一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法技术

技术编号:18837331 阅读:59 留言:0更新日期:2018-09-05 07:33
本发明专利技术公开了一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法,其特征在于,用硅树脂对莫来石和丝瓜络进行改性,其三维网状结构会将莫来石颗粒和丝瓜络管状纤维包覆在其中,形成互相穿插的三维结构,当温度高于600℃时,硅树脂主链发生降解形成SiO2保留在陶瓷样品中,同时保留了丝瓜络的管状结构,可以形成互相穿插的孔隙结构,进一步增大了陶瓷的孔隙率;另一方面,硅树脂主链发生降解形成SiO2保留在陶瓷样品后,可以起到粘结骨料的作用,减少裂纹和残余应力等缺陷,结合莫来石的支撑、融合作用,改善陶瓷粉末颗粒的烧结性能,提高强度。

【技术实现步骤摘要】
一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法
本专利技术属于陶瓷制造
,具体涉及一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法
技术介绍
碳化硅多孔陶瓷是一种以碳化硅为主要骨料,加以其他陶瓷粘接剂和造孔剂经高温烧结而成,具有三维立体网络结构骨架的新型陶瓷。主要优势为高孔隙率、高比较面积、高抗弯强度等。由于碳化硅多孔陶瓷具有以上优点,使得碳化硅多孔陶瓷成为一种绿色材料,被广泛应用于墙体材料、建筑材料、化工催化载体、吸声减震、净化分离、等诸多领域。由于其种类繁多,根据孔径的大小可分为粗孔(孔径大于500μm)、大孔(孔径在100-500μm之间)、中孔(孔径在10-100μm之间)、小孔(孔径在1-10μm)、细孔(孔径在0.1-1μm)、微孔(孔径在0.01-0.1μm)及纳米(孔径在0.1μm-10nm)孔等不同孔径大小的多孔陶瓷;根据孔的特征结构可分为网孔型和泡沫型;根据孔径的开孔情况可分为闭孔型和开孔型;根据孔径分布排列的不同可分为蜂窝状多孔陶瓷与泡沫状多孔陶瓷。然而,如何研制出既有高的孔隙率,又有较高抗弯强度的多孔陶瓷是一个有待解决的问题。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术旨在提供一种孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将以重量份计的5‑10份丝瓜络放入30‑50份的稀盐酸溶液中浸泡15‑25h,然后煮10‑30min后,滤掉溶液,将丝瓜络反复清洗至中性后放入烘箱,在70‑100℃下烘干10‑15 h,得到处理过的干丝瓜络;(2)将步骤(1)所得干丝瓜络加入到30‑50份水溶性酚醛树脂中,充分浸没20‑30h,将浸渍过后的丝瓜络取出,放入烘箱中,在90‑110℃烘干下烘干8‑10h;然后将其转入到高温电阻炉里面,在180‑220℃下预氧化1‑3 h,通入保护气体 N2,在500‑600 ℃下炭化5‑15min;(3)将10‑20份莫来石...

【技术特征摘要】
1.一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将以重量份计的5-10份丝瓜络放入30-50份的稀盐酸溶液中浸泡15-25h,然后煮10-30min后,滤掉溶液,将丝瓜络反复清洗至中性后放入烘箱,在70-100℃下烘干10-15h,得到处理过的干丝瓜络;(2)将步骤(1)所得干丝瓜络加入到30-50份水溶性酚醛树脂中,充分浸没20-30h,将浸渍过后的丝瓜络取出,放入烘箱中,在90-110℃烘干下烘干8-10h;然后将其转入到高温电阻炉里面,在180-220℃下预氧化1-3h,通入保护气体N2,在500-600℃下炭化5-15min;(3)将10-20份莫来石在80-120℃下真空干燥10-20h,去除水分后,加入8-15份硅树脂粉末和步骤(2)所得物进行球磨混合10-20h,让莫来石和丝瓜络表面均匀地吸附硅树脂涂层;(4)将80-120份碳化硅球磨10-15h后,与步骤(3)所得物混合球磨1-3h,待混合物混合均匀后,称取一定量的...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖克生
申请(专利权)人:界首市静峰新型建材有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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