The present invention discloses a chemical vapor deposition equipment, including a compression cooling system, a first intake pipe, a reaction chamber, and an exhaust pipe. The first intake pipe connects the compressed cooling system and the reaction chamber to transfer the compressed cooling gas produced by the compressed cooling system to the reaction chamber. The exhaust pipe communicates with the reaction chamber to discharge the gas inside the reaction chamber. The invention can effectively reduce the cooling time of the reaction chamber and further improve the crop moving rate.
【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积设备
本专利技术涉及化学气相沉积
，特别涉及一种化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积法(CVD，ChemicalVaporDeposition)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，其可以用来沉积大多数的绝缘材料、金属材料和金属合金材料。反应腔室是CVD设备最重要的组成部分，其长时间运行后，需定期对其开腔并进行保养。反应腔室的工艺温度一般较高。现有的CVD设备在反应腔室开腔前，降温冷却耗时很长，大大降低了设备的稼动率。
技术实现思路
本专利技术提供一种化学气相沉积设备，能够有效降低反应腔冷却时间，进而提高设备稼动率。本专利技术采用下述技术方案：一种化学气相沉积设备，包括压缩冷却系统、第一进气管道、反应腔室以及排气管道，所述第一进气管道连通所述压缩冷却系统与所述反应腔室，以将所述压缩冷却系统所产生的压缩冷却气体传输至所述反应腔室；所述排气管道连通所述反应腔室，以排出所述反应腔室内部的气体。进一步地，所述化学气相沉积设备还包括第二进气管道，所述压缩冷却系统包括压缩机以及冷凝器，所述压缩机与冷凝器通过所述第二进气管道连通，所述冷凝器...
【技术保护点】
1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括压缩冷却系统、第一进气管道、反应腔室以及排气管道，所述第一进气管道连通所述压缩冷却系统与所述反应腔室，以将所述压缩冷却系统所产生的压缩冷却气体传输至所述反应腔室；所述排气管道连通所述反应腔室，以排出所述反应腔室内部的气体。
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括压缩冷却系统、第一进气管道、反应腔室以及排气管道，所述第一进气管道连通所述压缩冷却系统与所述反应腔室，以将所述压缩冷却系统所产生的压缩冷却气体传输至所述反应腔室；所述排气管道连通所述反应腔室，以排出所述反应腔室内部的气体。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括第二进气管道，所述压缩冷却系统包括压缩机以及冷凝器，所述压缩机与冷凝器通过所述第二进气管道连通，所述冷凝器通过所述第一进气管道与所述反应腔室连通。3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述压缩冷却系统还包括压力计，所述压力计连接在所述第二进气管道上。4.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括第三进气管道，所述压缩冷却系统还包括过滤器，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：檀长兵，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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