The invention discloses an interlayer film deposition method, which comprises the following steps: step 1, placing a wafer in the deposition process chamber of the interlayer film and positioning the wafer at the first angle. Step two, the first interlayer film is deposited to form the first part of the interlayer membrane. Step three, transform the wafer to the second angle from the angle of the deposition process chamber. Step four, second interlayer deposition to form second parts of the interlayer membrane. Step 5. Repeat more than 0 steps 3 angle transformation and step 4 interlayer film deposition continue to superimpose more than 0 layers of follow-up part of the interlayer film, by each part of the interlayer film superposition to form the desired thickness of the interlayer film. The invention can improve the in-plane uniformity of the thickness of the interlayer film deposited in the single deposition process chamber, and has the advantages of simple process, low cost, avoiding cross-contamination between the process chambers, improving the utilization ratio of the process chamber, improving the production efficiency and the shipment quantity.
【技术实现步骤摘要】
层间膜的沉积方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法,特别是涉及一种层间膜(ILD)的沉积方法。
技术介绍
层间膜主要形成于金属层之前并用于实现金属层之间的隔离,金属层之间通过穿过层间膜的接触孔或通孔连接,层间膜的均匀性对半导体器件的性能具有重要影响。在半导体集成电路中,半导体衬底如硅衬底通常采用晶体结构的圆片,故半导体集成电路制造中的衬底通常采用晶圆,层间膜通常采用化学气相沉积(CVD)工艺形成,CVD中包括等离子体加强化学气相沉积(PECVD),现有技术中层间膜采用较多的CVD为PECVD。现有层间膜的沉积工艺主要是采用一次沉积形成,首先是将晶圆放置到层间膜的沉积工艺腔;之后在沉积工艺腔进行CVD工艺一次性沉积形成所需厚度的层间膜。现有层间膜沉积工艺中,往往会出现层间膜的厚度在整个晶圆的面内不均匀的情形,主要表现为晶圆上的部分区域的层间膜的厚度较厚、部分区域的厚度较薄,特别是晶圆的边缘部分和中心部分的厚度会有差异;当同一晶圆上的层间膜的最大厚度和最小厚度相差较大时,则会影响层间膜的性能并最后对整个产品的性能造成影响。这种现有层间膜的沉积工艺之所以会造成层间膜的面内均匀性较差,原因主要和沉积工艺腔本身的特征相关,主要为:1、沉积工艺腔的尺寸。2、在沉积工艺腔中形成反应物对应的等离子体分布的均匀性。3、沉积工艺腔的尾气排放口的位置设置。4、沉积工艺腔的工艺气体进气口的设置。5、加热器形成的温度分布的均匀性,加热器主要设置在晶圆载片台上,在晶圆放置在晶圆载片台上后通过加热器对晶圆进行背面加热。上面这些影响因素都是沉积工艺腔的本身固有的特性,不同的沉积工 ...
【技术保护点】
1.一种层间膜的沉积方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一由半导体衬底组成的晶圆,将所述晶圆放置在层间膜的沉积工艺腔中并定位在第一角度;步骤二、进行第一次层间膜沉积在所述晶圆表面形成第一部分层间膜;步骤三、将所述晶圆在所述沉积工艺腔的角度变换到第二角度;步骤四、进行第二次层间膜沉积在所述晶圆的所述第一部分层间膜表面形成第二部分层间膜;步骤五、重复0次以上的步骤三的角度变换和步骤四的层间膜沉积在所述第二部分层间膜的表面上继续叠加0层以上的后续部分层间膜,由所述第一部分层间膜、所述第二部分层间膜和各后续部分层间膜叠加形成所需厚度的层间膜;所述沉积工艺腔的单次层间膜沉积工艺在所述沉积工艺腔的各位置的形成速率趋于固定且各位置之间的形成速率具有差别从而使所述沉积工艺腔的单次层间膜沉积工艺形成的单次层间膜的厚度面内均匀性较差,利用转动所述晶圆的角度使各角度位置对应形成的部分层间膜之间的厚度产生互补并使所述层间膜的厚度面内均匀性提高。
【技术特征摘要】
1.一种层间膜的沉积方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一由半导体衬底组成的晶圆,将所述晶圆放置在层间膜的沉积工艺腔中并定位在第一角度;步骤二、进行第一次层间膜沉积在所述晶圆表面形成第一部分层间膜;步骤三、将所述晶圆在所述沉积工艺腔的角度变换到第二角度;步骤四、进行第二次层间膜沉积在所述晶圆的所述第一部分层间膜表面形成第二部分层间膜;步骤五、重复0次以上的步骤三的角度变换和步骤四的层间膜沉积在所述第二部分层间膜的表面上继续叠加0层以上的后续部分层间膜,由所述第一部分层间膜、所述第二部分层间膜和各后续部分层间膜叠加形成所需厚度的层间膜;所述沉积工艺腔的单次层间膜沉积工艺在所述沉积工艺腔的各位置的形成速率趋于固定且各位置之间的形成速率具有差别从而使所述沉积工艺腔的单次层间膜沉积工艺形成的单次层间膜的厚度面内均匀性较差,利用转动所述晶圆的角度使各角度位置对应形成的部分层间膜之间的厚度产生互补并使所述层间膜的厚度面内均匀性提高。2.如权利要求1所述的层间膜的沉积方法,其特征在于:所述半导体衬底为硅衬底。3.如权利要求1所述的层间膜的沉积方法,其特征在于:在所述晶圆上具有角度定位用的凹口。4.如权利要求3所述的层间膜的沉积方法,其特征在于:对所述晶圆的角度定位和转动在所述沉积工艺腔中实现,通过设置在所述沉积工艺腔中的角度传感器检测所述晶圆的凹口位置实现对所述晶圆的角度定位,所述沉积工艺腔的晶圆承载台具有转动功能并通过转动所述晶圆承载台实现所述晶圆的转动。5.如权利要求3所述的层间膜的沉积方法,其特征在于:对所述晶圆的角度定位和转动在定位腔中实现,所述定位腔位于所述沉积工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘志通,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。