一种掩膜版及其制备方法、阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种掩膜版及其制备方法、阵列基板的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的掩膜版不透光区的边缘位置处存在衍射光线，致使无法按设计尺寸得到相应图案的问题。本发明专利技术的掩膜版在至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处设置相移区，在相移区设有相移掩膜，这样在该边缘位置处即使发生光线衍射现象，相移掩膜可以降低由相移区透过的光的光强，相当于衍射光线被叠加相消，使得对应不透光区的边缘位置的光刻胶不被衍射光线照射，最终可按设计尺寸得到相应图案。本发明专利技术的掩膜版适用于制备各种阵列基板。

Mask plate and preparation method thereof, and preparation method of array substrate

The invention provides a mask plate, a preparation method and an array substrate preparation method, belonging to the display technology field, which can solve the problem that diffraction rays exist at the edge position of the opaque zone of the existing mask plate, and the corresponding pattern can not be obtained according to the design size. The mask plate of the invention is provided with a phase-shifting region at the edge position of at least part of the light-transmissible region near the opaque region, and a phase-shifting mask at the phase-shifting region, so that even if light diffraction occurs at the edge position, the phase-shifting mask can reduce the light intensity transmitted by the phase-shifting region, which is equivalent to the diffraction light being superimposed and cancelled. Thus, the photoresist corresponding to the edge position of the opaque zone can not be illuminated by the diffracted light, and the corresponding pattern can be obtained according to the design size. The mask plate of the invention is suitable for the preparation of various array substrates.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版及其制备方法、阵列基板的制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种掩膜版及其制备方法、阵列基板的制备方法。
技术介绍
在阵列基板上的各功能层构图工艺中常利用掩膜版形成相应的图案。通常，掩膜版的图案与欲形成的功能层的图案相对应，掩膜版包括透光区和不透光区，在透光区，光线可以全部透过以进行曝光，从而将此区的光刻胶全部去除；不透光区的光刻胶保留，经过刻蚀后，即可得到功能层的相应图案。在4mask工艺阵列基板的TFT的源漏极制作中，常用半色调掩膜版(HalfToneMask)构图，半色调掩膜版如图1所示，包含全透区40、半透区30及不透光区20三种不同区域，其中，半透区30仅允许部分光线透过，对光刻胶进行半曝光，以便后续形成TFT沟道。利用半透掩膜板对两个薄膜层进行一次曝光和多次刻蚀以形成两个膜层图案，能够大幅简化阵列基板制作工艺，降低制作成本。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：掩膜版的图案的尺寸一般较小，由于光线的衍射作用，在不透光区的边缘位置处，衍射光线照射到光刻胶上，造成无法按设计的尺寸得到相应的图案。这在半色调掩膜版中造成的不良更明显：如图1所示，半透区30边缘位置(虚线圆圈起的位置)的衍射现象致使经过刻蚀后得到的TFT沟道尺寸不可避免的增大。
技术实现思路
本专利技术针对现有的掩膜版不透光区的边缘位置处存在衍射光线，无法按设计尺寸得到相应图案的问题，提供一种掩膜版及其制备方法、阵列基板的制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是：一种掩膜版，包括衬底，且所述掩膜版包括不透光区，以及邻近所述不透光区设置的至少部分光可透过区；其中，所述至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处包括相移区，所述相移区设有相移掩膜，相移掩膜用于改变通过其的光线的相位，以降低由相移区透过的光的光强。可选的是，所述衬底由透光材料构成，所述不透光区设有用于阻挡光透过的第二掩膜，所述第二掩膜和所述相移掩膜设于所述衬底的同一侧。可选的是，所述至少部分光可透过区包括全透区和/或半透光区。可选的是，所述相移掩膜的材料包括含硅和钼的氧化物。可选的是，所述相移掩膜可使射向半透膜的光线的相位转变180°。可选的是，所述衬底由透光材料构成，所述至少部分透光区包括半透光区，所述半透光区设有半透膜。可选的是，所述半透膜与所述相移掩膜位于衬底的同一侧，且所述半透膜相较于所述相移掩膜更靠近所述衬底设置。本专利技术还提供一种掩膜版的制备方法，所述掩膜版包括不透光区，以及邻近所述不透光区设置的至少部分光可透过区，所述至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处包括相移区；所述方法包括以下制备步骤：提供衬底；在相移区形成相移掩膜，所述相移掩膜可改变通过其的光线的相位，以降低由相移区透过的光的光强。