一种阵列基板的制造方法和阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，该方法包括：提供一基板；在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；对光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层；利用图案化的光刻胶层掩膜，对源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，对半导体层进行至少一次干法刻蚀；还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤，光刻胶灰化步骤设置在湿法刻蚀和干法刻蚀的步骤之间；光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。本发明专利技术通过在湿法刻蚀和干法刻蚀步骤中设置光刻胶灰化步骤，并控制光刻胶灰化步骤中刻蚀速率，可以降低主动开关的漏电流以及提高主动开关的稳定性。

Method for manufacturing array substrate and array substrate

The invention discloses an array substrate manufacturing method and an array substrate. The method comprises: providing a substrate; forming a grid, a grid insulating layer, a semiconductor layer, a source-drain electrode layer and a photoresist layer on the substrate; patterning the photoresist layer to form a patterned photoresist layer; and utilizing a patterned photoresist layer. Mask, at least one wet etching of the source and drain electrode layer, at least one dry etching of the semiconductor layer, including at least one photoresist ashing step, which is set between wet and dry etching steps, transverse etching rate and longitudinal etching rate in the photoresist ashing step. The range of the ratio is 1:0.9 to 1:1.5. By setting the photoresist ashing step in the wet etching and dry etching steps and controlling the etching rate in the photoresist ashing step, the leakage current of the active switch can be reduced and the stability of the active switch can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制造方法和阵列基板
本专利技术实施例涉及主动开关技术，尤其涉及一种阵列基板的制造方法和阵列基板。
技术介绍
主动开关是显示面板的关键器件，对显示面板的工作性能具有十分重要的作用，而随着电子设备的快速发展，人们要求电子设备的功耗越低越好，续航能力越高越好，因此也要求电子设备中的显示面板的低功耗。显示面板中设置有主动开关阵列基板，然而现有主动开关阵列基板的主动开关的漏电流相对较大，而当光线照射到主动开关上时还会产生光生载流子，进一步增大主动开关的漏电流，导致显示面板的功耗较大，还导致主动开关的稳定性能差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板的制造方法和阵列基板，以降低阵列基板上主动开关的漏电流以及提高主动开关的稳定性。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括多个主动开关，该阵列基板的制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层；利用所述图案化的光刻胶层掩膜，对所述源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，以形成所述主动开关的源极和漏极，对所述半导体层进行至少一次本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述阵列基板的制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层；利用所述图案化的光刻胶层掩膜，对所述源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，以形成所述主动开关的源极和漏极，对所述半导体层进行至少一次干法刻蚀，以形成所述主动开关的沟道区；还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤，所述光刻胶灰化步骤设置在所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀的步骤之间；所述光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述阵列基板的制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层；利用所述图案化的光刻胶层掩膜，对所述源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，以形成所述主动开关的源极和漏极，对所述半导体层进行至少一次干法刻蚀，以形成所述主动开关的沟道区；还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤，所述光刻胶灰化步骤设置在所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀的步骤之间；所述光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括两次湿法刻蚀和两次干法刻蚀，且所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀交替进行。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括执行三次光刻胶灰化步骤，且每次所述光刻胶灰化步骤设置于相邻所述湿法刻蚀与所述干法刻蚀步骤之间。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶灰化步骤中，刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值为1:0.9时，所述刻蚀气体为氧气。6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值为1:1.5时，所述刻蚀气体为六氟化硫和氧气，且六氟化硫与氧气的流量比的取值范围为0.02-0.1。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，六氟化硫的流量取值范围为200-800s...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩宗，田轶群，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44