阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成金属层；在所述金属层远离所述衬底基板的一侧形成用于保护所述金属层的保护层；在所述保护层远离所述衬底基板的一侧形成光刻胶；采用光刻工艺对形成有所述金属层、所述保护层和所述光刻胶的衬底基板进行处理，得到金属图案。本发明专利技术通过在金属层和光刻胶之间形成保护层，保证了最终形成的金属图案的导电性能。本发明专利技术用于制造阵列基板。

Array substrate and its manufacturing method, display panel and display device

The invention discloses an array substrate and its manufacturing method, a display panel and a display device, belonging to the display technical field. The method comprises: forming a metal layer on a substrate substrate; forming a protective layer for protecting the metal layer on one side of the metal layer away from the substrate substrate substrate; forming a photoresist on the side of the protective layer away from the substrate substrate substrate; forming the metal layer, the protective layer and the said protective layer using a photolithography process for forming the metal layer, and the said protective layer. The substrate of the photoresist is processed to obtain the metal pattern. By forming a protective layer between the metal layer and the photoresist, the electric conductivity of the final formed metal pattern is guaranteed. The invention is used for manufacturing an array substrate.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
显示面板中的阵列基板上一般设置有多个阵列排布的像素单元，每个像素单元分别与阵列基板上设置的栅线和数据线连接。每个像素单元包括一个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，每个TFT包括栅极图案、有源层图案以及源漏极图案。其中，栅线、数据线、栅极图案以及源漏极图案一般为由金属材料形成的金属图案。相关技术中，通常采用光刻工艺形成阵列基板中的金属图案，在形成过程中，需要先在衬底基板上形成金属层，然后再对该金属层依次进行光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等操作，以得到该金属图案。其中光刻胶剥离一般采用干法刻蚀的方式进行剥离。但是，采用干法刻蚀的方式剥离光刻胶时，该光刻胶可能与金属层发生反应，影响最终形成的金属图案的导电性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。解决了现有技术中在采用干法刻蚀剥离光刻胶时，由于光刻胶与金属层发生反应，从而影响最终形成的金属图案的导电性能的问题，所述技术方案如下：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成金属层；在所述金属层远离所述衬底基板的一侧形成用于保护所述金属层的保护层；在所述保护层远离所述衬底基板的一侧形成光刻胶；采用光刻工艺对形成有所述金属层、所述保护层和所述光刻胶的衬底基板进行处理，得到金属图案。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成金属层；在所述金属层远离所述衬底基板的一侧形成用于保护所述金属层的保护层；在所述保护层远离所述衬底基板的一侧形成光刻胶；采用光刻工艺对形成有所述金属层、所述保护层和所述光刻胶的衬底基板进行处理，得到金属图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属图案为源漏极金属图案；所述在衬底基板上形成金属层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成有源层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成金属层，包括：在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成所述金属层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述保护层的材料为透明的绝缘材料，且所述绝缘材料不与用于形成所述金属层的金属材料反应。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述金属层的金属材料为铜。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述保护层的材料为氮化硅或者二氧化硅。7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述在所述金属层远离所述衬底基板的一侧形成用于保护所述金属层的保护层，包括：采用磁控溅射的方式在所述金属层远离所述衬底基板的一侧形成保护层。8.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述采用光刻工艺对形成有所述金属层、所述保护层和所述光刻胶的衬底基板进处理，得到金属图案，包括：对所述光刻胶进行曝光处理，得到光刻胶图案；采用干法刻蚀的方式去除所述保护层中未被所述光刻胶图案覆盖的部分；采用湿法刻蚀的方式去除所述金属层中未被所述光刻胶图案覆盖的部分；采用干法刻蚀的方式去除所述光刻胶图案得到所述金属图案。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属图案为源漏极金属图案；所述在衬底基板上形成金属层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成有源层；所述对所述光刻胶进行曝光处理，得到光刻胶图案，包括：采用具有半透光区域的掩膜板对所述光刻胶进行曝光处理，得到光刻胶图案，所述光刻胶图案中还包括半曝光部分；在采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：付方彬，郭会斌，白金超，王守坤，韩皓，贾宜訸，宋勇志，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11