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本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种浮栅结构,包括:衬底;阵列式的多个浮栅单元结构,形成于衬底的上表面;浅槽隔离结构,形成于浮栅单元结构之间并延伸至衬底中,用于将相邻的浮栅单元结构隔离开;其中,每个浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽;以及一种...该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种浮栅结构,包括:衬底;阵列式的多个浮栅单元结构,形成于衬底的上表面;浅槽隔离结构,形成于浮栅单元结构之间并延伸至衬底中,用于将相邻的浮栅单元结构隔离开;其中,每个浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽;以及一种...