一种电磁屏蔽片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电磁屏蔽片及其制备方法。电磁屏蔽片的制备方法包括以下步骤：S1，在500～600℃范围内、保护气氛下热处理纳米晶带材；S2，取至少一层热处理后的纳米晶带材，将双面胶置于各层纳米晶带材层间以形成多层纳米晶带材，然后在所述多层纳米晶带材的表面贴覆一双面胶或者覆盖膜；S3，纵向剪切处理；S4，横向剪切处理；S5，将步骤S4处理后的多层纳米晶带材的最上表面和最下表面的双面胶自带的离型膜层或者覆盖膜自带的粘性膜层去掉，重新覆上一层新的离型膜层或者粘性膜层。本发明专利技术的制备方法能够批量连续化生产，且制得的电磁屏蔽片可同时应用于无线充电和NFC通信场景中，应用于无线充电时转化效率也较高。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁屏蔽片及其制备方法
本专利技术涉及一种电磁屏蔽片及其制备方法，特别是涉及一种可同时满足无线充电和NFC天线导磁屏蔽应用的电磁屏蔽片的制备方法。
技术介绍
随着移动数码电子产品的发展，特别是手机产品中集成的功能越来越多，包括无线充电技术、近场通讯NFC技术等，越来越被人们接受并广泛使用。针对不同频率下使用的不同功能，对屏蔽片的要求越来越高。很难有一种屏蔽片同时满足不同频段应用的需求，同时满足无线充电、近场通讯(NFC)等功能。在无线充电模块中，屏蔽片的功能包括两方面，一方面是为电磁感应的线圈耦合提供高磁导率的通道，提高充电效率；另一方面是保证感应线圈的交变磁场带来的磁力线，对其他电子部件不产生干扰，起到屏蔽作用，避免漏磁。现有应用于无线充电的屏蔽片，其磁导率不高，充电转化率不高。在近场通讯应用中，要求屏蔽材料在13.56MHz频率附近具有高的磁导率，从而保证通讯读卡距离。目前，对于近场通讯应用提供的屏蔽材料主要是铁氧体材料，但目前铁氧体材料的厚度一般在80um以上，无法满足微型化应用需求。此外，目前，对具有双重功能的无线充电和近场通讯用磁性材料的研究，主要为复合磁性材料的研究，比如采用纳米晶材料和铁氧体材料组合的组合体，或采用非晶纳米晶片与软磁粉末与树脂材料合成的复合薄片的组合体。采用此种复合型方式，一方面增加了导磁屏蔽材料的厚度，对便携式电子终端的薄型化发展不利，另一方面其生产工艺的复杂性使其难以大批量连续生产且做到低成本。以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本专利技术的专利技术构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述
技术介绍
不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：弥补上述现有技术的不足，提出一种电磁屏蔽片及其制备方法，能够批量连续化生产，且制得的电磁屏蔽片可同时应用于无线充电和NFC通信场景中，应用于无线充电时转化效率也较高。本专利技术的技术问题通过以下的技术方案予以解决：一种电磁屏蔽片的制备方法，包括以下步骤：S1，在500～600℃范围内、保护气氛下热处理纳米晶带材；S2，取至少一层热处理后的纳米晶带材，将双面胶置于各层纳米晶带材层间以形成多层纳米晶带材，然后在所述多层纳米晶带材的最上表面贴覆一双面胶或者覆盖膜，在所述多层纳米晶带材的最下表面贴覆一双面胶或者覆盖膜；S3，将步骤S2处理后的多层纳米晶带材通过纵向剪切刀进行纵向剪切处理，使得所述多层纳米晶带材剪切成宽度为0.2～1mm的纵向条状结构；S4，将步骤S3处理后的多层纳米晶带材通过横向剪切刀进行横向剪切处理，使所述纵向条状结构横向破碎形成长度为0.2～1mm、宽度为0.2～1mm的网格状碎块；S5，将步骤S4处理后的多层纳米晶带材的最上表面和最下表面的双面胶自带的离型膜层或者覆盖膜自带的粘性膜层去掉，重新覆上一层新的离型膜层或者粘性膜层。