一种浮栅结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浮栅结构，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于浮栅单元结构之间并延伸至衬底中，用于将相邻的浮栅单元结构隔离开；其中，每个浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽；以及一种浮栅结构的制备方法；能够在形成的每个浮栅单元结构的顶部形成凹槽，从而扩大每个浮栅单元结构的顶部的电容藕荷率。

【技术实现步骤摘要】
一种浮栅结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种浮栅结构及其制备方法。
技术介绍
目前，浮栅晶体管的制作工艺中，浮栅晶体管的电容藕荷率是影响浮栅晶体管的一个重要因素。浮栅垂直于位线方向的横截面形状通常为一个规则的四边形，该四边形中，顶部的一条边和暴露出的两侧的两条边产生的电容定义为CONO，顶部的一条边则定义为CTOX，浮栅晶体管的藕荷率则为：CONO/CONO+CTOX。一般来说，电容藕荷率越大，浮栅晶体管的性能越好。在浮栅的电容因此，在浮栅的电容呈现四边形的情况下，藕荷率很难再得到提高。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种浮栅结构，其中，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于所述衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于所述浮栅单元结构之间并延伸至所述衬底中，用于将相邻的所述浮栅单元结构隔离开；其中，每个所述浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽。上述的浮栅结构，其中，每个所述浮栅单元结构与所述衬底之间均制备有一绝缘层。上述的浮栅结构，其中，所述浅槽隔离结构由氧化物制备形成。一种浮栅结构的制备方法，其中，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底中形成有阵列式的多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浮栅结构，其特征在于，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于所述衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于所述浮栅单元结构之间并延伸至所述衬底中，用于将相邻的所述浮栅单元结构隔离开；其中，每个所述浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种浮栅结构，其特征在于，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于所述衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于所述浮栅单元结构之间并延伸至所述衬底中，用于将相邻的所述浮栅单元结构隔离开；其中，每个所述浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽。2.根据权利要求1所述的浮栅结构，其特征在于，每个所述浮栅单元结构与所述衬底之间均制备有一绝缘层。3.根据权利要求1所述的浮栅结构，其特征在于，所述浅槽隔离结构由氧化物制备形成。4.一种浮栅结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底中形成有阵列式的多个浮栅预制备结构，以及用于隔离每个所述浮栅预制备结构的浅槽隔离结构，且所述浮栅预制备结构的上表面与所述浅槽隔离结构的上表面齐平；步骤S2，回刻每个所述浮栅预制备结构一预设厚度；步骤S3...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹开玮，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42