一种多电源上电监控电路结构制造技术

一种多电源上电监控电路结构，包括电压基准模块、模拟电源上电监控模块、数字逻辑电源上电监控模块和高压驱动电源上电监控模块、第六反相器(148)、第七反相器(149)、或非门(151)。电压基准模块、模拟电源上电监控模块顺次相连后连接第六反相器(148)的输入端，数字逻辑电源上电监控模块连接第七反相器(149)的输入端，第六反相器(148)的输出端和第七反相器(149)输出端合并为一端连接或非门的输入端，或非门的输出端连接高压驱动电源上电监控模块。只有三个上电监控使能信号均正常时，电路才可以进入正常工作状态，否则电路始终处于禁止输出驱动状态，确保电路在上电过程中遥控遥测部分不会误触发发生错误驱动信号，导致系统故障。

A multi power supply monitoring circuit structure

A multi-source power-on monitoring circuit structure includes a voltage reference module, an analog power-on monitoring module, a digital logic power-on monitoring module, a high-voltage drive power-on monitoring module, a sixth inverter (148), a seventh inverter (149), or a non-gate (151). Voltage reference module and analog power supply power-on monitoring module are connected sequentially to the input of the sixth inverter (148), the digital logic power-on monitoring module is connected to the input of the seventh inverter (149), and the output of the sixth inverter (148) and the output of the seventh inverter (149) are merged into one end-connected or non-gate input, or non-gate input. The output terminal of the door is connected with a high voltage drive power supply monitoring module. Only when the three power-on monitoring enabled signals are normal, the circuit can enter the normal working state, otherwise the circuit is always in the forbidden output drive state, to ensure that the remote control and telemetry part of the circuit in the power-on process will not trigger the wrong driving signal, resulting in system failure.