一种根据如上所述的制备方法制得的电磁屏蔽片。本专利技术与现有技术对比的有益效果是：本专利技术的电磁屏蔽片及其制备方法，通过热处理使得纳米晶带材具有脆性，然后通过纵向剪切刀和横向剪切刀对纳米晶带材进行剪切处理，形成网格状碎块。通过控制纳米晶片的网格状碎片的尺寸，可有效减少涡流损耗，提高磁导率一致性。屏蔽片涡流损耗降低，可在近场通讯NFC工作频段(13.56MHz)具有较高磁导率，满足NFC的通讯读卡距离。同时，对于无线充电应用场景下，涡流损耗降低可避免产生充电效率损失的现象，从而使得无线充电时的充电转化效率较高。本专利技术制备的无线充电和近场通讯用的屏蔽片既可以作为无线充电领域接收端感应线圈用屏蔽材料，也可以作为近场通讯用屏蔽材料，实现了单种材料满足双重功能。在本专利技术中，热处理工序、覆膜叠片工序、纵向剪切碎化工序、横向剪切碎化工序、覆膜工序中，纳米晶合金带材均以卷材状态进行生产，从而实现了高效、连续化生产。【附图说明】图1是本专利技术具体实施方式中三层纳米晶带材叠层后的截面剖视图；图2是本专利技术具体实施方式中多层纳米晶带材经纵向剪切处理时状态示意图；图3是本专利技术具体实施方式中经纵向剪切处理后的多层纳米晶带材的表面状态示意图；图4是本专利技术具体实施方式中多层纳米晶带材经横向剪切处理时状态示意图；图5是本专利技术具体实施方式中经横向剪切处理后的屏蔽片的表面状态示意图；图6a是本专利技术具体实施方式中制得的屏蔽片中覆盖膜所在的一面的实物照片；图6b是本专利技术具体实施方式中制得的屏蔽片中双面胶所在的一面的实物照片。【具体实施方式】下面结合具体实施方式并对照附图对本专利技术做进一步详细说明。本专利技术的构思是：纳米晶带材常用于无线充电导磁屏蔽，但如果直接应用于NFC通信，则由于其损耗问题而无法满足NFC通信距离的要求。具体地，作为无线充电导磁屏蔽用的纳米晶材料，热处理后，带材的磁导率和饱和磁感应强度都有所增加，满足无线充电要求，但是，在高频下其有较大的涡流损耗，一方面导致高频下充电线圈的耦合效率低；另一方面导致应用于NFC通信无法满足通信距离的要求。鉴于此，本专利技术采用横纵剪切刀进行碎化处理工艺以降低涡流损耗，也就是把纳米晶磁性片进行小单元分割，使得单体小单元下的磁通小，面积小，涡流小，同时，断开了整个导磁片面积内的大循环涡流，使得耦合后的损耗降低，发热减少。而通过横纵剪切刀的处理方式，材料之间断开的缝隙较小，可忽略不计，从而也可确保屏蔽片不会漏磁，充电效率不会下降。如缝隙太大，则电磁容易从单体小单元之间的缝隙处穿过，产生漏磁现象，且充电效率也会下降。本具体实施方式中，针对单层或多层的无线充电和近场通讯用屏蔽片的制备方法，包括热处理、覆膜叠片、纵向剪切碎化、横向剪切碎化和覆膜工序。热处理工序中，热处理时纳米晶带材为卷材，在500～600℃(比如520℃，540℃，560℃，580℃，600℃等均可)范围内进行热处理，要求保护气氛为真空环境或者氮气、氩气等惰性气体，从而确保带材不被氧化。热处理后，带材具有高磁感应强度Bs和高磁导率μi，且此时的损耗也较高。此外，经热处理的带材具有较高脆性，可以保证在碎化处理工序中能够碎化成尺寸小的单元。覆膜叠片工序中，取至少一层热处理后的纳米晶带材，将双面胶置于热处理后的各层纳米晶带材层间，以形成多层纳米晶带材，然后在所述多层纳米晶带材的表面覆双面胶或覆盖膜。双面胶可为压敏胶带。覆盖膜可以是PET、BOPP、PE等中的一种。