【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的示例性实施例总体上涉及晶体管装置的领域，更具体言之涉及晶体管单元、阵列结构及相关的工艺。
技术介绍
1、最先进的mosfet晶体管技术已缩小尺寸到3纳米(nm)以下。然而，当晶体管尺寸减小时，将此类晶体管连接到电源总线和多个金属层互连的挑战会显著增加。
技术实现思路
1、在各种示例性实施例中，公开了具有mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)和金属层的先进结构。在一实施例中，提供一种新颖的配置，其将电源总线和金属层互连定位在一个或更多个晶体管层之上和之下。这有效地降低互连之金属层图案的密度以缓解间距间隔和制造挑战。
2、在示例性实施例中，提供一种晶体管结构，其包括第一晶体管层、位于第一晶体管层之下的第二晶体管层、位于第一晶体管层之上的第一电源总线层、位于第二晶体管层之下的第二电源总线层以及位于第一电源总线层之上的第一互连层。
3、在示例性实施例中，提供一种晶体管结构，其包括第一晶体管层、位于第一晶体管层之下的第二晶体管层、位于第一晶体管层及第二晶体管...
【技术保护点】
1.一种晶体管结构，其包括：
2.如权利要求1所述的晶体管结构，其进一步包括第二互连层，所述第二互连层位于所述第二电源总线层之下。
3.如权利要求2所述的晶体管结构，其中，所述第一互连层及所述第二互连层由多条金属线形成。
4.如权利要求3所述的晶体管结构，其中，所述第一互连层藉由多个触点连接至所述第一晶体管层。
5.如权利要求3所述的晶体管结构，其中，所述第二互连层藉由多个触点连接至所述第二晶体管层。
6.如权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一晶体管层及所述第二晶体管层各包括NMOS晶体管、PMOS晶体...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶体管结构，其包括：
2.如权利要求1所述的晶体管结构，其进一步包括第二互连层，所述第二互连层位于所述第二电源总线层之下。
3.如权利要求2所述的晶体管结构，其中，所述第一互连层及所述第二互连层由多条金属线形成。
4.如权利要求3所述的晶体管结构，其中，所述第一互连层藉由多个触点连接至所述第一晶体管层。
5.如权利要求3所述的晶体管结构，其中，所述第二互连层藉由多个触点连接至所述第二晶体管层。
6.如权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一晶体管层及所述第二晶体管层各包括nmos晶体管、pmos晶体管、以及nmos晶体管及pmos晶体管之组合中的一者。
7.如权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一晶体管层和所述第二晶体管层包括多桥通道(mbc)晶体管。
8.如权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一晶体管层和所述第二晶体管层包括鳍式场效应晶体管。
9.如权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一晶体管层及所述第二晶体管层包括叉片晶体管。
10.如权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一电源总线层和所述第二电源总线层由多条金属线形...
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