【技术实现步骤摘要】
一种多电源上电监控电路结构
本技术涉及一种多电源上电监控电路结构，特别是多电源上电监控遥控输出驱动脉冲保护电路。
技术介绍
部分电路需要多电源工作才能实现特定的电路功能，多电源工作时要确保各个独立供电电源电压均达到安全工作区后电路的关键功能才能正常工作。目前在单片集成电路中，常规电源监控采用RC复位或者电阻分压检测电源电压，电路安全工作区确定严重依赖于加工工艺参数，误差较大，监控电压误差较大且与电源上电速度相关性较大，使得电路的可靠性和成品率大幅度降低，难以满足复杂环境下的高可靠应用需求。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种多电源上电监控电路结构，解决了传统电源监控电路由于严重依赖于加工工艺参数，误差较大，监控电压误差较大且与电源上电速度相关性较大，使得电路的可靠性和成品率大幅度降低的问题。本技术的技术方案是：一种多电源上电监控电路结构，包括：电压基准模块、模拟电源上电监控模块、数字逻辑电源上电监控模块和高压驱动电源上电监控模块、第六反相器、第七反相器、或非门；电压基准模块、模拟电源上电监控模块顺次相连后连接第六反相器的输入端，数字逻辑电源上电监控模块连接第七反相器的输入端，第六反相器的输出端和第七反相器输出端合并为一端连接或非门的输入端，或非门的输出端连接高压驱动电源上电监控模块，高压驱动电源上电监控模块向外部输出使能信号。所述电压基准模块包括：NPN管NPN1、NPN管NPN2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、第一运放和第二运放；NPN管NPN1集电极接外部电源，NPN管NPN1基极接第一运放的正输入端和第二运放的输出端，NPN管NPN1发射极接电阻R7的一端和运放负端，第二运放的正输入端接电阻R8一端，第二运放的负输入端接电阻R7的一端，电阻R7的另一端接地；NPN管NPN2集电极接外部电源，NPN管NPN2基极接第一运放的正输入，NPN管NPN2发射极接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电阻R8一端和第二运放正输入端，电阻R8另一端接地；第一运放负输入端接电阻R6的一端和电阻R9的一端，第一运放输出端和电阻R6的另一端并联向模拟电源上电监控模块输出参考电压，电阻R9的另一端接地。所述模拟电源上电监控模块包括：PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP14、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、MOS管MN8、NMOS管MN9、第一反相器和第二反相器；PMOS管MP1的源极接外部电源和PMOS管MP3的源级，PMOS管MP1栅极接收电压基准模块输入的参考电压，PMOS管MP1漏极分别接PMOS管MP14的漏极、NMOS管MN8的漏极、NMOS管MN5的栅极以及NMOS管MN5的漏极和NMOS管MN7的栅极，还接了第二反相器的输入端；PMOS管MP14的栅极分别接了PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN7的漏极、第一反相器的输入端、NMOS管MN9的栅极、PMOS管MP2的栅极；PMOS管MP14的源极分别接了NMOS管MN8的栅极和NMOS管MN9的漏极；NMOS管MN9的源极接地；NMOS管MN8的源极接地；NMOS管MN5的源极接地；第二反相器的输出端接NMOS管MN6的栅级；PMOS管MP2的源极接电源，PMOS管MP2的漏极分别接PMOS管MP3的栅极、NMOS管MN6的漏极；NMOS管MN6的源极接地；NMOS管MN7的源极接地；第一反相器的输出端向数字逻辑电源上电监控模块输出使能信号。所述数字逻辑电源上电监控模块包括：PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、第三反相器、第四反相器、第五反相器；PMOS管MP5源极接W外部电源，PMOS管MP5的栅极和漏极连接在一起和PMOS管MP6的源极连接；PMOS管MP6的栅极和漏极连接在一起和PMOS管MP7的源极连接；PMOS管MP7栅极接地，PMOS管MP7漏极分别连接PMOS管MP8的漏极、第三反相器的输入端、电容C1的正极，PMOS管的栅极和电容C1的负极连接在一起接地；PMOS管MP8的源极接外部电源，PMOS管MP8的栅极分别接第三反相器的输出和第四反相器的输入端；第五反相器的输入端接第四反相器的输出端；第五反相器的输出端向高压驱动电源上电监控模块输出使能信号。所述高压驱动电源上电监控模块包括：电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、PMOS管MP4、PMOS管MP9、PMOS管MP10、PMOS管MP11、PMOS管MP12、PMOS管MP13、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3；电阻R12一端接外部电源，电阻R12另一端接PMOS管MP4的源极；电阻R13一端接外部电源，电阻R13另一端接PMOS管MP10的源极；PMOS管MP4的栅极和漏极连在一起分别接PMOS管MP10的栅极和电阻R14的一端；电阻R14的另一端接地；PMOS管MP10的漏极接PMOS管MP11的源极；PMOS管MP11的栅极接收模拟电源上电监控模块和数字逻辑电源上电监控模块的输入的使能信号，PMOS管MP11漏极分别接电阻R15的一端和NMOS管MN3的栅极；电阻R15的另一端接地；电阻R16的一端接外部电源，电阻R16的另一端接PMOS管MP12的源极，电阻R17的一端接电源，电阻R17的另一端接PMOS管MP13的源极；电阻R18的一端接电源，电阻R18另一端接PMOS管MP9的源极；PMOS管MP12的栅极和漏极连接在一起分别连接PMOS管MP13的栅极、PMOS管MP9的栅极和电阻R19的一端；电阻R19的负端接地；PMOS管MP13的漏极分别和NMOS管MN1的漏极和栅极连接在一起；NMOS管MN1的源极分别接NMOS管MN2的栅极、电阻R20的一端；电阻R20的另一端接地；NMOS管MN2的源极接NMOS管MN3的漏极；NMOS管MN3的漏极接地；PMOS管MP9的漏极和NMOS管MN2的漏极并联向外部输出使能信号。所述电压基准模块输出的参考电压为2.5V。本技术与现有技术相比的有益效果是：1)采用了自带电压基准的模拟电源上电监控技术，RC复位数字电源上电监控技术，电流检测电平比较高压驱动电源上电监控技术；多电路上电组合监控技术；2)解决了多电源电路上电时不同上电电压，上电速度和上电时序中传统电路无法解决的上电过程中的驱动误输出问题；3)本结构采用独立电源监控和RC复位的方式实现电源上电复位，有效地解决了现有常规电路只单电源监测，无法解决多电源电路的上电时序问题。可有效避免由于不同电源上电次序和上电时间不同导致的电路误动作，有效地提高了电路系统应用的有效性。附图说明图1是电压基准模块；图2是模拟电源上电监控模块；图3是数字逻辑电源上电监控模块；图4是高压驱动电源上电监控模块；图5是多电源上电监控遥控输出驱动脉冲保护电路。具体实施方式多电源上电监控遥控输出驱动脉冲保护电路，该电路具有模拟电源上电监控功能，数字电源上电监控功能，高压驱动电源上电监控功能，能满足遥控遥测电路在复杂电源上电过程中遥控信号无误输出，确保遥本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，包括：电压基准模块、模拟电源上电监控模块、数字逻辑电源上电监控模块和高压驱动电源上电监控模块、第六反相器(148)、第七反相器(149)、或非门；电压基准模块、模拟电源上电监控模块顺次相连后连接第六反相器(148)的输入端，数字逻辑电源上电监控模块连接第七反相器(149)的输入端，第六反相器(148)的输出端和第七反相器(149)输出端合并为一端连接或非门的输入端，或非门的输出端连接高压驱动电源上电监控模块，高压驱动电源上电监控模块向外部输出使能信号。

