A method for fabricating a polycrystalline silicon film includes providing a substrate; forming a quantum dot layer on the upper surface of the substrate; forming a amorphous silicon film on the quantum dot layer; and crystallizing the amorphous silicon in the amorphous silicon film to form a polycrystalline silicon film; wherein the quantum dots in the quantum dot layer are formed. The uniform density of the QDs is used as a crystal seed to induce crystallization of amorphous silicon. The fabrication method of the polycrystalline silicon film of the present invention forms quantum dots with controllable size and position on the substrate, and utilizes uniform density quantum dots as crystal seeds for inducing crystallization of amorphous silicon, thereby enlarging the domain size of the polycrystalline silicon and improving the homogeneity of the domain size, thereby improving the mobility and uniformity of the polycrystalline silicon.
【技术实现步骤摘要】
多晶硅薄膜的制作方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种多晶硅薄膜的制作方法。
技术介绍
多晶硅薄膜由于效率稳定性好、光电转换效果高等优点而被广泛的应用于各种光电器件及薄膜晶体管栅极等的制作中。多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类:一类是高温工艺例如低压气相化学气相沉积((LowPressureChemicalVaporDeposition,LPCVD)法、固相晶化法等,制备过程中温度高于600℃,衬底需使用昂贵的石英,但制备工艺较简单。另一类是低温工艺例如准分子激光晶化(ExcimerLaserAnneal,ELA)法,整个加工工艺温度低于600℃,可用廉价玻璃作衬底,因此可以大面积制作,但是制备工艺较复杂。但目前的工艺在对非晶硅进行晶化时,仍然会由于接近完全熔融区作为晶籽(又称为晶种)的未熔融的非晶硅是随机产生的,且大小不够大,因此,作为晶籽的未熔融的非晶硅的密度难以控制,这样就容易导致多晶硅晶畴尺寸较小(一般在0.3-0.4um之间)而造成多晶硅迁移率不高,并容易导致多晶硅晶畴尺寸的均一性差而影响多晶硅迁移率的大小和均匀性。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种能增大多晶硅晶畴尺寸并改善晶畴尺寸的均一性,进而提高多晶硅的迁移率的大小和均匀性的多晶硅薄膜的制作方法。本专利技术提供一种多晶硅薄膜的制作方法,包括提供一基板;在所述基板的上表面形成量子点层;在所述量子点层上形成非晶硅薄膜;以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化,以形成多晶硅薄膜;其中,所述量子点层中的量子点密度均匀,所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。进一步地,利用溶液法或化 ...
【技术保护点】
1.一种多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;在所述基板的上表面形成量子点层;在所述量子点层上形成非晶硅薄膜;以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化,以形成多晶硅薄膜;其中,所述量子点层中的量子点密度均匀,所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;在所述基板的上表面形成量子点层;在所述量子点层上形成非晶硅薄膜;以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化,以形成多晶硅薄膜;其中,所述量子点层中的量子点密度均匀,所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,利用溶液法或化学气相沉积法在所述基板的上表面形成量子点层。3.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,所述量子点层的厚度在1-2nm之间。4.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,所述量子点层中的量子点的直径在2-5nm之间。5.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,所述量...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱阳杰,李俊峰,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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