半导体器件驱动电路制造技术

半导体器件驱动电路具有：阈值调整电路，其输出阈值；不饱和电压检测电路，其在半导体开关元件的第1电极与第2电极之间的电压是不饱和电压的情况下，取得以预先确定的增加率增加的检测电压，且对上述检测电压是否比上述阈值高进行判定；以及驱动电路，其基于输入信号生成上述半导体开关元件的驱动信号，且在通过上述不饱和电压检测电路判定为上述检测电压比上述阈值高的情况下，将上述驱动信号维持为切断。上述阈值调整电路能够在第1电压与比上述第1电压低的第2电压之间对上述阈值进行切换，在上述半导体开关元件是断开状态的情况下将上述第1电压作为上述阈值输出，在上述半导体开关元件接通，上述第1电极与上述第2电极之间的电压是饱和电压的情况下，将上述第2电压作为上述阈值输出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件驱动电路
本专利技术涉及半导体器件驱动电路。
技术介绍
当前，如例如在国际公开第2014/115272号中所公开的那样，作为半导体开关元件的短路保护功能，已知对半导体开关元件的不饱和电压进行检测的方法。通常，在半导体开关元件处于接通状态时，半导体开关元件的端子间电压降低而稳定在某最小电压。该最小电压也称作“饱和电压”。另外，作为在这里所说的“端子间电压”的具体例，如果半导体开关元件是例如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，则是集电极发射极间电压，如果是MOSFET，则是源极-漏极间电压。如果半导体开关元件成为短路状态，则半导体开关元件的端子间电压由于过电流而从饱和电压起上升。由于端子间电压从饱和电压起上升，因此端子间电压成为与饱和电压不一致的异常电压即不饱和电压。通过对该不饱和电压进行检测，从而能够对半导体开关元件的短路进行检测。在国际公开第2014/115272号所公开的方法中，在半导体器件驱动电路与半导体开关元件间具有高耐压二极管和高耐压电容元件，由于在半导体开关元件不饱和时对上述电容元件进行充电，从而检测到半导体开关元件处于不饱和状态。具体地说，通过恒定电流电路对电容元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件驱动电路，其具有：阈值调整电路，其输出阈值；不饱和电压检测电路，其在半导体开关元件的第1电极与第2电极之间的电压是不饱和电压的情况下，取得以预先确定的增加率增加的检测电压，且对所述检测电压是否比所述阈值高进行判定，该半导体开关元件具有所述第1电极、所述第2电极、对所述第1电极及第2电极之间的导通进行控制的控制电极；以及驱动电路，其基于输入信号生成所述半导体开关元件的驱动信号，且在通过所述不饱和电压检测电路判定为所述检测电压比所述阈值高的情况下，将所述驱动信号维持为切断，所述阈值调整电路能够在第1电压与比所述第1电压低的第2电压之间对所述阈值进行切换，在所述半导体开关元件是断开...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件驱动电路，其具有：阈值调整电路，其输出阈值；不饱和电压检测电路，其在半导体开关元件的第1电极与第2电极之间的电压是不饱和电压的情况下，取得以预先确定的增加率增加的检测电压，且对所述检测电压是否比所述阈值高进行判定，该半导体开关元件具有所述第1电极、所述第2电极、对所述第1电极及第2电极之间的导通进行控制的控制电极；以及驱动电路，其基于输入信号生成所述半导体开关元件的驱动信号，且在通过所述不饱和电压检测电路判定为所述检测电压比所述阈值高的情况下，将所述驱动信号维持为切断，所述阈值调整电路能够在第1电压与比所述第1电压低的第2电压之间对所述阈值进行切换，在所述半导体开关元件是断开状态的情况下将所述第1电压作为所述阈值输出，在所述半导体开关元件接通，所述第1电极与所述第2电极之间的电压是饱和电压的情况下，将所述第2电压作为所述阈值输出。2.根据权利要求1所述的半导体器件驱动电路，其中，所述阈值调整电路在从所述输入信号或所述驱动信号中使所述半导体开关元件接通的上升沿起经过了预先确定的时间后，将输出从所述第1电压切换为所述第2电压。3.一种半导体器件驱动电路，其具有：检测电路，其对半导体开关元件的第1电极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：外园和也，山本晃央，王东，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP