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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浮栅结构，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于浮栅单元结构之间并延伸至衬底中，用于将相邻的浮栅单元结构隔离开；其中，每个浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽；以及一种...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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