如图1所示，本具体实施方式中形成的多层纳米晶带材的结构包括：三层纳米晶带材S3，各层带材经后续处理后均会形成网格状碎片结构；三层双面胶S2，其中两层双面胶分别设置于两两纳米晶带材之间，位于最上方的一层双面胶一面覆于最上层带材的上表面，另一面为自带的一层离型膜S1；一层PET覆盖膜S4，一面粘于最下层带材的下表面，另一面为自带的低粘性(低粘性一般为10-100g/25mm)膜层S5。各层纳米晶带材S3的厚度优选在14～30μm的范围内，从而可应用于微型化场景，例如16μm、18μm、20μm、25μm中的一个值。厚度的具体取值可以根据无线充电模组和NFC天线需求的性能和厚度要求综合进行确定，在此不作限制。各层纳米晶带材层间的双面胶的厚度优选在3～10μm的范围内，例如，3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，在500～600℃范围内、保护气氛下热处理纳米晶带材；S2，取至少一层热处理后的纳米晶带材，将双面胶置于各层纳米晶带材层间以形成多层纳米晶带材，然后在所述多层纳米晶带材的最上表面贴覆一双面胶或者覆盖膜，在所述多层纳米晶带材的最下表面贴覆一双面胶或者覆盖膜；S3，将步骤S2处理后的多层纳米晶带材通过纵向剪切刀进行纵向剪切处理，使得所述多层纳米晶带材剪切成宽度为0.2～1mm的纵向条状结构；S4，将步骤S3处理后的多层纳米晶带材通过横向剪切刀进行横向剪切处理，使所述纵向条状结构横向破碎形成长度为0.2～1mm、宽度为0.2～1mm的网格状碎块；S5，将步骤S4处理后的多层纳米晶带材的最上表面和最下表面的双面胶自带的离型膜层或者覆盖膜自带的粘性膜层去掉，重新覆上一层新的离型膜层或者粘性膜层。

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，在500～600℃范围内、保护气氛下热处理纳米晶带材；S2，取至少一层热处理后的纳米晶带材，将双面胶置于各层纳米晶带材层间以形成多层纳米晶带材，然后在所述多层纳米晶带材的最上表面贴覆一双面胶或者覆盖膜，在所述多层纳米晶带材的最下表面贴覆一双面胶或者覆盖膜；S3，将步骤S2处理后的多层纳米晶带材通过纵向剪切刀进行纵向剪切处理，使得所述多层纳米晶带材剪切成宽度为0.2～1mm的纵向条状结构；S4，将步骤S3处理后的多层纳米晶带材通过横向剪切刀进行横向剪切处理，使所述纵向条状结构横向破碎形成长度为0.2～1mm、宽度为0.2～1mm的网格状碎块；S5，将步骤S4处理后的多层纳米晶带材的最上表面和最下表面的双面胶自带的离型膜层或者覆盖膜自带的粘性膜层去掉，重新覆上一层新的离型膜层或者粘性膜层。2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述纵向剪切刀包括纵向条纹辊和纵向条纹齿板；所述纵向条纹辊的表面为等间距分布的齿环，各齿环形成的平面与所述纵向条纹辊的轴向垂直，各齿环之间的间距为0.2～1mm；所述纵向条纹齿板的表面为等间距分布的齿状突起，所述纵向条纹齿板与所述纵向条纹辊相互啮合；步骤S3中，将多层纳米晶带材置于所述纵向条纹辊和纵向条纹齿板之间进行辊压处理，完成所述纵向剪切处理过程。3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述横向剪切刀包括横向条纹辊和横向条纹齿板，所述横向条纹辊的表面为等间距分...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐银辉，王清华，谢国勇，刘绪绪，贺艳青，刘豪，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44