【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于探测包括半导体构件的功率电子设备的老化的方法和设备以及功率电子系统
本专利技术涉及用于探测包括半导体构件的功率电子设备的老化的方法和设备以及涉及功率电子系统。
技术介绍
功率半导体模块，尤其是IGBT功率半导体模块(IGBT＝insulated-gatebipolartransistor，绝缘栅双极型晶体管)是当前发展趋势的关键部件，例如是电的或混合电动的驱动技术的或在获得来自可再生能源的(例如来自风能的)能量情况下的关键部件。基于由运行所导致的和外部的影响，这些功率模块会受到持续的老化过程的影响，经过较长时间的老化过程可能会导致功率模块的由老化所导致的故障。为了确保一定的目标使用寿命，用于此的计算方案包含有安全裕度“稳健性裕度(RobustnessMargin)”，其可能会导致功率模块的规格过大。越来越高的功率密度要求功率模块在其负载极限附近运行并要求降低安全裕度。因此确保特定的目标使用寿命是困难的。
技术实现思路
在此背景下，本专利技术根据独立权利要求提供了改进的方法和改进的设备用来探测包括至少一个半导体构件的功率电子设备的老化，以及提供了改进的功率电子系统。...
【技术保护点】
1.用于探测包括至少一个半导体构件(104)的功率电子设备(102)的老化的方法，其中，所述方法包括以下步骤：提供(220)激励信号(110)，所述激励信号被构造成用于为了将损耗功率引入所述半导体构件(104)中而使至少近似半正弦状的激励电流(112)穿流过所述半导体构件(104)；读入(222)温度信号(114)，所述温度信号反映出所述半导体构件(104)的温度在时间上的变化曲线；以及在使用所述温度信号(114)的情况下确定(224)代表所述功率电子设备(102)的老化的老化值(118；913)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.18 DE 102015225909.91.用于探测包括至少一个半导体构件(104)的功率电子设备(102)的老化的方法，其中，所述方法包括以下步骤：提供(220)激励信号(110)，所述激励信号被构造成用于为了将损耗功率引入所述半导体构件(104)中而使至少近似半正弦状的激励电流(112)穿流过所述半导体构件(104)；读入(222)温度信号(114)，所述温度信号反映出所述半导体构件(104)的温度在时间上的变化曲线；以及在使用所述温度信号(114)的情况下确定(224)代表所述功率电子设备(102)的老化的老化值(118；913)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在确定(224)的步骤中，在使用所述温度信号(114)的幅度和/或最小值的情况下确定所述老化值(118；913)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在确定(224)的步骤中，通过所述幅度与参考幅度之间的比较和/或所述最小值与参考最小值之间的比较来确定所述老化值(118；913)。4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，在确定(224)的步骤中，当所述幅度大于参考幅度时，则确定指示出所述半导体构件(104)上的老化的第一老化值(118；913)，并且/或者当所述最小值大于参考最小值时，则确定指示出所述功率电子设备(102)的冷却装置的老化的第二老化值(118；913)。5.根据权利要求2或3中任一项所述的方法，其特征在于，在确定(224)的步骤中，通过热阻与参考热阻之间的比较来确定所述老化值(118；913)，其中，在使用所述幅度、所述最小值和引入所述半导体构件(104)中的损耗功率的情况下确定局部热阻。6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，在确定(224)的步骤中，在使用所述温度信号(114)的平均幅度和/或平均最小值的情况下确定所述老化值(118；913)。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在确定(224)的步骤中，当所述温度信号(114)具有稳态时，确定所述老化值(118；913)。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在读入(222)的步骤中，经由通向集成在所述半导体构件(104)中的电阻器(116)的接口读入所述温度信号(114)。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体构件(104)是晶体管，并且在提供(220)的步骤中将所述激励信号(110)提供给所述晶体管的控制输入端。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述功率电子设备(102...
【专利技术属性】
技术研发人员：马尔科·登克，马克马蒂亚斯·巴克兰，
申请(专利权)人：ZF腓德烈斯哈芬股份公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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