一种IGBT驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种IGBT驱动电路，包括信号控制模块、高压电源、第一开关模块、第二开关模块、低压电源、IGBT模块，信号控制模块输出导通信号时，控制第一开关模块导通，并控制第二开关模块关断，第一开关模块接通高压电源，使IGBT模块导通；信号控制模块输出关断信号时，控制第一开关模块关断，并控制第二开关模块导通，第二开关模块接通低压电源，使IGBT模块关断；为IGBT模块提供适合的开通电源，以减小导通损耗；以及在IGBT模块控制端施加低压电源，使IGBT模块快速关断，加快了关断速度；满足了IGBT模块驱动电压要求较高和工作频率较高的要求。

A IGBT drive circuit

The utility model provides an IGBT driving circuit, which comprises a signal control module, a high voltage power supply, a first switch module, a second switch module, a low voltage power supply and an IGBT module. When the signal control module outputs a conduction signal, the first switch module is controlled to turn on and the second switch module is controlled to turn off, and the first switch module turns on the high voltage. The IGBT module is switched on by power supply, the IGBT module is switched on by controlling the first switch module when the signal control module outputs the switching off signal, and the second switch module is switched on by controlling the second switch module, and the IGBT module is switched on by switching on the low-voltage power supply by the second switch module. The application of low-voltage power supply makes IGBT module turn off quickly and speeds up the turn-off speed, which meets the requirements of higher driving voltage and higher working frequency of IGBT module.

