抛光用压力缓冲垫及抛光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供抛光用压力缓冲垫及抛光装置，涉及抛光技术领域。涉及抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，压力缓冲垫一面设置有胶层，压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；压力缓冲垫通过胶层与抛光盘或抛光磨头固定。涉及抛光装置，设置有上述的抛光用压力缓冲垫，该压力缓冲垫可以与抛光盘粘贴，也可以与抛光磨头粘贴；压力缓冲垫设置在抛光盘与抛光磨头之间即可，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。采用本实用新型专利技术的技术方案，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。

Pressure buffer and polishing device for polishing

The utility model provides a buffering pad and polishing device for polishing, and relates to the field of polishing technology. The utility model relates to a pressure buffer pad for polishing, which comprises a pressure buffer pad, a pressure buffer pad with a glue layer on one side and a plurality of pressure conduction zones on the other side of the pressure buffer pad; the pressure buffer pad is fixed with a polishing disc or a polishing grinding head through the glue layer. The utility model relates to a polishing device, which is provided with a pressure buffer pad for polishing, which can be pasted with a polishing disc or with a polishing grinding head; a pressure buffer pad is arranged between a polishing disc and a polishing grinding head for pressure conduction between the two; and a wafer to be polished is arranged in a mold below the polishing disc. By adopting the technical scheme of the utility model, the wafer can be pasted on the back of the pressure plate, and the pressure on the pressure plate can be distributed by changing the thickness of the cushion pad, so that the wafer can be pressed uniformly on the plate, so that the polishing can proceed smoothly.