可选的是，所述形成相移掩膜包括以下步骤：采用溅射工艺形成包括含硅和钼的氧化物膜层；对所述含硅和钼的氧化物膜进行构图得到相移掩膜。本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括采用上述的掩膜版形成导电层的步骤。本专利技术的掩膜版的至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处设置相移区，在相移区设有相移掩膜，这样在该边缘位置处即使发生光线衍射现象，相移掩膜可以降低由相移区透过的光的光强，相当于衍射光线被叠加相消，使得对应不透光区的边缘位置的光刻胶不被衍射光线照射，最终可按设计尺寸得到相应图案。本专利技术的掩膜版适用于制备各种阵列基板，尤其适用于高PPI、TDDI、OLED等高端产品的生产制作。附图说明图1为现有的掩膜版的结构示意图；图2为本专利技术的实施例1的掩膜版的结构示意图；图3、图4为本专利技术的实施例2的掩膜版的结构示意图；其中，附图标记为：10、衬底；20、不透光区；30、半透区；40、全透区；50、至少部分光可透过区；1、相移掩膜；2、第二掩膜；3、半透膜。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种掩膜版，如图2所示，该掩膜版包括衬底10，且所述掩膜版包括不透光区20，以及邻近所述不透光区20设置的至少部分光可透过区50；其中，至少部分光可透过区50的临近不透光区的边缘位置处包括相移区，所述相移区设有相移掩膜1，用于改变通过其的光线的相位，以降低由相移区透过的光的光强。本实施例的掩膜版的至少部分光可透过区50的临近不透光区的边缘位置处设置相移区，在相移区设有相移掩膜1，这样在该边缘位置处即使发生光线衍射现象，相移掩膜1可以降低由相移区透过的光的光强，相当于衍射光线被叠加相消，使得对应不透光区20的边缘位置的光刻胶不被衍射光线照射，最终可按设计尺寸得到相应图案。本实施例的掩膜版适用于制备各种阵列基板，尤其适用于高PPI、TDDI、OLED等高端产品的生产制作。实施例2：本实施例提供一种掩膜版，如图3所示，该掩膜版包括衬底10，且所述掩膜版包括不透光区20，以及邻近所述不透光区20设置的至少部分光可透过区50；其中，至少部分光可透过区50的临近不透光区的边缘位置处包括相移区，所述相移区设有相移掩膜1，用于改变通过其的光线的相位，以降低由相移区透过的光的光强；其中，所述衬底10由透光材料构成，所述不透光区20设有用于阻挡光透过的第二掩膜2。本实施例掩膜版中的衬底10可以为玻璃基板或石英基板，还可以是其它材料构成的透光基板。本实施例中不透光区20、至少部分光可透过区50仅为区域的划分，实际应用中可以采用在不透光区20增设不透膜的方式实现不透光，也可以采用在该区域的衬底10基板的基体中混合遮光物质等方式实现区域不透光。本实施例中设置第二掩膜的方式是一种较方便的实施方案，本实施例中用于阻挡光透过的第二掩膜2的材料可以为铬。优选的是，所述第二掩膜2和所述相移掩膜1设于所述衬底10的同一侧。具体的，参见图3，光源(图中未示出)设于衬底10的上方，所述第二掩膜2和所述相移掩膜1同设于所述衬底10的下表面，光源射出的光射向衬底10的上表面，衬底10下方的a曲线为图1的对比例中光强分布，b曲线为相移掩膜1可改变的光线的光强分布，c曲线为本实施例的相移区实际的光强分布，可以理解为，本实施例中相移掩膜1的作用是降低射向相移区的光线的光强，相当于相移区的衍射光线被叠加相消，使得相移区的光强分布更集中，最终可按设计尺寸得到相应图案。作为本实施例中的一种优选实施方案，所述至少部分光可透过区50为全透区40；或者所述至少部分光可透过区50为半透区30，或者所述至少部分光可透过区50包含全透区40和半透区30。也就是说，同一衬底上可以同时包含全透区40、半透区30及不透光区20三种不同区域；可以仅仅在全透区40的边缘设置相移掩膜1，或者仅仅在半透区30的边缘设置相移掩膜1；还可以在全透区40和半透区30的边缘均设置相移掩膜1。具体的，全透区40光线可100％通过掩膜版，在全透区40设置相移掩膜1的具体实施方式与图3中示出的方式类似，在此不再赘述。在一个实施例中，所述衬底由透光材料构成，所述至少部分透光区包括半透光区，所述半透区30设有半透膜3。本实施例对应的附图4中显示了至少部分光可透过区50为半透区30的具体实施示意图，在半透区30设有半透膜3，半透膜3与第二掩膜2和所述相移掩膜1均设于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括衬底，且所述掩膜版包括不透光区，以及邻近所述不透光区设置的至少部分光可透过区；其中，所述至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处包括相移区，所述相移区设有相移掩膜，相移掩膜用于改变通过其的光线的相位，以降低由相移区透过的光的光强。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括衬底，且所述掩膜版包括不透光区，以及邻近所述不透光区设置的至少部分光可透过区；其中，所述至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处包括相移区，所述相移区设有相移掩膜，相移掩膜用于改变通过其的光线的相位，以降低由相移区透过的光的光强。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述衬底由透光材料构成，所述不透光区设有用于阻挡光透过的第二掩膜，所述第二掩膜和所述相移掩膜设于所述衬底的同一侧。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述至少部分光可透过区包括全透区和/或半透光区。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述相移掩膜的材料包括含硅和钼的氧化物。5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述相移掩膜可使射向半透膜的光线的相位转变180°。6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述衬底由透光材料构成，所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明悬，张小祥，徐文清，李小龙，吴祖谋，郭会斌，宋勇志，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11