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动电路
本技术涉及电子电路
，尤其涉及的是一种IGBT驱动电路。
技术介绍
目前，现有的驱动方案是基于IGBT模块设计的，适用于的开关频率较低的工作状态，而碳化硅IGBT在工作时的开关频率较高；此外，而碳化硅IGBT驱动电压要求较高，范围一般为-6V～+22V，如果采用现有的驱动电路将使得碳化硅IGBT增大导通损耗；由于碳化硅IGBT对驱动电压和驱动频率要求不同，现有驱动电路并不适用对碳化硅IGBT的驱动。
技术实现思路
本技术提供一种IGBT驱动电路，可以提供合适的驱动电压，满足较高的工作开关频率。本方法的是这样实现的，本技术第一方面提供一种IGBT驱动电路，包括：信号控制模块、高压电源、第一开关模块、第二开关模块、低压电源、IGBT模块；所述信号控制模块的输出端分别与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接，所述第一开关模块的输入端连接所述高压电源，所述第二开关模块的输入端连接所述低压电源，所述第一开关模块的输出端和所述第二开关模块的输出端共接于所述IGBT模块的控制端；所述信号控制模块输出导通信号时，控制所述第一开关模块导通，并控制所述第二开关模块关断，所述第一开关模块接通所述高压电源，使所述IGBT模块导通；所述信号控制模块输出关断信号时，控制所述第一开关模块关断，并控制所述第二开关模块导通，所述第二开关模块接通所述低压电源，使所述IGBT模块关断。结合本技术第一方面，作为第一方面的第一种实施方式，所述信号控制模块向所述第一开关模块和所述第二开关模块交替输出导通信号和关断信号。结合本技术第一方面的第一种实施方式，作为第一方面的第二种实施方式，所述信号控制模块向所述第一开关模块和所述第二开关模块输出PWM控制信号。结合本技术第一方面，作为第一方面的第三种实施方式，所述第一开关模块为NPN型三极管T1，所述第二开关模块为PNP型三极管；所述NPN型三极管T1的基极、集电极和发射极为所述第一开关模块的控制端、输入端和输出端；所述PNP型三极管的基极、发射极和集电极为所述第二开关模块的控制端、输入端和输出端。结合本技术第一方面，作为第一方面的第四种实施方式，所述IGBT驱动电路还包括光耦驱动电路，所述信号控制模块的输出端与所述光耦驱动电路的输入端与连接，所述光耦驱动电路的输出端与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接。结合本技术第一方面，作为第一方面的第五种实施方式，所述IGBT驱动电路还包括电阻R1和电阻R2；所述电阻R1的第一端与所述信号控制模块的输出端连接；所述电阻R1的第二端与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接；所述电阻R2的第一端与第一开关模块的输出端以及所述第二开关模块的输出端连接；所述电阻R2的第二端与所述IGBT模块的门极连接。结合本技术第一方面，作为第一方面的第六种实施方式，所述IGBT驱动电路还包括有源钳位电路，所述有源钳位电路与所述IGBT模块的门极连接。结合本技术第一方面，作为第一方面的第七种实施方式，所述高压电源设置为+18V～+20V。结合本技术第一方面，作为第一方面的第八种实施方式，所述低压电源50设置为-6V～0V。本实施例提供的一种IGBT驱动电路，信号控制模块输出导通信号时，控制第一开关模块导通，并控制第二开关模块关断，第一开关模块接通所述高压电源，使IGBT模块导通；信号控制模块输出关断信号时，控制第一开关模块关断，并控制第二开关模块导通，第二开关模块接通低压电源，使IGBT模块关断；为IGBT模块提供适合的开通电源，以减小导通损耗；以及在IGBT模块控制端施加低压电源，使IGBT模块快速关断，加快了关断速度；满足了IGBT模块驱动电压要求较高和工作频率较高的要求。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术一种实施例提供的一种IGBT驱动电路的结构示意图；图2是本技术一种实施例提供的一种IGBT驱动电路的电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术一种实施例提供一种IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)驱动电路，如图1所示，该IGBT驱动电路包括：信号控制模块10、高压电源20、第一开关模块30、第二开关模块40、低压电源50、IGBT模块60。信号控制模块10的输出端分别与第一开关模块30的控制端以及第二开关模块40的控制端连接，第一开关模块30的输入端连接高压电源，第二开关模块40的输入端连接低压电源50，第一开关模块30的输出端和第二开关模块40的输出端共接于IGBT模块60的控制端。信号控制模块10输出导通信号时，控制第一开关模块30导通，并控制第二开关模块40关断，第一开关模块30向IGBT模块60输出高电平信号使IGBT模块60导通。信号控制模块10输出关断信号时，控制第一开关模块30关断，并控制第二开关模块40导通，第二开关模块40向IGBT模块60输出低电平信号使IGBT模块60关断。其中，信号输出模块10输出的导通信号和关断信号以某一预设电压值为基准，大于基准电压值为导通信号，低于基准电压值为关断信号，例如，以0V电压为基准电压值，输出大于0V的电压信号时为导通信号，输出低于0V的电压信号为关断信号，作为一种实施方式，信号输出模块10向第一开关模块30和第二开关模块40交替输出导通信号和关断信号，使第一开关模块30和第二开关模块40交替导通和关断，信号输出模块10输出的信号可以为脉冲信号或者PWM(PulseWidthModulation：脉冲宽度调制)信号，即信号输出模块10可以为脉冲信号输出模块或者PWM信号输出模块，优选的，信号控制模块10向第一开关模块30和第二开关模块40输出PWM控制信号，使第一开关模块30和第二开关模块40交替导通和关断，以实现对IGBT模块60开关频率的控制。其中，第一开关模块30和第二开关模块40为相对的两个开关模块，其中一个开关模块处于导通状态时，另一个开关模块处于断开状态，第一开关模块30和第二开关模块40可以为三极管或者场效应管，优选的，第一开关模块30为NPN型三极管T1，第二开关模块40为PNP型三极管；NPN型三极管T1的基极、集电极和发射极为第一开关模块30的控制端、输入端和输出端；PNP型三极管T2的基极、发射极和集电极为第二开关模块40的控制端、输入端和输出端。其中，第一开关模块30连接高压电源20，向IGBT输出高电平信号，该高电平信号为驱动IGBT模块60导通的电压范围，优选的，高压电源20输出的高电平电压位于+18V～+20V之间；第二开关模块40连接低压电源50，向IGBT输出低电平信号，该低电平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：信号控制模块、高压电源、第一开关模块、第二开关模块、低压电源、IGBT模块；所述信号控制模块的输出端分别与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接，所述第一开关模块的输入端连接所述高压电源，所述第二开关模块的输入端连接所述低压电源，所述第一开关模块的输出端和所述第二开关模块的输出端共接于所述IGBT模块的控制端；所述信号控制模块输出导通信号时，控制所述第一开关模块导通，并控制所述第二开关模块关断，所述第一开关模块接通所述高压电源，使所述IGBT模块导通；所述信号控制模块输出关断信号时，控制所述第一开关模块关断，并控制所述第二开关模块导通，所述第二开关模块接通所述低压电源，使所述IGBT模块关断。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：信号控制模块、高压电源、第一开关模块、第二开关模块、低压电源、IGBT模块；所述信号控制模块的输出端分别与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接，所述第一开关模块的输入端连接所述高压电源，所述第二开关模块的输入端连接所述低压电源，所述第一开关模块的输出端和所述第二开关模块的输出端共接于所述IGBT模块的控制端；所述信号控制模块输出导通信号时，控制所述第一开关模块导通，并控制所述第二开关模块关断，所述第一开关模块接通所述高压电源，使所述IGBT模块导通；所述信号控制模块输出关断信号时，控制所述第一开关模块关断，并控制所述第二开关模块导通，所述第二开关模块接通所述低压电源，使所述IGBT模块关断。2.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于：所述信号控制模块向所述第一开关模块和所述第二开关模块交替输出导通信号和关断信号。3.如权利要求2所述的IGBT驱动电路，其特征在于：所述信号控制模块向所述第一开关模块和所述第二开关模块输出PWM控制信号。4.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于：所述第一开关模块为NPN型三极管T1，所述第二开关模块为PNP型三极管；所述NPN型三极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志飞，
申请(专利权)人：南京市比亚迪汽车有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32