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多晶硅薄膜的制作方法技术
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文档序号:18865396
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本发明提供一种多晶硅薄膜的制作方法,包括提供一基板;在所述基板的上表面形成量子点层;在所述量子点层上形成非晶硅薄膜;以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化,以形成多晶硅薄膜;其中,所述量子点层中的量子点密度均匀,所述密度均匀的量子点用于作为诱导...
该专利属于昆山国显光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过昆山国显光电有限公司授权不得商用。
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