三维垂直存储器阵列单元结构及工艺制造技术

三维垂直存储器阵列单元结构及工艺。在示例性实施例中，单元结构包括字线、选择器层以及存储器层。字线、选择器层及存储器层形成垂直单元结构，在该垂直单元结构中，选择器层和存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维垂直存储器阵列单元结构及工艺优先权本申请要求基于2015年11月24日提交的、申请号为62/259,589、及名称为“用于RRAM，PCM及其他存储器的三维垂直阵列单元结构(3DVERTICALARRAYCELLSTRUCTURESFORRRAM,PCM,ANDOTHERMEMORIES)”的美国临时专利申请的优先权，在此通过引用其全部内容将其并入于此。
本申请的示例性实施例主要涉及半导体和集成电路领域，并且尤其涉及存储器和存储设备。
技术介绍
在三维(three-dimensional，3D)高密度存储器中，字线水平地运行且位线垂直地运行(或者反之亦然)的垂直阵列优于字线和位线均水平运行的交叉点阵列。例如，在垂直阵列中，字线运行在垂直于位线的平面的平面，而在交叉点阵列中，字线和位线运行在相同的或平行的平面。通过一起蚀刻穿透多个沉积层可以形成三维垂直阵列，其可以显著地减少制造成本。相反地，三维交叉点阵列需要逐层地进行图形蚀刻处理，因此制造成本较高。与实现三维阵列相关联的一个问题被称为“潜行泄漏路径”(sneakleakagepath)问题。潜行泄漏路径允许电流在与截止的存储器单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：字线；选择器层；以及存储器层，其中所述字线、所述选择器层和所述存储器层形成垂直单元结构，并且其中所述选择器层和所述存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.24 US 62/259,5891.一种装置，包括：字线；选择器层；以及存储器层，其中所述字线、所述选择器层和所述存储器层形成垂直单元结构，并且其中所述选择器层和所述存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。2.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括与所述字线相交的位线。3.根据权利要求2的装置，其特征在于，所述选择器层被分段以形成选择器分段。4.根据权利要求3的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的所述存储器层以及在所述存储器层和所述字线之间耦接的所述选择器分段。5.根据权利要求2的装置，其特征在于，所述存储器层被分段以形成存储器分段。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的所述选择器层以及在所述选择器层和所述字线之间耦接的所述存储器分段。7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述存储器被分段以形成存储器分段，并且所述选择器层被分段以形成选择器分段。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的选择器分段以及在所述选择器分段和所述字线之间耦接的所述存储器分段。9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的存储器分段以及在所述存储器分段和所述字线之间耦接的所述选择器分段。10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述潜行路径泄漏电流包括，当所述存储器单元处于截止状态时，在所述字线上流动的电流。11.一种形成垂直存储器结构的方法，包括：形成层堆叠，所述层堆叠包括字线层和绝缘体层；形成穿过所述层堆叠的开口，以暴露所述字线层的内表面；将第一材料沉积在所述字线层的所述内表面上，其中所述第一材料为选择器材料和存储器材料的其中一种，其中所述沉积形成第一材料的分段，并且其中各分段沉积在对应的字线层的相应的内表面上；将第二材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：许富菖，
申请(专利权)人：许富菖，
类型：发明
国别省市：美国,US