步优化，所述基座的顶面设置有与所述垫块相匹配的沉槽。综上所述，本技术具有以下技术效果：该气相沉积设备中的顶杆的顶部表面设置有石墨涂层，因为石墨涂层的导热性良好，使顶杆与沉积体之间的温差最小化，从而减小沉积体与顶杆接触的位置的印痕。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术一种气相沉积设备的结构示意图；图2是本技术一种气相沉积设备中的套管的结构示意图；图3是本技术一种气相沉积设备中的套管的顶部的结构示意图；图4是本技术一种气相沉积设备中的套管的截面图。附图标记：1、腔体；2、基座；31、驱动杆；32、电机；4、喷淋头；5、顶杆；6、套管；71、第一贯通口；72、第二贯通口；8、滑辊；91、上通孔；92、下通孔；10、凸台；11、垫块；12、沉槽。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本技术所保护的范围。实施例一：如图1、图2、图3和图4所示，一种气相沉积设备，包括驱动装置、腔体1和设置在所述腔体1内部的基座2、喷淋头4和至少三个顶杆5；所述腔体1的底部设置有穿孔，所述驱动装置穿过所述穿孔与所述基座2传动连接；所述喷淋头4设置在所述基座2的上方，所述基座2上设置有与所述顶杆5的数量相匹配的通孔，所述顶杆5的底端穿过所述通孔并与所述腔体1内部的底面连接，所述顶杆5的顶端设置有石墨涂层。基于上述结构所述的一种气相沉积设备，通过在顶杆5的顶部设置有石墨涂层，使顶杆5在支撑沉积体时，顶杆5与沉积体的接触面的温差最小化，从而使沉积体的表面的印痕减小。在使用该气相沉积设备时，将沉积体放置在基座2上，并通过基座2对沉积体进行加热，使沉积体的温度达到沉积时所需的温度，然后向腔体1内部加入反应气体，通过喷淋头4使反应气体均匀的分散，使得沉积体的表面形成覆膜，从而达到沉积的效果。优化的，为了使沉积体的温度达到沉积时所需的温度，在基座2的内部设置有加热装置，且该加热装置与外部的电源电连接；通过加热装置使沉积体达到沉积工艺所需的温度。优化的，在腔体1的侧壁上开设有取放口，在取放口上设置有用于开/闭取放口的盖体；该气相沉积设备在工作时，盖体处于关闭状态；在沉积工作完成时，将腔体1上的盖体打开，可以由外部通过取放口将腔体1内部的沉积体取出。优化的，在基座2靠近喷淋头4的一面设置有支撑部，可以将沉积体放置在支撑部上。优化的，在顶杆5上设置有套管6，且该套管6的顶部与基座2的底面连接，使套管6可以随着基座2一起运动；在套管6的上部的圆周侧壁上开设有至少两个第一贯通口71，套管6的下部的圆周侧壁上开设有至少两个第二贯通口72，且在所有的第一贯通口71与第二贯通口72内均设置有滑辊8，该滑辊8与顶杆5的圆周侧壁相切；当套管6随着基座2上、下移动时，滑辊8始终与顶杆5的圆周侧壁相切，因此，滑辊8将套管6与顶杆5之间的间隙消除，使套管6随着基座2上、下移动时，不会出现偏移的情况，从而使基座2的位置始终保持在水平的状态，有效的防止沉积体从基座2上落下，导致沉积体出现变形或者损坏的情况的发生。优化的，第一贯通口71的数量为四个，且四个第一贯通口71均匀的设置在套管6的上部的圆周侧壁上。优化的，第二贯通口72的数量也为四个，且四个第二贯通口72均匀的设置在套管6的下部的圆周侧壁上；套管6中所有的第一贯通口71和第二贯通口72均设置有滑辊8，从而使基座2在上升或者下降时更加的稳定。优化的，通孔包括连通的上通孔91和下通孔92，上通孔91的尺寸与顶杆5的尺寸相匹配，下通孔92的尺寸与套管6的尺寸相匹配；因此，上通孔91的尺寸小于下通孔92的尺寸，套管6的顶部设置在下通孔92内，此时，套管6的顶部与上通孔91和下通孔92的连接处的位置连接，对套管6起到一个限位的作用，从而避免了套管6穿过基板的底部，导致套管6将基板上的沉积体损坏的情况的发生。优选的，套管6为圆形管状结构，顶杆5的横截面的形状也为圆形。优化的，套管6通过连接件与固定连接在基座上。具体的，套管6的管身外径小于套管6的上部外径，并于套管6的管身与套管6的上部的连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相沉积设备，其特征在于：包括驱动装置、腔体(1)和设置在所述腔体(1)内部的基座(2)、喷淋头(4)和至少三个顶杆(5)；所述腔体(1)的底部设置有穿孔，所述驱动装置穿过所述穿孔与所述基座(2)传动连接；所述喷淋头(4)设置在所述基座(2)的上方，所述基座(2)上设置有与所述顶杆(5)的数量相匹配的通孔，所述顶杆(5)的底端穿过所述通孔并竖直的设置在所述腔体(1)的底面，所述顶杆(5)的顶端设置有石墨涂层。

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积设备，其特征在于：包括驱动装置、腔体(1)和设置在所述腔体(1)内部的基座(2)、喷淋头(4)和至少三个顶杆(5)；所述腔体(1)的底部设置有穿孔，所述驱动装置穿过所述穿孔与所述基座(2)传动连接；所述喷淋头(4)设置在所述基座(2)的上方，所述基座(2)上设置有与所述顶杆(5)的数量相匹配的通孔，所述顶杆(5)的底端穿过所述通孔并竖直的设置在所述腔体(1)的底面，所述顶杆(5)的顶端设置有石墨涂层。2.根据权利要求1所述的一种气相沉积设备，其特征在于：所述顶杆(5)上套设有套管(6)，且所述套管(6)的顶端与所述基座(2)的底面连接；所述套管(6)的上部的圆周侧壁上均匀的设置有至少两个第一贯通口(71)，所述套管(6)的下部的圆周侧壁上均匀的设置有至少两个第二贯通口(72)，且所有的所述第一贯通口(71)与所述第二贯通口(72)内均转动设置有滑辊(8)，所述滑辊(8)与所述顶杆(5)的圆周侧壁相切，且所述滑辊(8)沿所述顶杆(5)的长度方向滚动。3.根据权利要求2所述的一种气相沉积设备，其特征在于：所述第一贯通口(71)的数量为四个。4.根据权利要求3所述的一种气相沉积设备，其特征在于：所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔日，
申请(专利权)人：崔日，
类型：新型
国别省市：吉林,22