【技术实现步骤摘要】
抛光用压力缓冲垫及抛光装置
本技术涉及抛光
，尤其是涉及抛光用压力缓冲垫及抛光装置。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，在集成电路制造过程的各阶段表面平整化工艺和大尺寸裸晶圆的表面抛光工艺中得到广泛应用。化学机械抛光的过程，主要是通过抛光垫、抛光液和所选的化学试剂的作用从晶片基板去除材料的过程。在这个过程中，抛光模板，压力盘，压力磨头，大盘等装置构成了抛光的主要场所，其中抛布贴在大盘上，抛光模板把晶圆压在抛布上面，随着抛头和大盘的旋转，晶圆表面在被抛光液作用后能够被抛布上的绒毛去除，最终实现抛光。但是在抛光一些特殊晶圆时，晶圆表面的厚度不是均匀分布的，有的是边缘厚，中间薄，有的则是相反，在这种情况下，纯平设计的模板和压力盘把晶圆压在大盘上后，晶圆的边缘和中间所受到的压力就会差异较大，导致晶圆中间和边缘的去除效果不一致，增大了抛光的时间，甚至导致抛光失败。鉴于此，迫切需要一种能够提高抛光效率的结构。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本技术的总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本技术的第一目的在于提供一种抛光用压力缓冲垫，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。本技术提供的一种抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，所述压力缓冲垫一面设置有胶层，所述压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；所述压力缓冲垫通过所述胶层与抛光盘或抛光磨头固定。在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力传导区域为凸起结构，所述凸起结构内设置有气垫、液压垫或压力传感器中的一个或多个。在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫的厚度范围为100um～10mm。在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸大于边缘位置厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸小于边缘位置厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的一边厚度尺寸小于另一边厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸小于两者之间的过渡区域的厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸大于两者之间的过渡区域的厚度尺寸。在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫为方形、圆形、椭圆形、环形或雪花状结构中的一个。在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力传导区域为镂空或半镂空结构，将所述压力传导区域分割成多个独立的压力传导区域。在上述任一技术方案中，进一步地，所述胶层为热熔胶、压敏胶、UV胶中的一种。本技术的第二目的在于提供一种抛光装置，设置有上述的抛光用压力缓冲垫，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。本技术提供的一种抛光装置，包括上述的抛光用压力缓冲垫，还包括抛光盘、待抛光晶圆、抛光磨头；所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光盘上，或者，所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光磨头上；所述压力缓冲垫设置在所述抛光盘与所述抛光磨头之间，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。在上述任一技术方案中，进一步地，所述抛光磨头将所述抛光盘压在大盘上面的抛布上。在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫与所述抛光磨头接触，抛光压力通过所述压力缓冲垫施加到所述抛光盘下方的模板中。本技术的有益效果如下：采用本技术的抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，所述压力缓冲垫一面设置有胶层，所述压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；所述压力缓冲垫通过所述胶层与抛光盘或抛光磨头固定。其中，抛光用压力缓冲垫的材质一般采用环氧树脂板、聚氨酯材料、PVC、PP等，使用时，压力缓冲垫与抛光盘或抛光磨头粘贴到一起，其主要作用是在抛光磨头给予压力的时候不变形或者微变形，能够保持压力缓冲垫本身的形状或者厚度分布，使压力能够被均匀分散或者按照压力缓冲垫本身的设计要求传导到下面的抛光盘上。采用本技术的抛光装置，包括上述的抛光用压力缓冲垫，还包括抛光盘、待抛光晶圆、抛光磨头；所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光盘上，或者，所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光磨头上；所述压力缓冲垫设置在所述抛光盘与所述抛光磨头之间，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。采用本技术的设置有抛光用压力缓冲垫，能够从根本上解决压力传导不均匀的问题，即，通过压力缓冲垫的厚度变化及其上设置的压力传导区域来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。采用上述的抛光装置进行抛光时，与现有工艺相比较，增设了将抛光用压力缓冲垫粘贴到抛光盘或抛光磨头上的工序，在进行抛光时，对于不同厚度分布的晶圆，通过改变压力缓冲垫的形状和厚度就能够均匀的把压力传导到晶圆的表面，使晶圆能够被均匀的抛光，大大增加了设备的抛光能力。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的主视结构示意图；图2为本技术实施例一提供的抛光用压力缓冲垫沿其中截面的剖面结构示意图；图3为本技术实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图一；图4为本技术实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图二；图5为本技术实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图三；图6为本技术实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图四；图7为本技术实施例二提供的抛光装置中抛光磨头与抛光盘的安装结构示意图；图8为本技术实施例二提供的抛光装置中压力缓冲垫与抛光盘、晶圆之间的安装结构示意图；图9为本技术实施例一、二提供的抛光磨头、抛布与大盘之间的结构示意图。附图标记：100－压力缓冲垫；200－抛光装置；101－压力传导区域；102－凹槽；103－胶层；201－抛布；202－大盘；203－抛光磨头；301－抛光盘；302－晶圆。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光用压力缓冲垫，其特征在于，包括压力缓冲垫，所述压力缓冲垫一面设置有胶层，所述压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；所述压力缓冲垫通过所述胶层与抛光盘或抛光磨头固定。

【技术特征摘要】
1.一种抛光用压力缓冲垫，其特征在于，包括压力缓冲垫，所述压力缓冲垫一面设置有胶层，所述压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；所述压力缓冲垫通过所述胶层与抛光盘或抛光磨头固定。2.根据权利要求1所述的抛光用压力缓冲垫，其特征在于，所述压力传导区域为凸起结构，所述凸起结构内设置有气垫、液压垫或压力传感器中的一个或多个。3.根据权利要求2所述的抛光用压力缓冲垫，其特征在于，所述压力缓冲垫的厚度范围为100um～10mm。4.根据权利要求3所述的抛光用压力缓冲垫，其特征在于，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸大于边缘位置厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸小于边缘位置厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的一边厚度尺寸小于另一边厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸小于两者之间的过渡区域的厚度尺寸；或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸大于两者之间的过渡区域的厚度尺寸。5.根据权利要求3所述的抛光用压力缓冲垫，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，夏秋良，
申请(专利权)人：苏州新美光纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32