The utility model discloses a degumming reaction chamber and a wafer cleaning device, belonging to the semiconductor manufacturing technology field, which are suitable for removing light resistance on a wafer. The degumming reaction chamber comprises a plurality of wafer processing stations, the wafer to be processed is placed at the wafer processing station, and a plurality of ejector devices are respectively arranged at the plurality of said wafer processing stations. On a wafer processing station, each ejector device comprises a ejector base and a plurality of ejectors, each ejector including a fixing component and an ejector body vertically arranged on the fixed component, the fixing component is fixed in the ejector base, and each of the fixing components is arranged on one side of the ejector body backward to the ejector body. Set up a pressure sensor. The beneficial effect of the above technical scheme is that a pressure sensor is arranged at the bottom of the thimble in the degumming reaction chamber to obtain the data for calculating the position of the wafer, so that the degumming reaction chamber has a device for detecting the position of the wafer, thereby avoiding the wafer from scratching, dropping or even fragmenting due to collision.
【技术实现步骤摘要】
一种除胶反应腔及晶圆清理设备
本技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种适用于清除晶圆上的光阻的除胶反应腔及晶圆清理设备。
技术介绍
刻蚀技术是半导体器件和集成电路的基本制造工艺。在半导体制造过程中,使用刻蚀技术按照掩模图形或设计要求对晶圆表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离,以在晶圆形成电子元件。在刻蚀前,需要使用在晶圆表面不需要刻蚀的部位覆盖一层光刻胶(光阻)作为保护层,在刻蚀结构后,需要对晶圆进行清洗,包括清除晶圆上的光阻。晶圆的除胶过程在晶圆清理设备的除胶反应室内完成。除胶反应室内具有晶圆处理工位,在晶圆处理工位上设置有多个顶针,用于在晶圆处理前后向上升起,以接收待处理的晶圆,或将处理后的晶圆顶起,以便机械手臂转移晶圆。由于机械手臂抓取或放置晶圆时动作较快,容易导致晶圆产生移动,而现有技术中,除胶反应室不能侦测晶圆的位置,当晶圆产生移动时不能及时的反馈,在晶圆清理设备进行下一步动作时,可能会碰撞晶圆,导致晶圆刮伤,掉片,甚至破片。
技术实现思路
根据现有技术中存在的上述问题,现提供一种除胶反应腔及晶圆清理设备,通过在顶针的底端设置压力传感器,结合现有的算法获得晶圆在除胶反应腔内的位置,旨在解决现有技术中,除胶反应室不能侦测晶圆的位置,当晶圆产生移动时不能及时的反馈,导致晶圆因碰撞而刮伤,掉片,甚至破片的问题。本技术采用如下技术方案:一种除胶反应腔,应用于晶圆清理设备内,适用于清除晶圆上的光阻,包括:多个晶圆处理工位,用以放置待处理的晶圆;多个顶针装置,分别对应设置于多个所述晶圆处理工位上,每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针,每个所述顶针包括固定 ...
【技术保护点】
1.一种除胶反应腔,应用于晶圆清理设备内,适用于清除晶圆上的光阻,其特征在于,包括:多个晶圆处理工位,用以放置待处理的晶圆;多个顶针装置,分别对应设置于多个所述晶圆处理工位上,每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针,每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体,所述固定部件固定于所述顶针基座内;于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。
【技术特征摘要】
1.一种除胶反应腔,应用于晶圆清理设备内,适用于清除晶圆上的光阻,其特征在于,包括:多个晶圆处理工位,用以放置待处理的晶圆;多个顶针装置,分别对应设置于多个所述晶圆处理工位上,每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针,每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体,所述固定部件固定于所述顶针基座内;于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。2.如权利要求1所述的除胶反应腔,其特征在于,所述顶针基座包括:多个顶针容置孔,多个所述固定部件分别对应设置于多个所述顶针容置孔内;多个顶针压圈,分别设置于多个所述顶针容置孔上以将对应的所述固定部件固定在所述顶针基座上;每个所述压力传感器设置于对应的所述顶针压圈和所述固定部件之间。3.如权利要求2所述的除胶反应腔,其特征在于,所述固定部件为圆柱形,并且所述固定部件的直径大于所述顶针本体的直径;每个所述顶针容置孔包括同心设置且相互...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐亚敏,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北,42
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