The present application discloses a patterning method for ITO thin films. A patterned mask layer is formed on the top of the ITO thin films. The method comprises: removing the ITO thin films uncovered by the mask layer by wet etching method; removing the mask layer to obtain the patterned ITO thin films; wherein the wet etching solution adopted by the wet etching method is Mixed solution of oxidizing acid, moderate strength acid and weak acid, the temperature of the solution is controlled between 20 and 60 degrees centigrade. Among them, oxidizing acid and moderate strength acid can oxidize ITO, weak acid is the corrosion inhibitor of mixed solution, maintain the pH value of mixed solution, make the reaction rate stable and reliable, at the same time, have a high etching selectivity ratio to the mask and substrate, improve the quality of ITO graphics. Therefore, the wet etching method can achieve a high selective ratio of corrosion solution under the premise of safety and stability, and then obtain high quality ITO graphics.
【技术实现步骤摘要】
一种ITO薄膜的图案化方法
本申请涉及半导体器件加工工艺
,尤其涉及一种ITO薄膜的图案化方法。
技术介绍
氧化铟锡(ITO)是一种透明导电氧化物半导体材料,具有稳定的化学性质,透光性优良、导电能力良好,作为减反射层和透明电极在太阳能电池、平板显示、防霜玻璃、节能建筑窗、航空航天领域得到了广泛的应用。ITO的图形化一般采用光刻加刻蚀来实现,其中,ITO的刻蚀一般分为干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀需要刻蚀设备(真空等离子系统),而且,干法刻蚀中的等离子体会对ITO下方的材料层存在离子损伤,且大部分干法刻蚀设备为单片通过机械手传输加工,因此,对衬底的强度与刚度有较高的要求,而且,不能批量刻蚀,刻蚀效率较低。现有的ITO的湿法腐蚀工艺中,一般选用单一酸、例如盐酸(HCl),草酸(H2C2O4),或氢氟酸(HF)对ITO进行刻蚀,但是,这些酸存在对其它材料如光刻胶或者石英衬底刻蚀选择比不够高的缺点,如此,通过现有的湿法刻蚀溶液得到的ITO图形不好。而向盐酸中加入锌粉,能够提高腐蚀溶液的选择比,但是锌粉易燃,具有很强的危险性。
技术实现思路
有鉴于此,本申请提供了一种ITO薄膜的图案化方法,以解决上述技术问题。为了解决上述技术问题,本申请采用了如下技术方案:一种ITO薄膜的图案化方法,所述ITO薄膜的上方形成有图案化的掩模层,所述方法包括:通过湿法腐蚀方法去除未被所述掩模层覆盖的ITO薄膜;去除所述掩模层,得到图案化的ITO薄膜;其中,所述湿法腐蚀方法采用的湿法腐蚀溶液为氧化性酸、中等强度酸和弱酸组成的混合溶液,溶液温度控制在20~60℃之间。可选地,组成所述混合溶 ...
【技术保护点】
1.一种ITO薄膜的图案化方法,其特征在于,所述ITO薄膜的上方形成有图案化的掩模层,所述方法包括:通过湿法腐蚀方法去除未被所述掩模层覆盖的ITO薄膜;去除所述掩模层,得到图案化的ITO薄膜;其中,所述湿法腐蚀方法采用的湿法腐蚀溶液为氧化性酸、中等强度酸和弱酸组成的混合溶液,溶液温度控制在20~60℃之间。
【技术特征摘要】
1.一种ITO薄膜的图案化方法,其特征在于,所述ITO薄膜的上方形成有图案化的掩模层,所述方法包括:通过湿法腐蚀方法去除未被所述掩模层覆盖的ITO薄膜;去除所述掩模层,得到图案化的ITO薄膜;其中,所述湿法腐蚀方法采用的湿法腐蚀溶液为氧化性酸、中等强度酸和弱酸组成的混合溶液,溶液温度控制在20~60℃之间。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,组成所述混合溶液的氧化性酸为硝酸,中等强度酸为磷酸,弱酸为醋酸。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述混合溶液中,磷...
【专利技术属性】
技术研发人员:李俊杰,胡艳鹏,崔虎山,杨涛,李俊峰,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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