【技术特征摘要】
1.一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，包括：电压基准模块、模拟电源上电监控模块、数字逻辑电源上电监控模块和高压驱动电源上电监控模块、第六反相器(148)、第七反相器(149)、或非门；电压基准模块、模拟电源上电监控模块顺次相连后连接第六反相器(148)的输入端，数字逻辑电源上电监控模块连接第七反相器(149)的输入端，第六反相器(148)的输出端和第七反相器(149)输出端合并为一端连接或非门的输入端，或非门的输出端连接高压驱动电源上电监控模块，高压驱动电源上电监控模块向外部输出使能信号。2.根据权利要求1所述的一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，所述电压基准模块包括：NPN管NPN1、NPN管NPN2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、第一运放(103)和第二运放(104)；NPN管NPN1集电极接外部电源，NPN管NPN1基极接第一运放(103)的正输入端和第二运放(104)的输出端，NPN管NPN1发射极接电阻R7的一端和运放(104)负端，第二运放(104)的正输入端接电阻R8一端，第二运放(104)的负输入端接电阻R7的一端，电阻R7的另一端接地；NPN管NPN2集电极接外部电源，NPN管NPN2基极接第一运放(103)的正输入，NPN管NPN2发射极接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电阻R8一端和第二运放(104)正输入端，电阻R8另一端接地；第一运放(103)负输入端接电阻R6的一端和电阻R9的一端，第一运放(103)输出端和电阻R6的另一端并联向模拟电源上电监控模块输出参考电压，电阻R9的另一端接地。3.根据权利要求1所述的一种多电源上电监控电路结构，其特征在于，所述模拟电源上电监控模块包括：PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP14、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、MOS管MN8、NMOS管MN9、第一反相器(120)和第二反相器(121)；PMOS管MP1的源极接外部电源和PMOS管MP3的源级，PMOS管MP1栅极接收电压基准模块输入的参考电压，PMOS管MP1漏极分别接PMOS管MP14的漏极、NMOS管MN8的漏极、NMOS管MN5的栅极以及NMOS管MN5的漏极和NMOS管MN7的栅极，还接了第二反相器(121)的输入端；PMOS管MP14的栅极分别接了PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN7的漏极、第一反相器(120)的输入端、NMOS管MN9的栅极、PMOS管MP2的栅极；PMOS管MP14的源极分别接了NMOS管MN8的栅极和NMOS管MN9的漏极；NMOS管MN9的源极接地；NMOS管MN8的源极接地；NMOS管MN5的源极接地；第二反相器(121)的输出端接NMOS管MN6的栅级；PMOS管MP2的源极接电源，PMOS管MP2的漏极分别接PMOS管MP3的栅极、NMOS管MN6的漏极；NMOS管MN6的源极接地；NMOS管MN7的源极接地；第一反相器(120)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛世琪，张涛，郭楹，徐静娴，屈帅，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，北京微电子技术研究所，
类型：新型
国别省市：北京,11