显示装置制造方法及图纸

本显示装置包括：栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100)，晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120)，半导体层层叠在绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上；第一电容器部分(200)，其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220)，第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级，配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上，第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152)；以及显示元件，构造为由晶体管部分控制。

display device

The display device comprises a gate insulating film (130), a transistor part (100), a transistor part (100) having a semiconductor layer (140) and a gate electrode layer (120), a semiconductor layer on the insulating film, a gate electrode film on the opposite side of the gate insulating film and a semiconductor layer on the first capacitor part (200) having a first metal film (210). The first metal film is arranged at the same level as the wiring layer (161, 162), the wiring layer (161, 162) is electrically connected to the semiconductor layer and is arranged above the transistor portion, the second metal film (220) is arranged above the first metal film, and the first metal film (210) and the second metal film (220) are insulated between the first metal film (210) and the second metal film (220). Membrane (152); and display element, constructed by transistor part.

【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请是国际申请日2013年5月15日、国际申请号PCT/JP2013/063494的国际申请于2014年12月8日进入国家阶段的申请号为201380030166.1、专利技术名称为“显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法”的专利申请的分案申请，其全部内容结合于此作为参考。
本公开涉及显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法。
技术介绍
在诸如液晶显示器或有机电致发光(EL)显示器的平板显示器中，有源矩阵薄膜晶体管(TFT)已经广泛地用于驱动面板的驱动晶体管。每个像素提供有这样的TFT使其能控制每个像素的明暗，与无源矩阵方法相比获得较高的图像质量和较高的对比度。而且，在这样的平板显示器中，一直追求的是性能上的进一步改进。例如，已经提出了一种技术，在这种技术中，TFT的栅极绝缘膜和电容器的介电膜制作在不同的层中以允许最佳介电膜的选择不受TFT材料的限制(例如，参见专利文件1)。这样的介电膜例如允许选择介电常数高于栅极绝缘膜的材料，或者与栅极绝缘膜相同材料的较小厚度，从而增加每单位面积的电容。引用列表专利文件PTL1：JP2008-102262A
技术实现思路
然而，在专利文件1中，在与栅电极相同层中的金属膜用于电容器的一个电极，由于电容器的布置方案或材料的限制，导致妨碍薄膜晶体管性能改进的缺点。因此，希望提供使其能改进性能的显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法。根据本技术方案实施例的显示装置包括：晶体管部分，包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在栅极绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层的相反的侧上；第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，第一金属膜设置在与配线层相同的层级，配线层电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜设置在第一金属膜之上，第一金属膜和第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及显示元件，构造为由晶体管部分驱动。根据本技术方案实施例的半导体装置包括晶体管部分和电容器部分，并且晶体管部分和电容器部分与上述显示装置的晶体管部分和第一电容器部分具有类似的构造。根据本技术方案实施例的制造显示装置的方法包括如下(A)至(C)。(A)通过层叠栅电极、栅极绝缘膜和半导体层形成晶体管部分；(B)通过在晶体管部分之上沉积配线层和第一金属膜且在第一金属膜之上隔着第一层间绝缘膜沉积第二金属膜而形成第一电容器部分，配线层电连接到半导体层，第一金属膜设在与配线层相同的层级；(C)形成显示元件，该显示元件构造为由晶体管部分控制。在根据本技术方案上述实施例的显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法中，构成电容器(第一电容器部分)的金属膜与晶体管部分提供在不同层中。这提供电容器材料的较大选择自由度。