晶圆清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔室，还包括管道和控制器；所述管道从所述腔室内部延伸至所述腔室外部；所述控制器，连接所述管道，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第一预设值，若是，则控制所述管道对所述腔室进行排气。本实用新型专利技术避免了因酸气在腔室内部聚集易对晶圆表面造成腐蚀的问题，提高了晶圆产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面残留的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层、石英、塑料等污染物，且不破坏晶圆的表面特性。为此，在晶圆的制造过程中需要经过多次清洗步骤。然而，随着特征尺寸的不断缩小，对晶圆制造过程中湿法清洗工艺的要求越来越高。湿法清洗通常采用化学药液和去离子水作为清洗剂，经过一系列的清洗工艺步骤，以实现对晶圆表面污染物的去除。现有技术中的晶圆湿法清洗分为槽式清洗和单片式清洗。随着对晶圆表面洁净度的要求越来越高，而单片式清洗可以降低清洗过程中的交叉污染、提高成品率，因此，现有的湿法清洗逐渐由传统的槽式清洗向单片式清洗过渡。单片式清洗通常是在晶圆清洗装置中进行，例如型号为LAMDV34的湿法清洗装置。然而，由于在晶圆清洗过程中，经常需要使用酸性溶液作为清洗剂，而酸性溶液在清洗过程中，尤其是在温度较高的条件下，易挥发产生酸雾，使得晶圆清洗腔室中的酸气浓度过高。而过高的酸气浓度会对晶圆表面造成轻微腐蚀，影响产品良率。因此，如何有效避免晶圆清洗腔室中过高的酸气浓度对晶圆的腐蚀，以确保产品良率，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种晶圆清洗装置，用以解决现有的晶圆清洗腔室中过高的酸气浓度易对晶圆表面造成腐蚀的问题，以提高晶圆产品的良率。为了解决上述问题，本技术提供了一种晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔室，还包括管道和控制器；所述管道从所述腔室内部延伸至所述腔室外部；所述控制器，连接所述管道，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第一预设值，若是，则控制所述管道对所述腔室进行排气。优选的，所述第一预设值为7。优选的，还包括检测器；所述检测器，连接所述控制器，用于检测所述腔室内部的PH值并传输至所述控制器。优选的，所述管道位于所述腔室外部的第一出口连接真空泵、位于所述腔室内部的第二出口连接所述检测器。优选的，还包括流量调节阀，设置于所述第二出口处，用于调节所述管道排气的流量。优选的，所述控制器，连接所述流量调节阀，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第二预设值，若是，则控制所述流量调节阀以第一预设流量对所述腔室进行排气。优选的，所述控制器，还用于判断所述腔室内的PH值是否高于第二预设值且低于第一预设值，若是，则控制所述流量调节阀以第二预设流量对所述腔室进行排气。优选的，还包括显示器；所述显示器，连接所述控制器，用于显示所述腔室内的PH值。本技术提供的晶圆清洗装置，通过增设管道和控制器，利用控制器判断用于容纳晶圆的腔室中的PH值是否低于预设值，若是，则利用所述管道开始对所述腔室内部进行排气，实现了根据所述腔室内部的PH值自动对所述腔室进行排气的操作，避免了因酸气在所述腔室内部聚集易对晶圆表面造成腐蚀的问题，提高了晶圆产品的良率。附图说明附图1是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的结构框图；附图2是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的晶圆清洗装置的具体实施方式做详细说明。本具体实施方式提供了一种晶圆清洗装置，附图1是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的结构框图，附图2是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的结构示意图。如图1、2所示，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔室21。具体来说，所述腔室21中包括支撑台22，待清洗的晶圆23置于所述支撑台22上。在对晶圆进行清洗的过程中，通过向所述晶圆23表面喷射清洗剂来实现对晶圆的清洗。为了防止因酸性的清洗剂挥发到空气中对晶圆造成腐蚀，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括管道11和控制器12；所述管道11从所述腔室21内部延伸至所述腔室21外部；所述控制器12，连接所述管道11，用于判断所述腔室21内的PH值是否低于第一预设值，若是，则控制所述管道11对所述腔室21进行排气。这样，通过所述控制器12与所述管道11的相互配合，即可实现对所述腔室21内PH值的自动化、智能化控制，避免了因酸性气体在所述腔室21内的聚集而易对晶圆造成腐蚀的问题，提高了晶圆产品的良率。其中，所述第一预设值的具体数值，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，本具体实施方式对此不作限定。为了最大限度的防止酸性气体对所述腔体21内部晶圆的腐蚀，优选的，所述第一预设值为7。为了简化所述晶圆清洗装置的整体结构，优选的，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括检测器13；所述检测器13，连接所述控制器12，用于检测所述腔室21内部的PH值并传输至所述控制器12。其中，所述检测器13的具体型号，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，只要能实现对所述腔体21内部环境PH值的准确检测即可。优选的，所述管道11位于所述腔室21外部的第一出口111连接真空泵、位于所述腔室21内部的第二出口112连接所述检测器13。为了进一步提高对所述腔室21内部排气操作的灵活性，优选的，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括流量调节阀15，设置于所述第二出口112处，用于调节所述管道11排气的流量。采用这种结构，工作人员即可根据所述腔室21内部PH的具体数值，来对所述管道11的排气流量进行灵活控制，在实现对所述腔室21内部高效排气的同时，也能够节省能耗。为了进一步提高对所述腔室21内部排气操作的智能化程度，优选的，所述控制器12，连接所述流量调节阀15，用于判断所述腔室21内的PH值是否低于第二预设值，若是，则控制所述流量调节阀15以第一预设流量对所述腔室21进行排气。更优选的，所述控制器12，还用于判断所述腔室21内的PH值是否高于第二预设值且低于第一预设值，若是，则控制所述流量调节阀15以第二预设流量对所述腔室21进行排气。其中，所述第二预设值的具体数值本领域技术人员也可以根据实际需要进行设置，本具体实施方式对此不作限定。为了使得工作人员能够及时、准确的了解所述腔室21内部的PH值情况，从而便于工作人员采取相应的措施，优选的，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置还包括显示器16；所述显示器16，连接所述控制器12，用于显示所述腔室21内的PH值。本具体实施方式提供的晶圆清洗装置，通过增设管道和控制器，利用控制器判断用于容纳晶圆的腔室中的PH值是否低于预设值，若是，则利用所述管道开始对所述腔室进行排气，实现了根据所述腔室内部的PH值自动对所述腔室进行排气的操作，避免了因酸气在所述腔室内部聚集易对晶圆表面造成腐蚀的问题，提高了晶圆产品的良率。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔室，其特征在于，还包括管道和控制器；所述管道从所述腔室内部延伸至所述腔室外部；所述控制器，连接所述管道，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第一预设值，若是，则控制所述管道对所述腔室进行排气。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔室，其特征在于，还包括管道和控制器；所述管道从所述腔室内部延伸至所述腔室外部；所述控制器，连接所述管道，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第一预设值，若是，则控制所述管道对所述腔室进行排气。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一预设值为7。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括检测器；所述检测器，连接所述控制器，用于检测所述腔室内部的PH值并传输至所述控制器。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述管道位于所述腔室外部的第一出口连接真空泵、位于所述腔室内部的第二出口连接所述检测器。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家永，高英哲，张文福，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32