根据上述实施例的显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法，构成电容器(第一电容器部分)的金属膜与晶体管部分提供在不同层中。这提供电容器材料的较大选择自由度，有利于整个配线电阻的减小。因此，能够提供高性能的显示装置。附图说明图1是示出有机电致发光(EL)显示装置的一个构造示例的示意图。图2是示出有机EL显示装置的电路构造一个示例的示意图。图3A是示出根据第一实施例的TFT和电容器构造的平面图。图3B是示出图3A所示TFT和电容器构造的截面图。图4A是示出图3B所示TFT和电容器制造工艺的截面图。图4B是示出图4A后续工艺的截面图。图5A是示出图4B后续工艺的截面图。图5B是示出图5A后续工艺的截面图。图6A是示出根据第二实施例的TFT和电容器构造的平面图。图6B是示出图6A所示TFT和电容器构造的截面图。图7A是示出根据第三实施例的TFT和电容器构造的平面图。图7B是示出图7A所示TFT和电容器构造的截面图。图8A是示出根据第三实施例的TFT和电容器另一个构造的平面图。图8B是示出图8A所示TFT和电容器构造的截面图。图9A是示出根据第四实施例的TFT和电容器构造的平面图。图9B是示出图9A所示TFT和电容器构造的截面图。图10A是示出图9B所示TFT和电容器制造工艺的截面图。图10B是示出图10A后续工艺的截面图。图11是示出根据第五实施例的TFT和电容器构造的截面图。图12是示出根据第五实施例的TFT和电容器另一个构造的截面图。图13A是示出根据第六实施例的TFT和电容器构造的平面图。图13B是示出图13A所示TFT和电容器构造的截面图。图14A是示出图13B所示TFT和电容器制造工艺的截面图。图14B是示出图14A后续工艺的截面图。图15A是根据修改示例1的TFT和电容器构造的平面图。图15B是示出图15A所示TFT和电容器构造的截面图。图16A是示出根据第七实施例的TFT和电容器构造的平面图。图16B是示出图16A所示TFT和电容器构造的截面图。图17A是示出根据第八实施例的TFT和电容器构造的平面图。图17B是示出图17A所示TFT和电容器构造的截面图。图18A是示出根据修改示例2的TFT和电容器构造的平面图。图18B是示出图18A所示TFT和电容器构造的截面图。图19A是示出图18B所示TFT和电容器制造工艺的截面图。图19B是示出图19A后续工艺的截面图。图20是根据上述实施例等的显示装置应用示例的示意图。图21A是示出从前侧看的应用示例1外观的立体图。图21B是示出从后侧看的应用示例1外观的立体图。图22是示出应用示例2外观的立体图。图23A是示出从前侧看应用示例3外观的立体图。图23B是示出从后侧看应用示例3外观的立体图。图24是示出应用示例4外观的立体图。图25是示出应用示例5外观的立体图。图26A是应用示例6在关闭状态下的前视图、左侧视图、右侧视图、俯视图和仰视图。图26B是应用示例6在打开状态下的前视图和侧视图。具体实施方式下面，将参考附图描述本技术方案的某些实施例。应注意，描述以下面的顺序进行。1.第一实施例(其中第一电容器与晶体管部分提供在不同层的示例)2.第二实施例(其中第二电容器提供在第一电容器之下的示例)3.第三实施例(其中第一电容器的一个金属膜与晶体管部分的配线层共享的示例)4.第四实施例(利用具有分层结构的层间绝缘膜的示例)5.第五实施例(具有顶栅极型晶体管部分的示例)6.第六实施例(其中第一电容器具有凹陷部分的第一示例)7.修改示例1(其中第一电容器具有凹陷部分的第二示例)8.第七实施例(其中第二电容器提供在具有凹陷部分的第一电容器之下的示例)9.第八实施例(其中第一电容器具有多个凹陷部分的第一示例)10.修改示例2(其中第一电容器具有多个凹陷部分的第二示例)11.应用示例<1.第一实施例>作为平板显示器(显示装置)的示例，将举例说明有机电致发光(EL)显示器的情况。图1示出了有机EL显示器的构造。显示装置10，是有机EL显示器，包括像素阵列部分12和驱动像素阵列部分12的驱动部分(未示出)。像素阵列部分12包括成行的扫描线14a、成列的信号线13a、设置在扫描线14a和信号线13a的交叉处的像素11阵列、设置为与像素11的各行对应的电源线15a。驱动部分包括水平选择器13、写入扫描器14和电源扫描器15。水平选择器13适合于给信号线13a的每一个提供基准电位和作为图像信号的信号电位，以顺序扫描列单元中的像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：晶体管部分，其包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上，该栅电极层叠在该栅极绝缘膜的该半导体层的相反侧；第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，该第一金属膜设置在与配线层相同的层级，该配线层电连接至该半导体层且设置在该晶体管部分之上，该第二金属膜设置在该第一金属膜之上，该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及显示元件，构造为由该晶体管部分控制。

【技术特征摘要】
2012.06.15 JP 2012-135458;2013.03.08 JP 2013-046891.一种显示装置，包括：晶体管部分，其包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上，该栅电极层叠在该栅极绝缘膜的该半导体层的相反侧；第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，该第一金属膜设置在与配线层相同的层级，该配线层电连接至该半导体层且设置在该晶体管部分之上，该第二金属膜设置在该第一金属膜之上，该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及显示元件，构造为由该晶体管部分控制。2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括提供在该第一电容器部分之下的第二电容器部分，其中该第二电容器部分包括绝缘膜、另外的半导体层和金属膜，该绝缘膜设置在与该栅极绝缘膜相同的层级，该另外的半导体层设置在与该半导体层相同的层级，该金属膜设置在与该栅电极层相同的层级。3.根据权利要求1所述的显...

【专利技术属性】
技术研发人员：津野仁志，永泽耕一，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP